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電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
  • 一種汽車用塑電一體化的觸控內(nèi)頂燈控制面板及制造方法與流程
    本發(fā)明涉及車內(nèi)照明,尤其涉及一種汽車用塑電一體化的觸控內(nèi)頂燈控制面板及制造方法。、在現(xiàn)有技術(shù)中,車內(nèi)照明控制系統(tǒng)主要依賴于傳統(tǒng)的機(jī)械式開關(guān),現(xiàn)有控制開關(guān)存在如下問題:.首先,機(jī)械式開關(guān)在靈敏度和響應(yīng)速度上不如電子觸控開關(guān),這限制了用戶體驗(yàn)。.機(jī)械式開關(guān)的耐用性問題也是一個(gè)考慮因素,因?yàn)樵陂L...
  • 一種具有階梯LTO的LDMOS器件及其制造方法
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路,具體是一種具有階梯lto的ldmos器件及其制造方法。、功率集成電路和功率器件對人們的生活和科學(xué)技術(shù)的發(fā)展起到了至關(guān)重要的作用,橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(ldmos)是功率器件的重要部分,同時(shí)也是bcd工藝的核心器件。由于其擁有高耐壓和低導(dǎo)通電阻的優(yōu)...
  • 液冷裝置及PCB散熱系統(tǒng)的制作方法
    本申請涉及散熱,尤其涉及一種液冷裝置。、在半導(dǎo)體測試設(shè)備行業(yè),pcb板上同型號大功率芯片要實(shí)現(xiàn)高密度高功耗,芯片溫度均溫要求散熱。業(yè)界普遍使用液冷板散熱。要實(shí)現(xiàn)高密度高功耗,同時(shí)滿足芯片溫度均溫困難。在pcb上布局同型號芯片比較多的情況下(兩位數(shù)以上),需要芯片散熱均溫要求。在散熱裝置中,...
  • 用于機(jī)場行李提取的引導(dǎo)照明方法、裝置及系統(tǒng)與流程
    本發(fā)明涉及機(jī)場照明,特別涉及一種用于機(jī)場行李提取的引導(dǎo)照明方法、裝置及系統(tǒng)。、在現(xiàn)代航空旅行中,行李提取是旅客行程中不可或缺但往往體驗(yàn)欠佳的環(huán)節(jié)。航空旅客在完成飛行抵達(dá)目的地后,其行李提取流程通常遵循一個(gè)傳統(tǒng)且高度依賴人工識別的模式。該模式主要包括以下步驟:旅客前往指定的行李提取大廳,通過...
  • 微機(jī)電諧振器件的制作方法
    本發(fā)明涉及微機(jī)電,尤其涉及一種微機(jī)電諧振器件。、mems(micro-electro-mechanical?systems,微機(jī)電系統(tǒng))諧振器通常采用半導(dǎo)體硅加工或soi(silicon?oninsulator,絕緣體上硅技術(shù))工藝,通過刻蝕形成諧振結(jié)構(gòu),支持晶圓級批量生產(chǎn)。該技術(shù)利用硅基...
  • 一種大功率雙重耦合檢波限幅電路
    本發(fā)明屬于微波限幅器領(lǐng)域,具體涉及一種大功率雙重耦合檢波限幅電路。、微波限幅器是射頻領(lǐng)域一種重要的前端防護(hù)器件,用于保護(hù)敏感的射頻關(guān)鍵組件,如低噪聲放大器等。其核心功能為自動衰減過大的射頻功率注入,而在小功率注入時(shí),限幅器保持低的插入損耗能夠使信號正常通過。在限幅電路的設(shè)計(jì)中,前級耦合器的...
  • 控制裝置、控制方法與電子設(shè)備與流程
    本發(fā)明實(shí)施例涉及硬件領(lǐng)域,具體而言,涉及一種控制裝置、控制方法與電子設(shè)備。、在相關(guān)技術(shù)中,設(shè)備中的控制裝置通常是通過旋鈕按鍵調(diào)節(jié)功能菜單實(shí)現(xiàn)各個(gè)功能,旋鈕按鍵多數(shù)為機(jī)械式編碼器,或者是基于霍爾感應(yīng)式的編碼器器件。機(jī)械式編碼器依賴于金屬觸點(diǎn)與金屬片之間的接觸來產(chǎn)生信號,輸出信號可能存在抖動造...
