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本發(fā)明涉及顯示裝置，具體涉及一種顯示面板及顯示裝置。、在顯示面板的工藝制程中，為提高生產(chǎn)效率，通常會(huì)在一塊面積較大的顯示母板分別制作出多個(gè)顯示面板(如圖所示)，然后沿切割線對(duì)顯示母板進(jìn)行切割以分離出多個(gè)獨(dú)立的顯示面板。由于顯示母板的整體加工成本相對(duì)固定，因此單張顯示母板上排布的顯示面板數(shù)量...

本發(fā)明涉及光電探測(cè)器，特別是涉及一種光電探測(cè)器及制備方法。、近年來(lái)，mos作為一種典型的二維過(guò)渡金屬硫化物（tmd），憑借其可調(diào)帶隙（.-.ev）、高載流子遷移率、薄層強(qiáng)光-物質(zhì)相互作用等特點(diǎn)，已成為可見(jiàn)光和近紅外光電探測(cè)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。然而，單一mos器件在紫外波段響應(yīng)能力較弱，其高光電...

本發(fā)明涉及照明，尤其涉及一種多色溫筒燈和多色溫筒燈的智能控制方法。、目前傳的筒燈通常采用單一色溫、固定功率的光源，只能在某一固定色溫下工作，無(wú)法滿足不同場(chǎng)景和用戶對(duì)色溫、亮度的多樣化需求。、此外，為了實(shí)現(xiàn)節(jié)能的目標(biāo)，目前采用紅外感應(yīng)和聲音感應(yīng)筒燈來(lái)檢測(cè)人體活動(dòng)，通過(guò)人體活動(dòng)控制筒燈點(diǎn)亮。但...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種soi器件的制備方法。、在現(xiàn)代半導(dǎo)體制造中，soi技術(shù)因其在高性能、低功耗和高集成度器件中的顯著優(yōu)勢(shì)而被廣泛應(yīng)用。soi技術(shù)的核心環(huán)節(jié)是通過(guò)鍵合工藝將頂層襯底和底層襯底緊密結(jié)合，并將這兩層襯底精準(zhǔn)減薄至目標(biāo)厚度，以形成高質(zhì)量的絕緣層和有源層。傳統(tǒng)soi工藝采用...

本發(fā)明涉及燈具，特別涉及一種無(wú)源動(dòng)能開(kāi)關(guān)與燈具的配對(duì)方法及系統(tǒng)。、當(dāng)前酒店照明智能化改造過(guò)程中，現(xiàn)有技術(shù)主要依賴燈具替換或單火線智能開(kāi)關(guān)部署，導(dǎo)致硬件成本激增且施工復(fù)雜。更為關(guān)鍵的是，現(xiàn)有無(wú)線配對(duì)方案存在兩大缺陷：一方面，信號(hào)空間定位精度不足，相鄰房間的無(wú)線信號(hào)干擾頻繁引發(fā)誤配對(duì)，迫使人工...

本發(fā)明屬于非易失性阻變存儲(chǔ)器，具體涉及一種基于gao/tio異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的模擬型憶阻器及其制備方法。、隨著信息時(shí)代的到來(lái)，數(shù)據(jù)信息呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)，這對(duì)計(jì)算機(jī)的處理和儲(chǔ)存能力提出了更高的要求。在傳統(tǒng)的馮諾依曼架構(gòu)中，計(jì)算單元（cpu）和存儲(chǔ)單元（內(nèi)存）是分開(kāi)的，二者之間的數(shù)據(jù)傳輸速度限制了計(jì)算...

本發(fā)明涉及中子發(fā)生器，具體為一種基于labview的脈沖中子發(fā)生器及狀態(tài)反饋系統(tǒng)。、中子管是將離子源、加速系統(tǒng)、靶及氣壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)密封在一陶瓷或玻璃管內(nèi)而形成的電真空器件。中子管與之匹配的儲(chǔ)存器電源、離子源電源、加速高壓電源及相應(yīng)的控制和檢測(cè)電路共同構(gòu)成小型中子發(fā)生器。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，便攜式...

