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本申請(qǐng)涉及顯示，具體地涉及一種顯示面板及其驅(qū)動(dòng)方法、制作方法和電子設(shè)備。、oled(organic?light-emitting?diode，有機(jī)發(fā)光二極管)作為一種電流型發(fā)光器件，具有自發(fā)光、快速響應(yīng)、寬視角、以及可制作于柔性襯底等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛的應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域。相較于傳統(tǒng)oled顯...

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)中心結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種快速部署的多功能預(yù)制模塊化數(shù)據(jù)中心結(jié)構(gòu)。、數(shù)據(jù)中心是集中存放計(jì)算、存儲(chǔ)以及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的物理場所，用于管理和處理數(shù)據(jù)信息，能夠?yàn)楦黝惤M織提供必要的基礎(chǔ)設(shè)施以支持其信息技術(shù)需求，包括但不限于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、應(yīng)用托管、網(wǎng)絡(luò)服務(wù)等，隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型加速和云計(jì)算技術(shù)的發(fā)展，...

本申請(qǐng)涉及散熱控制，尤其涉及一種散熱系統(tǒng)、電子設(shè)備、散熱方法、產(chǎn)品及介質(zhì)。、隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，電子設(shè)備的功率密度和發(fā)熱量持續(xù)攀升，風(fēng)冷散熱方式已逐漸難以滿足高熱負(fù)載條件下的散熱需求。為此，散熱效能更高的液冷技術(shù)被廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。在現(xiàn)有液冷系統(tǒng)中，通常通過冷卻分發(fā)單元（cdu...

本申請(qǐng)涉及磁場墊補(bǔ)，具體涉及一種醫(yī)用回旋加速器等時(shí)性磁場墊補(bǔ)方法及系統(tǒng)。、醫(yī)用回旋加速器（medical?cyclotron）是一種用于產(chǎn)生高能粒子的設(shè)備，主要應(yīng)用于醫(yī)學(xué)中的放射治療和醫(yī)學(xué)影像領(lǐng)域。它通過加速帶電粒子（通常是質(zhì)子或離子）到極高的速度，進(jìn)而使這些粒子撞擊靶材，產(chǎn)生用于醫(yī)學(xué)診斷...

本公開涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種結(jié)型場效應(yīng)晶體管器件及其制備方法和電子設(shè)備。、結(jié)型場效應(yīng)晶體管（jfet），由于其結(jié)構(gòu)簡單，性能可靠，在傳統(tǒng)的硅（si）與寬禁帶半導(dǎo)體，如碳化硅（sic）、氮化鎵（gan）等材料的電子器件中被廣泛地作為電控開關(guān)結(jié)構(gòu)使用。jfet是一種單極型的電子器件，即在開態(tài)...

本發(fā)明屬于太陽電池，具體涉及一種鈣鈦礦同質(zhì)結(jié)太陽電池及其原位制備方法。、目前高效率的鈣鈦礦太陽電池都是基于平面結(jié)構(gòu)，在這種結(jié)構(gòu)中，鈣鈦礦層作為光吸收層被其兩側(cè)的電子和空穴傳輸層夾在中間，在入射光的作用下鈣鈦礦層內(nèi)部產(chǎn)生光生電子和空穴，電子和空穴在鈣鈦礦/電子傳輸層和鈣鈦礦/空穴傳輸層界面電...

本發(fā)明涉及貼片機(jī)領(lǐng)域，具體涉及一種轉(zhuǎn)塔式散料貼片機(jī)。、隨著現(xiàn)代電子元器件大步向微型化、集成化和高可靠性方向發(fā)展，特別是面對(duì)日益激烈的市場競爭，電子產(chǎn)品的生產(chǎn)與制造設(shè)備正朝著高速、高精度、智能化、多功能等全自化方向發(fā)展，散料貼片機(jī)是一種新型的貼片機(jī)，其可以不用編帶，直接用散裝元器件來進(jìn)行貼裝...

本發(fā)明屬于光電探測(cè)器，更具體地，涉及一種基于crgete的高靈敏光電探測(cè)器的制備方法和應(yīng)用。、技術(shù)背景、由于二維材料獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)，其被認(rèn)為是構(gòu)建新一代光電器件的理想候選材料，在光電探測(cè)器、發(fā)光二極管、光調(diào)制器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。隨著二維鐵磁材料crgete的發(fā)現(xiàn)，為傳統(tǒng)二維器...

本申請(qǐng)涉及光伏，尤其涉及一種太陽能電池以及光伏組件。、目前太陽電池作為新的能源替代方案，使用越來越廣泛。其中，光伏太陽電池是將太陽的光能轉(zhuǎn)換為電能的裝置。具體的，太陽電池利用光生伏特原理產(chǎn)生載流子，然后使用電極將載流子引出，從而利于將電能有效利用。、隨著光伏行業(yè)市場和產(chǎn)能的不斷擴(kuò)大，行業(yè)對(duì)...

