本發(fā)明涉及等離子體cvd裝置。
背景技術：
1、以往，已知有能夠對基材進行連續(xù)的成膜的等離子體cvd裝置。
2、例如，在專利文獻1中，已知有在真空腔室內一邊連續(xù)地輸送基材一邊在該基材的表面形成皮膜的等離子體cvd裝置。該等離子體cvd裝置具有一對成膜輥、磁場產生構件、等離子體電源、氣體供給單元以及真空排氣單元。磁場產生構件設置于各成膜輥的內部，在面向一對成膜輥之間的相對空間的輥表面附近產生鼓出的磁場。在等離子體電源中，一個電極的極性和另一個電極的極性交替地反轉。氣體供給單元向一對成膜輥之間的相對空間供給成膜氣體。真空排氣單元對該相對空間進行真空排氣。等離子體電源的一個電極連接于一個成膜輥，等離子體電源的另一個電極連接于另一個成膜輥。氣體供給單元包括在一對成膜輥之間的相對空間的正上方與輥軸平行地配置的成膜氣體供給管。
3、在專利文獻2中記載了一種在掛繞于配置于真空腔室中的一對成膜輥的基材的表面產生等離子體而進行成膜的等離子體cvd裝置。在該等離子體cvd裝置中，在第1成膜區(qū)域和第2成膜區(qū)域這兩者進行成膜。第2成膜區(qū)域以沿著成膜輥的表面的方式形成于成膜輥的下側的空間。
4、現(xiàn)有技術文獻
5、專利文獻
6、專利文獻1：日本特開2008-196001號公報
7、專利文獻2：日本特開2012-126969號公報
技術實現(xiàn)思路
1、發(fā)明要解決的問題
2、根據(jù)專利文獻1及2所記載的等離子體cvd裝置，能夠一邊連續(xù)地輸送基材一邊成膜。另一方面，專利文獻1及2所記載的技術從謀求基材的輸送速度的提高和利用等離子體cvd得到的膜的特性的提高的兼顧的觀點來看具有再研究的余地。
3、鑒于這樣的情形，本發(fā)明提供一種從謀求基材的輸送速度的提高和利用等離子體cvd得到的膜的特性的提高的兼顧的觀點來看有利的等離子體cvd裝置。
4、用于解決問題的方案
5、本發(fā)明提供一種等離子體cvd裝置，其中，
6、該等離子體cvd裝置具備：
7、第一輥，其以第一軸線為旋轉軸線；
8、第二輥，其與所述第一輥相面對地配置，以與所述第一軸線平行的第二軸線為旋轉軸線；
9、第一磁場產生器，其在所述第一輥的內部具有沿著所述第一輥的內周面配置的多個磁極，產生第一磁場；
10、第二磁場產生器，其在所述第二輥的內部具有沿著所述第二輥的內周面配置的多個磁極，產生第二磁場；以及
11、氣體供給口，其向所述第一輥與所述第二輥之間供給氣體，
12、所述等離子體cvd裝置滿足選自由第一條件和第二條件構成的組的至少一者，該第一條件包括下述(ia)及(ib)，該第二條件包括下述(iia)及(iib)。
13、(ia)在所述等離子體cvd裝置的與所述第一軸線垂直的側視圖中，第一線段與第二線段所成的角θ1為50～90度，所述第一線段將所述第一磁場產生器的所述多個磁極中的在垂直于包括所述第一軸線及所述第二軸線的平面的方向上距所述氣體供給口的距離最短的所述磁極的配置位置、與所述第一軸線連結，所述第二線段將所述第一軸線與所述第二軸線連結。
14、(ib)在所述等離子體cvd裝置的與所述第二軸線垂直的側視圖中，第三線段與第四線段所成的角θ2為50～90度，所述第三線段將所述第二磁場產生器的所述多個磁極中的在垂直于所述平面的方向上距所述氣體供給口的距離最短的所述磁極的配置位置、與所述第二軸線連結，所述第四線段將所述第一軸線與所述第二軸線連結。
15、(iia)在所述等離子體cvd裝置的與所述第一軸線垂直的側視圖中，所述第一磁場沿著所述第一輥的朝向所述第二輥的半圓筒部的外周面，在90度以上的角度范圍內在圓周方向上具有25mt以上的磁通密度。
16、(iib)在所述等離子體cvd裝置的與所述第二軸線垂直的側視圖中，所述第二磁場沿著所述第二輥的朝向所述第一輥的半圓筒部的外周面，在90度以上的角度范圍內在圓周方向上具有25mt以上的磁通密度。
17、發(fā)明的效果
18、上述的等離子體cvd裝置從謀求基材的輸送速度的提高和利用等離子體cvd得到的膜的特性的提高的兼顧的觀點來看是有利的。
1.一種等離子體cvd裝置，其中，
2.根據(jù)權利要求1所述的等離子體cvd裝置，其中，
3.根據(jù)權利要求1所述的等離子體cvd裝置，其中，
4.根據(jù)權利要求1所述的等離子體cvd裝置，其中，
5.根據(jù)權利要求1所述的等離子體cvd裝置，其中，
6.根據(jù)權利要求1所述的等離子體cvd裝置，其中，
7.根據(jù)權利要求1所述的等離子體cvd裝置，其中，