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本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。、gaas等iii-v族的半導(dǎo)體裝置用于通信設(shè)備等。作為半導(dǎo)體裝置的電極材料，使用電傳導(dǎo)性高的銅等。但是銅會(huì)在半導(dǎo)體基板中擴(kuò)散而使半導(dǎo)體裝置的特性劣化。因此，在半導(dǎo)體基板與銅膜之間形成勢(shì)壘金屬。為了提高半導(dǎo)體基板與勢(shì)壘金屬的密接性，進(jìn)行熱處理以使勢(shì)壘金屬的...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種光學(xué)封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法。、最初的光學(xué)封裝結(jié)構(gòu)包括有源光纜(active?optical?cable，aoc)和可插拔光模塊。為了適應(yīng)不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)量要求，光學(xué)封裝技術(shù)已發(fā)展到pcb板載光模塊封裝技術(shù)和cpo(co-packaged?optics，共封裝)...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，具體而言，涉及一種半導(dǎo)體器件的刻蝕方法及阻變儲(chǔ)存器。、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的高速發(fā)展，常規(guī)存儲(chǔ)器已無(wú)法滿足人們的需求，為了滿足人們?nèi)找嬖鲩L(zhǎng)的要求，非易失性存儲(chǔ)器逐漸走進(jìn)人們的視野，如鐵電存儲(chǔ)器(feram)、磁性存儲(chǔ)器(mram)、相變存儲(chǔ)器(pram)、阻變存儲(chǔ)器(rra...

本申請(qǐng)涉及電路，更具體地，涉及一種地彈噪聲抑制電路及電路板。、地彈噪聲是由于地線電流突變導(dǎo)致的地電平波動(dòng)。而與電路板電連接的一些器件，在地電平波動(dòng)較大時(shí)，信號(hào)會(huì)失真，或電平保持不穩(wěn)引發(fā)系統(tǒng)誤操作。、因此，需要對(duì)地彈噪聲進(jìn)行抑制，以確保系統(tǒng)中的信號(hào)準(zhǔn)確以及系統(tǒng)穩(wěn)定。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、有鑒于此，本...

發(fā)明屬于模擬集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)領(lǐng)域，具體地說(shuō)是一種用于高壓soi半橋驅(qū)動(dòng)器的抗核輻射加固的電平轉(zhuǎn)換電路。、隨著微電子技術(shù)、空間技術(shù)、核技術(shù)和戰(zhàn)略武器技術(shù)的發(fā)展，人造衛(wèi)星、宇宙飛船、核設(shè)施和核武器系統(tǒng)中需要使用大量的先進(jìn)電子設(shè)備。但是工作在空間輻射和核輻射等輻射應(yīng)用環(huán)境下的先進(jìn)電子設(shè)備中...

本發(fā)明屬于功率半導(dǎo)體，尤其是涉及一種gan基二極管及其制備技術(shù)。、gan材料相較于傳統(tǒng)si，在電子飽和速度、禁帶寬度、臨界擊穿電場(chǎng)都有顯著的優(yōu)勢(shì)，且algan/gan?異質(zhì)結(jié)處高濃度、高遷移率的deg?成為了gan?hemt獨(dú)有的特點(diǎn)。相比合封方案，gan的單片集成可以顯著減輕寄生效應(yīng)，能...

本申請(qǐng)涉及電路板，尤其涉及電路板導(dǎo)電配件、電路板組件及電子設(shè)備。、電路板級(jí)供電通常是從專(zhuān)用的電源層進(jìn)行供電，但當(dāng)電路板規(guī)模較大，并且電路板上元器件功耗分布不均的情況下，就需要對(duì)有高功耗需求的局部區(qū)域進(jìn)行單獨(dú)的供電設(shè)計(jì)，通常是以增加電路板內(nèi)部走線層數(shù)量或厚度來(lái)實(shí)現(xiàn)。這樣就帶來(lái)電路板整體層數(shù)增...

本發(fā)明涉及電磁防護(hù)領(lǐng)域，特別涉及一種高壓長(zhǎng)間隙電流測(cè)量屏蔽裝置。、雷擊是我國(guó)架空輸電線路跳閘事故的主要原因，空氣間隙是高壓輸電系統(tǒng)最主要的外絕緣形式,合理選擇空氣間隙結(jié)構(gòu)是高壓輸電系統(tǒng)外絕緣設(shè)計(jì)的關(guān)鍵問(wèn)題?？諝忾g隙隨著其長(zhǎng)度的增加呈現(xiàn)出明顯的飽和效應(yīng)，給特高壓輸電系統(tǒng)的絕緣配合設(shè)計(jì)帶來(lái)挑戰(zhàn)...

本發(fā)明涉及l(fā)ed光源封裝，具體為一種雙色溫cob光源的封裝方法。、隨著照明技術(shù)的不斷發(fā)展，雙色溫cob光源因其能夠在不同場(chǎng)景下提供不同色溫的照明效果，滿足多樣化的照明需求，在商業(yè)照明、家居照明等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，現(xiàn)有的雙色溫cob光源封裝方法存在一些問(wèn)題。例如，封裝過(guò)程中基板與封裝...

