本發(fā)明主張美國(guó)第/,號(hào)專利申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)(即優(yōu)先權(quán)日為“年月日”),其內(nèi)容以全文引用的方式并入本文中。本公開涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法及通過該方法所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。特別是,本公開尤其涉及一種用于制造凹陷化的存取結(jié)構(gòu)的平坦表面的制備方法以及該結(jié)構(gòu)。、半導(dǎo)體裝置用于多種電子應(yīng)用,例如,個(gè)人...