  • 一種基于溝道深電極的氮化鎵雙向器件及其制備方法
    本發(fā)明屬于半導(dǎo)體,具體涉及一種基于溝道深電極的氮化鎵雙向器件及其制備方法。、氮化鎵gan基?hemt被廣泛應(yīng)用于電源,汽車電子,g通訊等領(lǐng)域。gan材料具有良好的物理和電學(xué)特性,如耐高溫,抗輻射,寬禁帶,較高的擊穿電場,較大的電子飽和漂移速度等。這使得gan基hemt具有高開關(guān)頻率、高功率...
  • 半導(dǎo)體器件及其形成方法與流程
    本申請的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件及其形成方法。、半導(dǎo)體集成電路(ic)行業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)級增長。集成電路材料和設(shè)計(jì)的技術(shù)進(jìn)步產(chǎn)生了幾代集成電路,每一代集成電路都比上一代更小、更復(fù)雜。在ic演進(jìn)期間,功能密度(即每個(gè)芯片面積的互連器件數(shù)量)通常會增加,而幾何尺寸(即,使用制造工藝可以創(chuàng)建的最小組件(...
  • 形成半導(dǎo)體器件的方法與流程
    本申請的實(shí)施例涉及形成半導(dǎo)體器件的方法。、半導(dǎo)體器件用于各種電子應(yīng)用中,諸如例如,個(gè)人計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和其它電子設(shè)備。半導(dǎo)體器件通常通過在半導(dǎo)體襯底上方依次沉積絕緣層或介電層、導(dǎo)電層和半導(dǎo)體材料層以及使用光刻圖案化各個(gè)材料層以在其上形成電路組件和元件來制造。、半導(dǎo)體工業(yè)通過不斷減小最...
  • 一種高亮度集成式Micro-LED顯示模組
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)領(lǐng)域,主要涉及一種高亮度集成式micro-led顯示模組。、micro-led顯示是極具競爭力的下一代顯示技術(shù),在ar顯示、車載透明顯示應(yīng)用中展現(xiàn)出了顯著的性能優(yōu)勢。上述應(yīng)用的共同特點(diǎn)是micro-led顯示模組提供的顯示畫面要在環(huán)境光的背景中進(jìn)行顯示,這就要求mi...
  • 改善互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器性能的方法與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體,特別是涉及一種改善互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器性能的方法。、cmos圖像傳感器因其低功耗、高集成度、低成本等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)、安防監(jiān)控、醫(yī)療成像、汽車電子等眾多領(lǐng)域。圖像傳感器的性能直接影響最終成像質(zhì)量,其中,暗電流是影響圖像質(zhì)量的一個(gè)關(guān)鍵因素。、暗...
  • 降低鍵合白邊寬度的方法與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體,特別是涉及一種降低鍵合白邊寬度的方法。、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)圖像傳感器(cis)是捕獲圖像的關(guān)鍵電子元件,廣泛應(yīng)用于手機(jī)、相機(jī)、安防監(jiān)控、醫(yī)療成像等領(lǐng)域。傳統(tǒng)的cis采用前照式(front-sideillumination,fsi)結(jié)構(gòu),光線需要穿過傳感器像素...
  • 具有集成電容的半導(dǎo)體芯片及其制備方法與流程
    本公開屬于半導(dǎo)體,特別涉及一種具有集成電容的半導(dǎo)體芯片及其制備方法。、半導(dǎo)體器件,是一種利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,而半導(dǎo)體芯片則是半導(dǎo)體器件的重要組成部分。、在相關(guān)技術(shù)中,存在一種耗盡型氮化鎵半導(dǎo)體器件,其并聯(lián)有電容,以達(dá)到電容補(bǔ)償?shù)哪康?。電容是?dú)立于半導(dǎo)體芯片的平...
