本發(fā)明涉及顯示領域，具體涉及一種oled(organiclightemittingdiode,有機發(fā)光二極管)器件的封裝組件及封裝方法、顯示裝置。

背景技術：

oled作為新一代的顯示器，與傳統(tǒng)的液晶顯示器的不用之處在于其無需采用背光源，通過在襯底基板上制作有機薄膜，有機薄膜被包裹在陰極和陽極金屬之間，給兩電極施加電壓，則有機薄膜就會發(fā)光。由于有機薄膜的有機材料對水汽和氧氣非常敏感，水/氧的滲透會大大縮減oled器件的壽命，因此為了達到市場對其使用壽命和穩(wěn)定性的要求，業(yè)界對oled器件的封裝效果的要求非常高。

當前，業(yè)界對oled器件一般采用薄膜封裝方式進行封裝，如圖1所示，在oled器件11上形成覆蓋oled器件11的封裝薄膜12，該封裝薄膜12由阻擋層121和緩沖層122交替沉積形成。阻擋層121作為水/氧的有效阻擋層，其主要成分為無機物，并且其在制備過程中會出現(xiàn)針孔(pinholes)、異物(particle)等缺陷。緩沖層122的主要成分為有機物，其作用為覆蓋阻擋層121的缺陷以實現(xiàn)平坦化。為了提高材料利用率以節(jié)省成本，現(xiàn)有技術一般采用噴墨打印(ink-jetprinting,ijp)方法形成緩沖層122，如何防止形成緩沖層122的液滴溢流非常關鍵。另外，oled器件11的輕薄化設計趨勢，使其布線較為密集，如何提高oled器件11的快速散熱能力也非常重要。

技術實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種oled器件的封裝組件及封裝方法、顯示裝置，能夠有助于提高oled器件的快速散熱能力，并且防止采用噴墨打印技術形成封裝薄膜時產(chǎn)生液滴溢流。

本發(fā)明一實施例的oled器件的封裝組件，包括：

襯底基材，用于承載oled器件；

覆蓋oled器件的第一阻擋層；

形成于第一阻擋層上的導熱層，導熱層遠離oled器件的一側(cè)設置有第一圖案區(qū)和第二圖案區(qū)，導熱層在第一圖案區(qū)的厚度小于其在第二圖案區(qū)的厚度；

形成于導熱層的第一圖案區(qū)的緩沖層；

覆蓋緩沖層和導熱層的第二阻擋層。

本發(fā)明一實施例的顯示裝置，包括上述oled器件的封裝組件。

本發(fā)明一實施例的oled器件的封裝方法，包括：

提供一襯底基材；

將oled器件承載于襯底基材上；

在oled器件上覆蓋第一阻擋層；

在第一阻擋層上形成導熱層，導熱層遠離oled器件的一側(cè)設置有第一圖案區(qū)和第二圖案區(qū)，導熱層在第一圖案區(qū)的厚度小于其在第二圖案區(qū)的厚度；

在導熱層的第一圖案區(qū)形成緩沖層；

在緩沖層和導熱層上覆蓋第二阻擋層。

有益效果：本發(fā)明設計在第一阻擋層和第二阻擋層之間設置導熱層，即在oled器件的封裝薄膜中設置導熱層，有助于提高oled器件的快速散熱能力，并且，導熱層遠離oled器件的一側(cè)進行了圖案化設計，導熱層在第一圖案區(qū)的厚度小于其在第二圖案區(qū)的厚度，通過第一圖案區(qū)容納采用噴墨打印技術形成緩沖層的液滴，能夠防止液滴溢流。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術中oled器件的封裝組件的剖面示意圖；

圖2是本發(fā)明一實施例的顯示裝置的剖面示意圖；

圖3是圖2所示緩沖層和導熱層第一實施例的結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖4是圖2所示緩沖層和導熱層第二實施例的結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖5是圖2所示緩沖層和導熱層第三實施例的結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖6是圖2所示緩沖層和導熱層第四實施例的結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖7是用于制得圖2所示緩沖層和導熱層的場景示意圖；

圖8是用于制得圖5所示導熱層的掩膜板的結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖9是本發(fā)明一實施例的oled器件的封裝方法的流程示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明所提供的各個示例性的實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。在不沖突的情況下，下述各個實施例以及實施例中的特征可以相互組合。

