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本發(fā)明涉及低溫超導(dǎo)與射頻超導(dǎo)，特別是涉及一種用于超導(dǎo)加速單元的自適應(yīng)對(duì)心結(jié)構(gòu)。、超導(dǎo)加速單元是超導(dǎo)直線加速器中最重要的組成部分，能夠?yàn)槌瑢?dǎo)腔和螺線管組成的冷質(zhì)量串提供工作所需的k/k超低溫環(huán)境和絕熱真空，并使超導(dǎo)直線加速器具有束流準(zhǔn)直特性。一般來(lái)講，冷質(zhì)量串包含多個(gè)超導(dǎo)腔和螺線管，并通過(guò)支...

一種模擬信號(hào)壓縮采樣方法本發(fā)明屬于高速周期型信號(hào)采樣，更為具體地講，涉及一種能夠降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)難度的模擬信號(hào)壓縮采樣方法。壓縮采樣技術(shù)是一種基于壓縮感知理論的欠采樣方法。該技術(shù)利用周期型被測(cè)模擬信號(hào)經(jīng)傅立葉變換以后，僅有少量頻率成分具有顯著幅度，絕大部分的頻率成分的幅度為零的...

本申請(qǐng)涉及儲(chǔ)能領(lǐng)域，特別涉及一種能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)。、能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)是指將一種形式的能量轉(zhuǎn)換成另一種形式能量的設(shè)備或裝置集合。這種系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于電力、化工、汽車、航空航天等多個(gè)領(lǐng)域，其主要功能是實(shí)現(xiàn)能量的高效、可控轉(zhuǎn)換，以滿足特定的應(yīng)用需求。比如從直流電轉(zhuǎn)換為交流電的逆變器，從交流電轉(zhuǎn)換...

本發(fā)明涉及機(jī)電設(shè)備安裝，具體為一種智能融合終端的安裝結(jié)構(gòu)。、智能融合終端是一種集成了多種功能模塊、能實(shí)現(xiàn)跨網(wǎng)絡(luò)（如通信網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)、互聯(lián)網(wǎng)）、跨設(shè)備（如智能家居、傳感器、服務(wù)器）數(shù)據(jù)交互與控制的綜合性智能設(shè)備。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，它就像一個(gè)?“智能樞紐”，既能接收、處理各類信息，又能聯(lián)動(dòng)不同設(shè)備完成協(xié)...

本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體顯示芯片領(lǐng)域，具體涉及一種具有ag反射鏡的micro-led微顯示芯片及其制備方法。、隨著顯示器分辨率需求的提升，micro-led微顯示芯片的像素密度越來(lái)越高，像素尺寸不斷縮小。當(dāng)像素尺寸小于微米時(shí)，micro-led微顯示芯片的制造工藝面臨多重技術(shù)瓶頸。、在傳統(tǒng)大尺寸l...

本發(fā)明涉及芯片加工，具體為一種基于高精度固晶的miniled芯片貼裝方法及膠材優(yōu)化方法。、隨著miniled技術(shù)的快速發(fā)展，其在高端電視、電競(jìng)顯示器、ar/vr設(shè)備等領(lǐng)域的滲透率顯著提升，miniled芯片的微型化(尺寸<μm)和高密度封裝(像素間距<.mm)對(duì)固晶貼裝技術(shù)提出...

本發(fā)明涉及無(wú)線通訊，具體涉及一種基于靜電感應(yīng)晶體管的低噪聲放大器。、低噪聲放大器在射頻電路中起到重要作用，通常被用在射頻電路的第一級(jí)，緊跟在傳輸線之后，兼顧帶通濾波和放大的效果。低噪聲放大器通常有幾個(gè)重要指標(biāo)：噪聲系數(shù)(noise?figure)、功耗、線性度、增益、穩(wěn)定性以及阻抗匹配。噪...

本發(fā)明涉及電力系統(tǒng)自動(dòng)化及保護(hù)控制，尤其涉及一種基于卡爾曼濾波的行波采樣頻率時(shí)鐘矯正方法及系統(tǒng)。、目前，配電網(wǎng)行波測(cè)距通過(guò)判斷安裝位置采集到的行波突變點(diǎn)的故障時(shí)刻判斷故障位置，因此對(duì)于行波采樣的時(shí)間戳準(zhǔn)確性要求極高，尤其是電纜定位中，要求盡可能減小采樣時(shí)間戳標(biāo)記誤差。、目前通用做法是通過(guò)g...

本發(fā)明涉及質(zhì)子加速，尤其涉及一種強(qiáng)流質(zhì)子加速器的注入系統(tǒng)及涂抹方法。、目前，強(qiáng)流質(zhì)子加速器廣泛應(yīng)用于科學(xué)研究、工業(yè)應(yīng)用、醫(yī)療技術(shù)、能源開(kāi)發(fā)和國(guó)防安全等多個(gè)領(lǐng)域，尤其在利用散裂中子源產(chǎn)生的中子束研究材料性質(zhì)上具有重要應(yīng)用。由于注入束流功率高和粒子數(shù)密度大，強(qiáng)流質(zhì)子加速器的空間電荷效應(yīng)顯著，導(dǎo)...

本發(fā)明涉及芯片，尤其涉及一種低功耗異步握手電路和異步電路。、異步電路是一種不依賴于全局時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行操作的數(shù)字電路。異步電路數(shù)據(jù)傳輸和處理可以在任意時(shí)間點(diǎn)進(jìn)行，不受時(shí)鐘信號(hào)的限制，異步電路不依賴于全局時(shí)鐘信號(hào)，而是通過(guò)異步握手電路來(lái)協(xié)調(diào)各個(gè)組件的操作。現(xiàn)有的異步握手電路需要檢查觸發(fā)器的建立時(shí)...