本發(fā)明屬于cis晶圓表面處理，涉及一種cis晶圓的重工方法。、cmos圖像傳感器（cmos?image?sensor，cis）中色彩濾波陣列（color?filterarray，cfa），通過(guò)紅(r)/綠(g)/藍(lán)(b)濾光片實(shí)現(xiàn)彩色成像，其中cfa的核心結(jié)構(gòu)包括微透鏡(micro?len...

本申請(qǐng)涉及光伏，特別是涉及一種光伏組件及其制作方法。、光伏發(fā)電技術(shù)作為利用太陽(yáng)能資源的主流技術(shù)，是綠色能源發(fā)展的重要領(lǐng)域，已經(jīng)走向市場(chǎng)化和商業(yè)化。光伏組件中通過(guò)電池片的光生伏特效應(yīng)而將光能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔埽ㄟ^(guò)匯流條將多個(gè)電池片串聯(lián)，使電池片產(chǎn)生的電能由匯流條收集后導(dǎo)出，且在相鄰兩個(gè)電池串組之間...

本發(fā)明涉及l(fā)ed調(diào)光，尤其涉及一種阻性負(fù)載可控硅調(diào)光電源。、現(xiàn)有采用可控硅進(jìn)行調(diào)光的可控硅調(diào)光產(chǎn)品，其產(chǎn)品結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉，且調(diào)光范圍廣，故廣泛應(yīng)用于光燈具調(diào)光。然而，可控硅調(diào)光產(chǎn)品的切波調(diào)光過(guò)程發(fā)熱量大，存在效率偏低的問(wèn)題，在對(duì)供電效率與供電穩(wěn)定性存在較高要求的場(chǎng)景下，還需增設(shè)續(xù)流電路...

本發(fā)明是關(guān)于一種電子裝置的制作方法，尤指一種可縮小線寬或提高元件密度的制作方法。、近半世紀(jì)以來(lái)科技快速發(fā)展，現(xiàn)今人們生活已離不開(kāi)電子產(chǎn)品，而隨著消費(fèi)者生活習(xí)慣改變，電子產(chǎn)品朝向輕薄、短小等微型化發(fā)展。通過(guò)將元件微小化，提高元件密度，有利于應(yīng)用于微型化的電子裝置中。、然而，受限于黃光工藝和/...

本發(fā)明涉及晶硅太陽(yáng)能電池制造，特別是涉及一種n型topcon電池及其制備方法。、當(dāng)前，晶硅太陽(yáng)能電池中的n型topcon電池的由于其衰減小，電池整體效率及發(fā)電量?jī)?yōu)勢(shì)明顯等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用。、現(xiàn)有n型topcon電池一般通過(guò)se激光摻雜工序的方式形成選擇發(fā)射極，也即在金屬柵線與硅片接觸部位及...

本發(fā)明涉及一種輸入/輸出驅(qū)動(dòng)器，且尤其涉及一種能夠形成嵌入式硅控整流器(silicon?controlled?rectifier，scr)結(jié)構(gòu)的輸入/輸出驅(qū)動(dòng)器。、輸入/輸出(i/o)驅(qū)動(dòng)器用以從內(nèi)存裝置的輸入/輸出端子接收在與特定核心電壓區(qū)域相關(guān)聯(lián)之高邏輯電壓與低邏輯電壓之間變化的輸入電...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法和光電探測(cè)器。、基于硅光體系的光互連可實(shí)現(xiàn)超大帶寬、低功耗的信號(hào)傳輸，并且，硅光體系可與互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(complementary?metal?oxide?semiconductor,cmos)技術(shù)兼容，依靠成熟的集成電路晶圓制造...

本申請(qǐng)涉及顯示，具體而言，涉及一種陣列基板、顯示面板、顯示面板的制備方法及電子設(shè)備。、有機(jī)發(fā)光二極管(organic?light?emitting?diode，oled)以及基于發(fā)光二極管(light?emitting?diode，led)等技術(shù)的平面顯示裝置因具有高畫(huà)質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)...

本申請(qǐng)涉及顯示，具體而言，涉及一種驅(qū)動(dòng)背板及其制造方法、顯示面板及電子設(shè)備。、隨著顯示設(shè)備制造技術(shù)的發(fā)展，迷你發(fā)光二極管(mini?led)和微型發(fā)光二極管(micro-led)因其優(yōu)異的亮度、分辨率、對(duì)比度、能耗、使用壽命、響應(yīng)速度和熱穩(wěn)定性等方面具有更大的優(yōu)勢(shì)被廣泛使用。、在mini?...

本申請(qǐng)涉及電子器件領(lǐng)域，尤其涉及一種封裝結(jié)構(gòu)以及終端。、芯片是終端的關(guān)鍵器件。芯片內(nèi)一般設(shè)有集成電路，且為了保證集成電路運(yùn)行的穩(wěn)定性，會(huì)在電路中設(shè)置電容。但目前的電容一般設(shè)置在芯片的晶圓內(nèi)。隨著芯片中的晶圓(又稱(chēng)die)的尺寸越來(lái)越小，留給電容的可加工面積越來(lái)越少，這就導(dǎo)致電容的尺寸越來(lái)越...

本申請(qǐng)實(shí)施例屬于半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法、電子設(shè)備。、為進(jìn)一步縮減動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)單元的尺寸，通常在存儲(chǔ)單元內(nèi)設(shè)置垂直晶體管(vertical?filed?effect?transistor，vfet)。垂直晶體管可以包括依次層疊設(shè)置的第一電極層、柵極層以及第二電...