  • 一種帶有能量回收的電磁加速器的加速電路和電磁加速器的制作方法
    本發(fā)明涉及一種帶有能量回收的電磁加速器的加速電路和電磁加速器,屬于電磁加速器領(lǐng)域。、電磁加速器的效率定義為負(fù)載發(fā)射動能除以電源提供的能量,現(xiàn)有電磁加速器存在效率低的問題,主要原因?yàn)樵诎l(fā)射結(jié)束后,電源的能量除了轉(zhuǎn)化為動能外,剩余大部分轉(zhuǎn)化為線圈加速器的熱量進(jìn)行耗散,不僅造成了能量的損失,還導(dǎo)...
  • 一種自動補(bǔ)液充壓裝置及方法與流程
    本發(fā)明涉及發(fā)電機(jī)補(bǔ)液,尤其是一種自動補(bǔ)液充壓裝置及方法。、水冷系統(tǒng)頻繁出現(xiàn)壓力偏低現(xiàn)象,直接導(dǎo)致發(fā)電機(jī)變頻器水冷系統(tǒng)的壓力波動幅度加劇。究其原因,主要涉及系統(tǒng)制冷劑泄漏、過濾器及蒸發(fā)器堵塞、膨脹閥開度異常等故障,同時(shí)水泵選型與系統(tǒng)需求不匹配也會加劇壓力不穩(wěn)定問題。傳統(tǒng)運(yùn)維模式下,需定期安排...
  • 具有高金屬填充覆蓋率的半導(dǎo)體芯片及其制備方法與流程
    本公開涉及半導(dǎo)體,特別涉及一種具有高金屬填充覆蓋率的半導(dǎo)體芯片及其制備方法。、hemt(high?electron?mobility?transistor,高電子遷移率晶體管)是一種異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管,其廣泛應(yīng)用于航空航天、通信技術(shù)、汽車電子和開關(guān)電源等領(lǐng)域,尤其在高功率和高頻應(yīng)用領(lǐng)域正受...
  • 半導(dǎo)體器件和形成該半導(dǎo)體器件的方法與流程
    本公開一般涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,更具體地,涉及具有背面(bs)接觸的半導(dǎo)體器件。、集成電路(ic)器件、芯片和/或塊可以從一個(gè)或更多個(gè)外部源(例如,電源和數(shù)據(jù)源)接收功率和數(shù)據(jù)信號作為操作的一部分。一些ic器件可以經(jīng)由正面(fs)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)來接收功率和數(shù)據(jù)信號。例如,ic器件可以包括fs電源分...
  • 光伏組件及其制備方法、用電裝置、發(fā)電裝置以及光伏系統(tǒng)與流程
    本申請涉及光伏,尤其是涉及一種光伏組件及其制備方法、用電裝置、發(fā)電裝置以及光伏系統(tǒng)。、這里的陳述僅提供與本申請有關(guān)的背景信息,而不必然構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)。、傳統(tǒng)的光伏組件中,在匯流條和金屬電極之間會設(shè)置絕緣層以將匯流條和金屬電極隔開。該方式可以使光伏組件內(nèi)部具有較好的絕緣性能。但是通常情況下絕緣...
  • 太陽能電池、電池組件和光伏系統(tǒng)的制作方法
    本申請屬于太陽能電池,尤其涉及太陽能電池、電池組件和光伏系統(tǒng)。、太陽能電池發(fā)電為一種可持續(xù)的清潔能源來源,其利用半導(dǎo)體p-n結(jié)的光生伏特效應(yīng)可以將太陽光轉(zhuǎn)化成電能。然而,太陽能電池的邊緣容易在運(yùn)輸?shù)倪^程中受到機(jī)械損傷,導(dǎo)致太陽能電池的邊緣出現(xiàn)崩邊、破碎、磨損等影響電池片性能或直接報(bào)廢的情況...
技術(shù)分類