本發(fā)明涉及功率放大器，特別涉及一種自適應(yīng)線性化偏置電路、射頻模組、芯片及電子設(shè)備。、隨著無(wú)線通信技術(shù)的飛速發(fā)展和不斷演進(jìn)，對(duì)于前端通信系統(tǒng)的要求也越來(lái)越高，比如在要求更高的吞吐量和線性度的同時(shí)，還要求更低的功耗。功率放大器作為無(wú)線發(fā)射機(jī)系統(tǒng)的重要組成部件，其性能對(duì)整個(gè)通信系統(tǒng)的性能有著決定...

本發(fā)明屬于電路板，具體的說(shuō)是一種模擬bga貼裝效果的電路板。、bga封裝技術(shù)是從插針網(wǎng)格陣列改良而來(lái)，是一種將某個(gè)表面以格狀排列的方式覆滿引腳的封裝法，在運(yùn)作時(shí)即可將電子訊號(hào)從集成電路上傳導(dǎo)至其所在的印刷電路板，在bga封裝下，在封裝底部處引腳是由錫球所取代，每個(gè)原本都是一粒小小的錫球固定...

本發(fā)明涉及物聯(lián)網(wǎng)管理，尤其涉及一種基層社會(huì)治理用的物聯(lián)網(wǎng)管理裝置。、在社會(huì)治理過(guò)程中，需要使用各種各樣的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，因此需要管理裝置對(duì)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備進(jìn)行管理，目前的物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)的設(shè)備(比如網(wǎng)關(guān))集中安裝在控制柜的內(nèi)部，利用柜體對(duì)物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)設(shè)備起到一個(gè)外部防護(hù)作用，由于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備需要不間斷的長(zhǎng)期運(yùn)...

本發(fā)明屬于電磁波吸收材料，涉及一種氮摻雜碳?xì)饽z及其制備方法和應(yīng)用。、隨著?g?通信、高頻雷達(dá)以及高功率電子器件的快速發(fā)展，電磁污染治理和軍事隱身的需求愈發(fā)迫切。在此背景下，碳?xì)饽z憑借其超低密度、高比表面積以及可調(diào)控的介電特性，成為電磁波吸收材料的理想之選。其獨(dú)特三維多孔結(jié)構(gòu)，能夠借助多...

本發(fā)明涉及海底散熱，尤其涉及一種基于海浪潮汐流的海洋數(shù)據(jù)中心散熱裝置。、當(dāng)前，海底數(shù)據(jù)中心散熱技術(shù)主要依賴于泵驅(qū)的海水直接冷卻或間接液冷循環(huán)系統(tǒng)。典型結(jié)構(gòu)包括密封艙體內(nèi)的服務(wù)器集群、與服務(wù)器熱源直接接觸的液冷管路、海水循環(huán)泵組以及外部熱交換器。其原理是通過(guò)內(nèi)部循環(huán)工質(zhì)吸收設(shè)備產(chǎn)生的熱量，再...

本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池，尤其涉及一種鈣鈦礦前驅(qū)液混合溶劑、鈣鈦礦前驅(qū)液及鈣鈦礦吸收層制備方法。、太陽(yáng)能光伏組件經(jīng)過(guò)年的發(fā)展分為第一代晶體硅太陽(yáng)能電池，第二代半導(dǎo)體化合物薄膜電池以及第三代鈣鈦礦太陽(yáng)能電池。太陽(yáng)能電池的技術(shù)迭代是降低度電成本的重要途徑之一，但隨著鈣鈦礦產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程的持續(xù)深化，提效...