本公開(kāi)涉及一種顯示裝置，更具體地，涉及一種包括具有多晶硅半導(dǎo)體的晶體管和具有氧化物半導(dǎo)體的晶體管的顯示裝置。、有機(jī)發(fā)光裝置包括兩個(gè)電極以及設(shè)置在這兩個(gè)電極之間的有機(jī)發(fā)射層，并且從一個(gè)電極注入的電子與從另一電極注入的空穴在有機(jī)發(fā)射層中結(jié)合以形成激子。激子從激發(fā)態(tài)躍遷至基態(tài)，以輸出能量并發(fā)光。...

本發(fā)明涉及柔性電路板，尤其是指一種柔性?shī)A具與圖像檢測(cè)相結(jié)合的柔性電路板加工系統(tǒng)及工藝。、柔性印制電路板（fpc），也叫柔性電路板，因其具有較好的柔韌性和輕薄特性，目前廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、可穿戴設(shè)備等高密度電子產(chǎn)品中。然而，在自動(dòng)化光學(xué)檢測(cè)（aoi）過(guò)程中，由于fpc的柔性特性，基材容易因機(jī)...

本申請(qǐng)涉及鐵磁性吸波材料，特別是涉及一種基于羰基鐵粉的復(fù)合吸波材料及其制備方法。、球形羰基鐵粉憑借高飽和磁化強(qiáng)度、優(yōu)異磁導(dǎo)率及溫度穩(wěn)定性，成為高性能吸波材料的重要候選材料。、然而，受snoek極限的制約，球形羰基鐵(sci)在.ghz頻段的磁導(dǎo)率實(shí)部(μ')普遍低于.，導(dǎo)致其在低頻段的磁損...

本發(fā)明涉及飛行數(shù)據(jù)譯碼領(lǐng)域，尤其是涉及一種飛行數(shù)據(jù)譯碼方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和設(shè)備。、飛行數(shù)據(jù)的監(jiān)控與分析對(duì)提升飛行安全、優(yōu)化飛機(jī)性能以及預(yù)測(cè)性維修有至關(guān)重要的作用。、在早期，飛行數(shù)據(jù)的記錄與分析主要依賴于飛行數(shù)據(jù)記錄器(fdr)和駕駛艙語(yǔ)音記錄器(cvr)。這些設(shè)備在事故調(diào)查中發(fā)揮了重要作...

本發(fā)明涉及民航設(shè)備安裝，具體涉及一種民航電子設(shè)備的彈出機(jī)構(gòu)。、民航飛機(jī)一些電子設(shè)備的手持終端需要嵌入式卡裝，并設(shè)置相應(yīng)的彈出機(jī)構(gòu)，比如乘客單元設(shè)備（pu）、駕駛艙話機(jī)、客艙話機(jī)等設(shè)備。傳統(tǒng)的此類設(shè)備的彈出機(jī)構(gòu)有如下問(wèn)題：（）手持終端的彈出速度不足，導(dǎo)致不能有效手持設(shè)備，設(shè)備彈出失??；（）彈...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件的制備方法。、目前，在半導(dǎo)體器件的制備中，尤其是操作電壓為v～v的sram(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)的制備中，一般在襯底上沉積形成多晶硅層后，在多晶硅層上依次形成氧化硅層和氮化硅層，氮化硅層作為后續(xù)離子注入工藝的阻擋層，氮化硅層的厚度較厚約為進(jìn)而，對(duì)多晶硅層...

本發(fā)明涉及射頻集成電路，特別是涉及一種k波段低相位噪聲的c類壓控振蕩器、一種鎖相環(huán)及一種k波段低相位噪聲的芯片。、隨著毫米波通信、衛(wèi)星導(dǎo)航及雷達(dá)探測(cè)技術(shù)的快速發(fā)展，k波段(-ghz)無(wú)線系統(tǒng)對(duì)核心頻率源提出了更嚴(yán)苛的要求。壓控振蕩器(vco)作為頻率合成器的核心模塊，其相位噪聲性能直接決定...

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造領(lǐng)域；特別是，涉及一種ldmos晶體管及其制作方法。、在具有高壓結(jié)構(gòu)的集成電路中，常用高壓橫向雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管(ldmos)來(lái)實(shí)現(xiàn)耐壓、功率控制等方面的要求。對(duì)于ldmos而言，導(dǎo)通電阻和擊穿電壓是其重要的性能參數(shù)指標(biāo)，一般地，通過(guò)增加漂移區(qū)的長(zhǎng)度提高擊穿電壓，這...

本發(fā)明屬于集成電路，具體涉及一種超短溝道二維半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法。、傳統(tǒng)的光刻技術(shù)根據(jù)瑞利判據(jù)受著數(shù)值孔徑和光波長(zhǎng)限制而不能做到亞納米尺寸的溝道圖形。盡管高數(shù)值孔徑極紫外光刻（high-na?euv）技術(shù)的進(jìn)步已瞄準(zhǔn)納米特征尺寸，其工藝能力仍無(wú)法滿足亞納米溝道長(zhǎng)度的的制造需求。同...

本發(fā)明涉及模擬集成電路領(lǐng)域，尤其涉及一種基于buffer-in-loop的新型誤差反饋噪聲整形sar?adc電路結(jié)構(gòu)。、噪聲整形sar模數(shù)轉(zhuǎn)換器結(jié)合了delta-sigma?adc和sar?adc的優(yōu)勢(shì)，以過(guò)采樣換取量化噪聲和比較器噪聲的減小，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，數(shù)字化程度高，低功耗和高能效等特...