請參閱圖2，為本發(fā)明一實施例的顯示裝置。所述顯示裝置包括oled器件20以及該oled器件20的封裝組件。所述封裝組件可以包括襯底基材21、第一阻擋層22、導熱層23及緩沖層24。

oled器件20承載于襯底基材21上，oled器件20可以為底發(fā)光器件，即襯底基材21設置于oled器件20的出光方向上。該襯底基材21可以為透明玻璃基板或透明塑料基板，例如，在制作柔性顯示裝置時，襯底基材21可采用可彎折的透明pi(polyimide,pi)基板。

第一阻擋層22為覆蓋oled器件20的結(jié)構(gòu)，具體地，第一阻擋層22可以覆蓋oled器件20的上表面以及各個側(cè)面，并且第一阻擋層22遠離oled器件20的一面為光滑平面。所述第一阻擋層22的厚度可以為100納米～2微米，其制造材料可以為無機物，例如硅的氮化物、硅的氧化物、硅的氮氧化物、鋁的氮化物、鋁的氧化物、鋁的氮氧化物。另外，本發(fā)明無需掩膜板即可形成第一阻擋層22，例如采用sputtering(濺射)方法、pecvd(plasmaenhancedchemicalvapordeposition,等離子增強化學氣相沉積)方法以及ald(atomiclayerdeposition,原子層沉積)方法中的任一種形成所述第一阻擋層22。

導熱層23遠離oled器件20的一側(cè)具有預定圖案，參閱圖2和圖3，該預定圖案可以包括第一圖案區(qū)231和第二圖案區(qū)232，導熱層23在第一圖案區(qū)231可以暴露第一阻擋層22的表面，即第一圖案區(qū)231為鏤空區(qū)，第一圖案區(qū)231包括沿平行于襯底基材21方向(水平方向)交替間隔設置的多個帶狀區(qū)域，每一帶狀區(qū)域呈矩形。

當然，本發(fā)明也可以設置帶狀區(qū)域為其他形狀，例如水滴形；再例如，如圖4所示，帶狀區(qū)域可以呈橢圓形；又例如，參閱圖5，帶狀區(qū)域還可以包括沿垂直方向依次交替連接的第一子區(qū)域233和第二子區(qū)域234，第一子區(qū)域233和第二子區(qū)域234可以均為矩形，且沿水平方向第一子區(qū)域233的寬度小于第二子區(qū)域234的寬度。另外，參閱圖6，第一圖案區(qū)231還可以呈網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明可以采用刻蝕工藝對一整面導熱層進行圖案化處理得到上述導熱層23。如圖7所示，首先，采用熱蒸鍍方法在第一阻擋層22上覆蓋一整面導熱層230。其中，形成一整面導熱層230的材料可以為導熱良好的金屬，例如純度大于或等于99.99％的銀，熱蒸鍍方法所需密封腔體的真空度小于5*10^-5pa，熱蒸鍍所需溫度可以為1000～1500℃，蒸鍍率為5～15埃/秒，從而可制得厚度為50～500nm的一整面導熱層230。然后，對該一整面導熱層230進行刻蝕處理，以去除一整面導熱層230在第一圖案區(qū)231的部分。

當然，本發(fā)明也可以基于掩膜板直接形成具有預定圖案的導熱層23。具體而言：首先，在第一阻擋層22上放置掩膜板，以形成具有圖5所示圖案的導熱層23為例，本發(fā)明可采用如圖8所示的掩膜板80，該掩膜板80包括鏤空區(qū)81和非鏤空區(qū)82，鏤空區(qū)81包括相互導通的第一區(qū)域811和第二區(qū)域812，且沿水平方向第一區(qū)域811的寬度小于第二區(qū)域812的寬度，且第一區(qū)域811和第二區(qū)域812可以均為矩形。然后，采用熱蒸鍍方法使得導熱材料通過掩膜板80的鏤空區(qū)81沉積在第一阻擋層22上，從而形成具有如圖5所示圖案的導熱層23。

當掩膜板80的鏤空區(qū)81的數(shù)量小于導熱層23的第一圖案區(qū)231的數(shù)量時，本發(fā)明可以在一次熱蒸鍍制程之后，水平移動掩膜板80至預定區(qū)域，再次進行熱蒸鍍制程。根據(jù)第一阻擋層22所設計的第一圖案區(qū)231和第二圖案區(qū)232的圖形和數(shù)量來確定移動的距離和次數(shù)，從而形成具有預定圖案的導熱層23。

當然，本發(fā)明還可以采用ald方法或sputtering方法，并結(jié)合所述掩膜板80形成具有預定圖案的導熱層23。

并且，導熱層23的制造材料還可以為銅、金、鋁及其合金。

繼續(xù)參閱圖2～圖7，緩沖層24可以僅形成于導熱層23的第一圖案區(qū)231，此時緩沖層24的厚度與導熱層23的厚度相同。當然，緩沖層24也可以同時覆蓋導熱層23的第一圖案區(qū)231和第二圖案區(qū)232，即緩沖層24為完全覆蓋導熱層23的一整面結(jié)構(gòu)。