本發(fā)明涉及線路板清潔設(shè)備，尤其涉及一種用于噴錫線路板生產(chǎn)用多角度清潔裝置。、噴錫線路板是一種在表面處理過程中采用噴錫工藝的印刷電路板（pcb），通過將熔融的錫鉛或無鉛錫合金噴射到pcb表面，形成一層均勻的錫層，以增強(qiáng)其焊接性能和可焊性，同時(shí)防止銅面氧化。噴錫工藝包括除油清潔、微蝕粗化、活化...

本申請(qǐng)涉及電路板制造，特別涉及一種電路板塞孔方法及電路板。、伴隨mini-led（mini?light-emitting?diode，迷你發(fā)光二極管）技術(shù)的不斷進(jìn)步，市場同化不斷加強(qiáng)，對(duì)供應(yīng)鏈的成本敏感度要求不斷提升。一方面隨著小間距顯示屏向更高分辨率發(fā)展，巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)、封裝技術(shù)和pcb（...

本發(fā)明涉及l(fā)ed顯示，特別涉及一種機(jī)架、led顯示裝置及l(fā)ed顯示設(shè)備。、led（light?emitting?diode，發(fā)光二極管）顯示屏是一種由led構(gòu)成的顯示裝置，通過控制led的亮度和顏色組合，從而呈現(xiàn)文字、圖像、視頻等內(nèi)容，在商業(yè)櫥窗等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。、相關(guān)技術(shù)中，對(duì)于大型...

本公開內(nèi)容是關(guān)于一種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)、一種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的制造方法，一種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的操作方法及一種存儲(chǔ)器陣列。、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamic?random?access?memory，dram)具有高密度、低成本、低功率耗損等優(yōu)點(diǎn)，故已廣泛地被使用。然而，隨著存儲(chǔ)器技術(shù)逐漸接近物理極限，傳統(tǒng)的...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種功率開關(guān)器件結(jié)構(gòu)及其制備方法。、所有功率開關(guān)器件的結(jié)構(gòu)均包含漂移區(qū)(driftregion)，該漂移區(qū)可以承受阻斷電壓(blocking?voltage)。圖a示出了具有傳統(tǒng)漂移區(qū)的功率開關(guān)器件的結(jié)構(gòu)，其包括漏極金屬層、位于所述漏極金屬層上的n型襯底、位于所述...

本申請(qǐng)屬于顯示，尤其涉及一種顯示面板和顯示裝置。、隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，對(duì)顯示裝置的性能要求越來越高，但常規(guī)顯示面板的透光率較低，從而影響了感光模組的工作良率，進(jìn)而影響了顯示面板的性能。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種顯示面板和顯示裝置，可提升顯示面板的透光率。、本申請(qǐng)實(shí)施例第一方面的實(shí)...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，具體而言，本申請(qǐng)涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子設(shè)備、隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，器件的關(guān)鍵尺寸日益縮小，單個(gè)芯片所包含的器件種類及數(shù)量隨之增加，使得工藝生產(chǎn)中的任何微小差異都可能對(duì)器件性能造成影響。、為了盡可能降低產(chǎn)品的成本，人們希望在有限的襯底上做出盡可能多的器件單元...

本申請(qǐng)涉及顯示，具體而言，涉及一種顯示面板、顯示面板的制備方法及電子設(shè)備。、有機(jī)發(fā)光二極管(organic?light?emitting?diode，oled)以及基于發(fā)光二極管(light?emitting?diode，led)等技術(shù)的平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)及其形成方法。、隨著半導(dǎo)體元件特征尺寸的不斷縮小，元件之間的隔離區(qū)域隨之也要進(jìn)行相應(yīng)的縮小，以防止相鄰的元件發(fā)生短路的現(xiàn)象。淺溝槽隔離(shallow?trench?isolation，sti)技術(shù)已成為目前的半導(dǎo)體器件制造中的主流隔離技術(shù)，隨著...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及電子裝置。、隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小，為了減少短溝道效應(yīng)(short-channeleffects，sce)以提升半導(dǎo)體器件的性能，半導(dǎo)體工藝逐漸從平面mosfet向具有更高功效的三維立體式的晶體管過渡，如鰭式場效應(yīng)晶體管...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件的形成方法。、隨著傳統(tǒng)金屬氧化物場效應(yīng)晶體管及鰭式場效應(yīng)晶體管尺寸的不斷微縮，邊界效應(yīng)和短溝道效應(yīng)越來越明顯，已不能滿足高性能、高可靠性和低功耗電子產(chǎn)品的需求。全包圍柵場效應(yīng)晶體管(gate?all?around?field-effect?t...