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本發(fā)明涉及電路板安裝技術(shù)，尤其涉及一種電路板快拆模組。、隨著科技的發(fā)展，電路板已經(jīng)廣泛運(yùn)用到各個(gè)行業(yè)中。而電路板在安裝時(shí)，目前主要的方式是通過螺絲刀加螺絲的安裝方式，雖然能夠?qū)㈦娐钒宸€(wěn)定的固定在電子產(chǎn)品上，但是其需要使用工具拆裝。且針對(duì)不同的電子產(chǎn)品，其電路板的使用壽命也存在一定的局限性，...

本發(fā)明涉及頻移鍵控調(diào)制器的，尤其是涉及一種憶阻器基頻移鍵控調(diào)制器。、隨著工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療保健和智能農(nóng)業(yè)等行業(yè)的興起，無線物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展迅速，引發(fā)了對(duì)數(shù)據(jù)采集和傳輸?shù)男枨蟆Ｍǔ＃瑹o線物聯(lián)網(wǎng)硬件部署利用無線傳感器網(wǎng)絡(luò)作為數(shù)據(jù)采集層，通過促進(jìn)智能設(shè)備與遠(yuǎn)程中央云在低頻頻段之間的無線通信，實(shí)現(xiàn)各種場(chǎng)景...

本發(fā)明屬于pcb切割，尤其涉及一種雙面pcb板邊毛刺去除方法及雙面pcb。、電路板，可稱為印刷線路板或印刷電路板（printed?circuit?board，pcb），是用于將電子元器件和電路連接在一起，實(shí)現(xiàn)電器、電子設(shè)備中復(fù)雜電路的布局設(shè)計(jì)及電氣信號(hào)傳輸?shù)幕A(chǔ)電子器件，廣泛應(yīng)用于電子、計(jì)...

本發(fā)明屬于太陽能電池，尤其涉及一種分子調(diào)控的無機(jī)鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法。、目前，全無機(jī)鈣鈦礦太陽能電池因其成本低、制造技術(shù)簡單等優(yōu)點(diǎn)引起了極大的關(guān)注，其功率轉(zhuǎn)換效率已提升至％以上，并且與有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦太陽能電池相比，全無機(jī)鈣鈦礦太陽能電池具有更高的光熱穩(wěn)定性，應(yīng)用潛力巨大。因?yàn)?..

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì)，具體而言，涉及一種基于閾值跟蹤的電壓時(shí)間轉(zhuǎn)換電路。、在現(xiàn)有的電壓時(shí)間轉(zhuǎn)換電路中，電壓采樣部分為直接采樣，輸入差分信號(hào)被采集在一對(duì)采樣電容的上極板，后級(jí)恒定電流對(duì)采樣電容上極板充電，當(dāng)電壓超出后級(jí)比較器的反轉(zhuǎn)閾值后，比較器輸出翻轉(zhuǎn)，差分路徑翻轉(zhuǎn)脈沖的相對(duì)時(shí)間差即...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，尤其涉及一種具有自愈合特性的輻射探測(cè)半導(dǎo)體材料及其制備方法和應(yīng)用。、半導(dǎo)體輻射探測(cè)器因具備優(yōu)異的輻射吸收能力、適中的帶隙以及良好的能量分辨率，已成為直接轉(zhuǎn)換型x射線和γ射線探測(cè)器的主流半導(dǎo)體材料，在醫(yī)學(xué)影像、工業(yè)無損檢測(cè)、核輻射監(jiān)測(cè)、航天探測(cè)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。該...

實(shí)施方式涉及圖像傳感器。、圖像傳感器是將光學(xué)圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的器件。圖像傳感器可以包括包含多個(gè)光電二極管區(qū)域的像素區(qū)域、以及用于使像素彼此電分離的像素隔離區(qū)域，在所述多個(gè)光電二極管區(qū)域中入射光被接收并轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、實(shí)施方式可以通過一種提供圖像傳感器來實(shí)現(xiàn)，該圖像傳感器包括...

本申請(qǐng)涉及熱傳導(dǎo)溫控，尤其涉及一種基于相變儲(chǔ)熱與主動(dòng)散熱的散熱裝置及智能手表。、根據(jù)gartner年智能穿戴設(shè)備技術(shù)白皮書顯示，旗艦智能手表的運(yùn)算功耗已突破w閾值，比如apple?watch?ultra?的s芯片峰值功耗達(dá).w，但設(shè)備內(nèi)部空間持續(xù)壓縮至.-.cm。由此產(chǎn)生的熱流密度達(dá)到每立...

本申請(qǐng)涉及太陽能電池的，具體涉及一種鈣鈦礦薄膜的表面鈍化方法及鈣鈦礦太陽能電池。、鈣鈦礦是一種與礦物鈣鈦氧化物晶體結(jié)構(gòu)相同的材料，鈣鈦礦電池是以鈣鈦礦型有機(jī)金屬鹵化物半導(dǎo)體為吸光材料的太陽能電池，屬于第三代薄膜電池的代表，主要包括純鈣鈦礦電池和鈣鈦礦疊層電池兩種類型。相比于硅電池，鈣鈦礦電...