緩沖層24的制造材料可以為有機物，例如環(huán)氧樹脂、硅基聚合物、pmma(聚甲基丙烯酸甲酯)。本發(fā)明無需掩膜板即可形成所述緩沖層24，從而節(jié)省掩膜板的設計與生產(chǎn)成本，降低整個封裝組件的生產(chǎn)與制造成本。例如，對于粘度為5～100cps(厘泊)的環(huán)氧樹脂溶液，本發(fā)明可以采用噴墨打印方法、odf(onedropfilling,滴注)方法和噴嘴印刷(nozzleprinting)方法中的任一種，將環(huán)氧樹脂溶液滴注于導熱層23的第一圖案區(qū)231，而后在80～100℃的環(huán)境中放置60～90分鐘，從而固化形成緩沖層24。當然，本發(fā)明也可以采用uv(ultraviolet,紫外線照射或輻射)固化方式對環(huán)氧樹脂溶液進行固化，以形成緩沖層24。

在本發(fā)明中，第一阻擋層22為水/氧的有效阻擋層，緩沖層24用于覆蓋第一阻擋層22以實現(xiàn)平坦化，導熱層23用于導熱及散熱，導熱層23、緩沖層24和第一阻擋層22可視為oled器件20的封裝薄膜。相比較與現(xiàn)有技術，本發(fā)明的導熱層23有助于提高oled器件20的快速散熱能力，并且第一圖案區(qū)231可以容納采用噴墨打印等方法形成緩沖層24時的液滴，防止液滴溢流。

請繼續(xù)參閱圖2，本發(fā)明一實施例的封裝組件還可以包括覆蓋緩沖層和導熱層的第二阻擋層25。該第二阻擋層25的制造材料可以與第一阻擋層22的制造材料相同。本發(fā)明無需掩膜板即可形成所述第二阻擋層25，例如采用odf方法、噴墨打印方法和噴嘴印刷方法中的任一種形成第二阻擋層25，以節(jié)省成本。

第二阻擋層25遠離緩沖層24的一面可以為光滑平面。在第二阻擋層25遠離緩沖層24的一面貼附保護膜或具有觸控(touchsensor)功能的觸控膜時，本發(fā)明不會在光滑平面與保護膜或觸控膜的貼附處出現(xiàn)微小的溝壑，從而能夠避免在oled器件20顯示時出現(xiàn)bubble(泡影)。

請參閱圖9，為本發(fā)明一實施例的oled器件的封裝方法。所述封裝方法可以包括以下步驟s91～s95。

s91：提供一襯底基材。

該襯底基材包括但不限于透明玻璃基板、透明塑料基板，例如，在制作柔性顯示裝置時，襯底基材可采用可彎折的透明pi基板。

s92：將oled器件承載于襯底基材上。

oled器件承載于襯底基材上，oled器件可以為底發(fā)光器件，即襯底基材設置于oled器件的出光方向上。

s93：在oled器件上覆蓋第一阻擋層。

第一阻擋層為覆蓋oled器件的結(jié)構(gòu)，具體地，第一阻擋層可以覆蓋oled器件的上表面以及各個側(cè)面，并且第一阻擋層遠離oled器件的一面為光滑平面。所述第一阻擋層的厚度可以為100納米～2微米，其制造材料可以為無機物，例如硅的氮化物、硅的氧化物、硅的氮氧化物、鋁的氮化物、鋁的氧化物以及鋁的氮氧化物。另外，本發(fā)明無需掩膜板即可形成第一阻擋層，例如采用sputtering方法、pecvd方法以及ald方法中的任一種形成所述第一阻擋層。

s94：在第一阻擋層上形成導熱層，導熱層遠離oled器件的一側(cè)設置有第一圖案區(qū)和第二圖案區(qū)，導熱層在第一圖案區(qū)的厚度小于其在第二圖案區(qū)的厚度。

導熱層遠離oled器件的一側(cè)具有預定圖案，該預定圖案可以包括第一圖案區(qū)和第二圖案區(qū)，導熱層在第一圖案區(qū)可以暴露第一阻擋層的表面，即第一圖案區(qū)為鏤空區(qū)，第一圖案區(qū)包括沿平行于襯底基材方向交替間隔設置的多個帶狀區(qū)域，每一帶狀區(qū)域呈矩形。