本發(fā)明涉及海底散熱，具體的說(shuō)是一種適用于海底數(shù)據(jù)中心的防泄露風(fēng)液同源散熱系統(tǒng)。、當(dāng)前，海底數(shù)據(jù)中心散熱技術(shù)主要依賴于泵區(qū)的海水直接冷卻或間接液冷循環(huán)系統(tǒng)。典型結(jié)構(gòu)包括密封艙體內(nèi)的服務(wù)器集群、與服務(wù)器熱源直接接觸的液冷管路、海水循環(huán)泵組以及外部熱交換器。其原理是通過(guò)內(nèi)部循環(huán)工質(zhì)(如水或氟化液...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制備領(lǐng)域，尤其涉及一種垂直溝道晶體管的制備方法及垂直溝道晶體管結(jié)構(gòu)。、在nm節(jié)點(diǎn)及更小的制程下，垂直溝道晶體管相比水平溝道晶體管展現(xiàn)出諸多優(yōu)勢(shì)。由于垂直溝道晶體管的溝道垂直于襯底表面，因此在相同的芯片面積內(nèi)可以集成更多的晶體管，從而節(jié)省芯片面積。此外，垂直結(jié)構(gòu)允許更長(zhǎng)的通道...

本發(fā)明涉及熱電材料和器件，具體涉及一種單原子層ⅳ–ⅵ族納米帶熱電器件制備方法。、熱電材料通過(guò)塞貝克效應(yīng)或帕爾貼效應(yīng)實(shí)現(xiàn)熱能與電能的直接轉(zhuǎn)換，為廢熱回收和可持續(xù)能源利用提供了重要途徑。熱電性能由無(wú)量綱熱電優(yōu)值(zt)衡量，zt值取決于材料的電導(dǎo)率、熱導(dǎo)率和塞貝克系數(shù)。iv-ⅵ族半導(dǎo)體材料(如...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，具體涉及一種開(kāi)關(guān)組件及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。、半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)正在逐步取代氣體開(kāi)關(guān)成為脈沖功率裝置的放電開(kāi)關(guān)，但是半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的工作電壓低于氣體開(kāi)關(guān)，需要多級(jí)串聯(lián)使用以滿足耐壓要求。采用傳統(tǒng)功率模塊封裝結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的串聯(lián)開(kāi)關(guān)模塊寄生電感較大，無(wú)法滿足脈沖功率應(yīng)用中對(duì)于的快前沿要求，一些先進(jìn)的...

本發(fā)明涉及電子電路，尤其涉及一種輸出接口電路。、輸入輸出（i/o，input/output?interface）接口電路作為芯片與外部設(shè)備交互的關(guān)鍵模塊，通常設(shè)置于芯片外圍區(qū)域。傳統(tǒng)的輸出接口電路通常通過(guò)大尺寸的pmos驅(qū)動(dòng)管以及大尺寸的nmos驅(qū)動(dòng)管提供較高驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電流。、在傳統(tǒng)的輸出...

本發(fā)明涉及電路板制造，具體而言，涉及一種用于智能攝像機(jī)的pcb板及其制備方法。、隨著科技的進(jìn)步，智能攝像機(jī)被廣泛應(yīng)用于工業(yè)及制造業(yè)等，然而，智能攝像機(jī)的pcb板的主控芯片在運(yùn)行時(shí)，會(huì)產(chǎn)生大量的熱量，這些熱量會(huì)迅速傳導(dǎo)至整個(gè)pcb板。由于pcb板的熱量難以進(jìn)行散發(fā)，導(dǎo)致熱量在pcb板上積聚，...

本發(fā)明涉及自旋半導(dǎo)體電子器件領(lǐng)域，尤其涉及一種磁性二維gan材料及其電磁性質(zhì)的調(diào)控和模擬方法。、gan是一種第三代半導(dǎo)體材料，由ga和n原子組成，屬于ⅲ-ⅴ族化合物，具有寬禁帶(.ev)、高電子遷移率、直接帶隙結(jié)構(gòu)等特點(diǎn)。二維gan是傳統(tǒng)三維gan材料的原子級(jí)薄層形態(tài)，僅由一層或幾層ga原...