本申請(qǐng)涉及晶圓鍵合，具體涉及一種晶圓鍵合方法及濾波器。、隨著聲表面波濾波器(surface?acoustic?wave，簡稱saw)朝高性能、高集成化、高市場(chǎng)應(yīng)用前景發(fā)展，其對(duì)異質(zhì)集成技術(shù)，尤其是絕緣上壓電單晶薄膜(piezo?oninsulator,簡稱poi)材料提出了的迫切需求。po...

本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體，具體涉及一種具有空氣隙的內(nèi)側(cè)墻的制備方法和半導(dǎo)體器件。、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)器件的功耗可以表達(dá)為電流與電壓乘積(iv)的形式，也可以表達(dá)為電容與電壓平方乘積(cv)的形式。cmos器件的尺寸已縮小到納米級(jí)，工作電壓難以降低，可通過降低器件的寄生電容以降低其功耗...

本公開涉及基于微機(jī)電系統(tǒng)(mems)的壓力傳感器的領(lǐng)域，并且具體地，涉及提供硅面積使用減少和功耗減少的mems壓力傳感器設(shè)計(jì)。、取決于mems壓力傳感器是壓電傳感器(pps)還是電容式傳感器(cps)，mems壓力傳感器輸出差分電壓或小電容變化。模擬處理鏈處理這些小輸出，將它們放大并轉(zhuǎn)換成...

、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廣泛用于各種電子設(shè)備，諸如蜂窩電話、數(shù)碼相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、醫(yī)療電子器件、移動(dòng)計(jì)算設(shè)備、服務(wù)器、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器、非移動(dòng)計(jì)算設(shè)備和其他設(shè)備。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以包括非易失性存儲(chǔ)器或易失性存儲(chǔ)器。即使當(dāng)非易失性存儲(chǔ)器未連接至電源(例如，電池)時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器也允許存儲(chǔ)和保留信息。、一種...

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體裝置。、在功率mosfet(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(metal?oxide?semiconductorfield?effect?transistor))等中，要求抑制每個(gè)產(chǎn)品的閾值電壓的偏差并且提高雪崩耐量。、作為提高雪崩耐量的方法，考慮抑制mosfet的寄...

本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。、在功率集成電路的發(fā)展中，為了將功率開關(guān)以及控制電路整合在一起而開發(fā)的單芯片制程，尤其是目前用于制作單片集成電路的橫向二次擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(lateraldoublediffusion?mos，ldmos)制程，為一主...

本公開涉及一種用于功率模塊的端子以及用于制造該端子的方法。該功率模塊可被用于功率電子應(yīng)用（諸如例如電動(dòng)車輛（ev）或火車中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或功率變換器。該功率模塊可以是功率半導(dǎo)體模塊。該功率模塊可以是高電壓功率模塊。、功率模塊的功率端子可以互連多個(gè)襯底，從而將多個(gè)功率半導(dǎo)體設(shè)備以電并聯(lián)的方式電...

本發(fā)明涉及印制電路板，具體為一種印制線路板空腔孤島結(jié)構(gòu)的制作方法。、空腔技術(shù)已被廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，包括無線通信、汽車電子、高速計(jì)算和射頻應(yīng)用等。例如，在g天線模塊中，通過空腔設(shè)計(jì)可以有效解決信號(hào)傳輸損失問題，實(shí)現(xiàn)自主可控；此外，空腔技術(shù)還在高端汽車電子和功率放大器等領(lǐng)域展現(xiàn)了其優(yōu)越性能。...

本申請(qǐng)涉及電子散熱，尤其涉及一種柔性電路板擺動(dòng)裝置、擺動(dòng)方法及電子元件散熱器。、為了保護(hù)電子元件，延遲電子元件的使用壽命，對(duì)電器中易發(fā)熱的電子元件（如電阻、電容、變壓器等）進(jìn)行散熱已是相關(guān)工作人員關(guān)注的重點(diǎn)內(nèi)容之一。、目前，相關(guān)技術(shù)通常是基于風(fēng)冷或液冷的方式對(duì)電子元件進(jìn)行散熱，但由于這些散...

本發(fā)明涉及數(shù)字信息傳輸，特別涉及一種基于智能臺(tái)區(qū)終端的傳輸數(shù)據(jù)壓縮方法。、智能臺(tái)區(qū)終端是安裝于公變用戶現(xiàn)場(chǎng)，用于現(xiàn)場(chǎng)服務(wù)管理的終端設(shè)備，同時(shí)智能臺(tái)區(qū)終端是智能電網(wǎng)的核心設(shè)備，部署在配電臺(tái)區(qū)，即電力變壓器供電區(qū)域，可以實(shí)時(shí)采集供電區(qū)域的電能計(jì)量數(shù)據(jù)。智能臺(tái)區(qū)終端設(shè)備應(yīng)用現(xiàn)代數(shù)字通信技術(shù)、嵌入...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路，特別涉及一種半導(dǎo)體器件版圖結(jié)構(gòu)、一種半導(dǎo)體器件及其制作方法。、在bcd（bipolar-cmos-dmos，雙極型晶體管-互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體-雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）中，dmos通常會(huì)采用金屬場(chǎng)板結(jié)構(gòu)來提高耐壓和降低導(dǎo)通電阻。、首先在柵極側(cè)壁形成側(cè)墻，在...