當然，本發(fā)明也可以設置帶狀區(qū)域為其他形狀，例如水滴形、橢圓形；又例如，帶狀區(qū)域還可以包括沿垂直方向依次交替連接的第一子區(qū)域和第二子區(qū)域，第一子區(qū)域和第二子區(qū)域可以均為矩形，且沿水平方向第一子區(qū)域的寬度小于第二子區(qū)域的寬度。另外，第一圖案區(qū)還可以呈網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明可以采用刻蝕工藝對一整面導熱層進行圖案化處理得到上述導熱層。具體而言：首先，采用熱蒸鍍方法在第一阻擋層上覆蓋一整面導熱層。其中，形成一整面導熱層的材料可以為導熱良好的金屬，例如純度大于或等于99.99％的銀，熱蒸鍍方法所需密封腔體的真空度小于5*10^-5pa，熱蒸鍍所需溫度可以為1000～1500℃，蒸鍍率為5～15埃/秒，從而可制得厚度為50～500nm的一整面導熱層。然后，對該一整面導熱層進行刻蝕處理，以去除一整面導熱層在第一圖案區(qū)的部分。

當然，本發(fā)明也可以基于掩膜板形成具有預定圖案的導熱層。具體而言：首先，在第一阻擋層上放置掩膜板，以形成具有圖5所示圖案的導熱層為例，掩膜板包括鏤空區(qū)和非鏤空區(qū)，鏤空區(qū)包括相互導通的第一區(qū)域和第二區(qū)域，且沿水平方向第一區(qū)域的寬度小于第二區(qū)域的寬度，第一區(qū)域和第二區(qū)域可以均為矩形。然后，采用熱蒸鍍方法使得導熱材料通過掩膜板的鏤空區(qū)沉積在第一阻擋層上，從而形成導熱層。

當掩膜板的鏤空區(qū)的數(shù)量小于第一圖案區(qū)的數(shù)量時，本發(fā)明可以在一次熱蒸鍍制程之后，水平移動掩膜板至預定區(qū)域，再次進行熱蒸鍍制程。根據(jù)第一阻擋層所設計的第一圖案區(qū)和第二圖案區(qū)的圖形和數(shù)量來確定移動的距離和次數(shù)，從而形成具有預定圖案的導熱層。

當然，本發(fā)明還可以采用ald方法或sputtering方法，并結(jié)合所述掩膜板形成具有預定圖案的導熱層。

并且，導熱層的制造材料還可以為銅、金、鋁及其合金。

s95：在導熱層的第一圖案區(qū)形成緩沖層。

緩沖層可以僅形成于導熱層的第一圖案區(qū)，此時緩沖層的厚度與導熱層的厚度相同。當然，緩沖層也可以同時覆蓋導熱層的第一圖案區(qū)和第二圖案區(qū)，即緩沖層為完全覆蓋導熱層的一整面結(jié)構(gòu)。

緩沖層的制造材料可以為有機物，例如環(huán)氧樹脂、硅基聚合物、pmma。本發(fā)明無需掩膜板即可形成所述緩沖層，從而節(jié)省掩膜板的設計與生產(chǎn)成本，從而降低整個封裝組件的生產(chǎn)與制造成本。例如對于粘度為5～100cps的環(huán)氧樹脂溶液，本發(fā)明可以采用噴墨打印方法、odf方法和噴嘴印刷方法中的任一種，將環(huán)氧樹脂溶液滴注于導熱層的第一圖案區(qū)，而后在80～100℃的環(huán)境中放置60～90分鐘，從而固化形成緩沖層。當然，本發(fā)明也可以采用uv固化方式對環(huán)氧樹脂溶液進行固化，以形成緩沖層。

s96：在緩沖層和導熱層上覆蓋第二阻擋層。

該第二阻擋層的制造材料可以與第一阻擋層的制造材料相同。本發(fā)明無需掩膜板即可形成所述第二阻擋層，例如采用odf方法、噴墨打印方法和噴嘴印刷方法中的任一種形成第二阻擋層，以節(jié)省成本。

第二阻擋層遠離緩沖層的一面可以為光滑平面。在第二阻擋層遠離緩沖層的一面貼附保護膜或具有觸控功能的觸控膜時，本發(fā)明不會在光滑平面與保護膜或觸控膜的貼附處出現(xiàn)微小的溝壑，從而能夠避免在oled器件顯示時出現(xiàn)bubble。

上述oled器件的封裝方法可用于制得具有圖2所示結(jié)構(gòu)的封裝組件，因此具有與其相同的有益效果。

以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，例如各實施例之間技術特征的相互結(jié)合，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。