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本發(fā)明屬于新型光伏太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，具體涉及一種含鉛螯合聚合物空穴傳輸層的鈣鈦礦薄膜及太陽(yáng)能電池及其制備方法。、反式p-i-n型鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(pscs)因其可低溫制備、工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)勢(shì)目前已經(jīng)取得了相當(dāng)大的進(jìn)展，并且可以與n-i-p型鈣鈦礦太陽(yáng)能電池相媲美，能量轉(zhuǎn)換效率已超過(guò)％。但是相比于...

本申請(qǐng)涉及線路板的制作技術(shù)，具體涉及一種高散熱埋銅管線路板的制作方法。、隨著科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，高可靠性需求場(chǎng)景：如民用航天、軍工等領(lǐng)域傳統(tǒng)的散熱解決方案已經(jīng)不能滿(mǎn)足散熱性要求，在技能滿(mǎn)足高散熱又可以兼顧高可靠性方面，市場(chǎng)的產(chǎn)品需求越來(lái)越大，隨著民用航天領(lǐng)域及低空經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，迫切需要發(fā)明一...

本公開(kāi)總體上涉及等離子體處理裝置及其使用方法。、等離子體裝置在醫(yī)學(xué)上用于外科手術(shù)和消毒技術(shù)。在醫(yī)學(xué)之外，在工業(yè)應(yīng)用中，等離子體裝置用于生產(chǎn)薄膜涂層，諸如聚合物涂層。用等離子體裝置沉積聚合物的方法通常依賴(lài)于前體的存在，在沉積過(guò)程中該前體可以在等離子體中反應(yīng)形成聚合物涂層。此類(lèi)條件可能引發(fā)聚合...

本技術(shù)涉及smt貼片，具體為一種smt料盤(pán)上料機(jī)構(gòu)。、smt的意思是表面組裝技術(shù)，smt貼片指的是在pcb基礎(chǔ)上進(jìn)行加工的系列工藝流程，pcb為印刷電路板，smt料盤(pán)為放置印刷電路板的放置盒，smt在生產(chǎn)過(guò)程中需要使用料盤(pán)進(jìn)行轉(zhuǎn)運(yùn)，進(jìn)而需要使用上料機(jī)構(gòu)將電路板裝入料盤(pán)內(nèi)，現(xiàn)有的上料機(jī)構(gòu)為自...

本發(fā)明涉及飛秒激光加工制造，具體涉及一種鈣鈦礦埋底界面的飛秒激光加工方法。、太陽(yáng)能技術(shù)以其突破性進(jìn)展成為關(guān)鍵支撐-新一代光伏電池突破％的效率瓶頸，柔性組件與建筑材料的深度融合催生萬(wàn)億級(jí)建筑光伏一體化(bipv)市場(chǎng)，智能運(yùn)維與儲(chǔ)能技術(shù)的協(xié)同創(chuàng)新更賦予光伏電站媲傳統(tǒng)電力系統(tǒng)的供電穩(wěn)定性。其中...

本發(fā)明涉及模擬直接頻率合成領(lǐng)域，具體涉及一種小步進(jìn)模擬直接頻率合成系統(tǒng)及方法。、本節(jié)中的陳述僅提供與本公開(kāi)相關(guān)的背景信息，并且可能不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)。、切換時(shí)間指標(biāo)對(duì)頻率合成方式的初步選擇起著決定性作用。、各種頻率合成方式中，間接頻率合成可實(shí)現(xiàn)小步進(jìn)，切換時(shí)間為us量級(jí)。以dds為主的數(shù)字直接...

本技術(shù)涉及液冷，特別涉及一種連接器及浸沒(méi)式液冷系統(tǒng)。、當(dāng)前，單相浸沒(méi)液冷技術(shù)以服務(wù)器直接浸泡在機(jī)柜內(nèi)為主，服務(wù)器內(nèi)部與機(jī)柜內(nèi)部并不連通，而是通過(guò)流體大量沖刷的方式來(lái)對(duì)服務(wù)器進(jìn)行散熱。然而，隨著服務(wù)器內(nèi)部芯片的數(shù)量增多，芯片的功耗提高，當(dāng)前的浸沒(méi)液冷技術(shù)已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足服務(wù)器的散熱需求。、為了解...

本發(fā)明涉及印刷線路板領(lǐng)域，具體而言，涉及一種埋容線路板的制作方法及線路板。、當(dāng)前高頻服務(wù)器電路板設(shè)計(jì)中，表面貼裝分立電容的密集排布導(dǎo)致電磁干擾劇增、電源平面阻抗失控及布線空間不足。埋容技術(shù)雖能通過(guò)基板集成電容改善性能，但面臨核心缺陷：埋容材料容值精度與產(chǎn)品需求失配。傳統(tǒng)方法無(wú)法在材料進(jìn)料階...

本技術(shù)涉及終端顯示屏，更具體地說(shuō)，本技術(shù)涉及一種用于監(jiān)測(cè)運(yùn)動(dòng)數(shù)據(jù)的終端顯示屏。、用于監(jiān)測(cè)運(yùn)動(dòng)數(shù)據(jù)的終端顯示屏通常指的是集成了先進(jìn)技術(shù)的顯示屏，如智慧體育屏、智慧步道終端大屏以及智慧跑道大屏。這些顯示屏通過(guò)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集、處理、分析和展示等功能，為教練、運(yùn)動(dòng)員、健身愛(ài)好者等提供直觀、全面的運(yùn)動(dòng)...

本申請(qǐng)涉及磁隨機(jī)存儲(chǔ)器(mram)設(shè)計(jì)領(lǐng)域，具體指一種包含在線學(xué)習(xí)類(lèi)腦芯片的自旋軌道矩磁隨機(jī)存儲(chǔ)器(spin?orbit?torque?mram，sot-mram)結(jié)構(gòu)的用于在線學(xué)習(xí)類(lèi)腦芯片的磁隨機(jī)存儲(chǔ)器。、類(lèi)腦芯片是一種模擬大腦神經(jīng)元連接與突觸傳遞機(jī)制的硬件系統(tǒng)，它通過(guò)模仿生物神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的...

本技術(shù)實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體裝置。、半導(dǎo)體集成電路(ic)產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)級(jí)成長(zhǎng)。ic材料和設(shè)計(jì)的技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)產(chǎn)生了一代又一代的ic，其中每一代的電路都比上一代更小、更復(fù)雜。在ic的發(fā)展過(guò)程中，功能密度(即每個(gè)晶片面積的互連裝置的數(shù)量)普遍增加，而幾何尺寸(即可使用制造過(guò)程創(chuàng)建的最小組件(或線...

本發(fā)明屬于光電探測(cè)，具體涉及一種自組裝線偏振光電探測(cè)器及其制備方法。、偏振是光的一種獨(dú)特特性，表示振動(dòng)方向和傳播方向的不平衡。這一特性使偏振能夠傳遞和區(qū)分光信息，從而促進(jìn)偏振光檢測(cè)、偏振成像和安全通信等應(yīng)用。根據(jù)光學(xué)振動(dòng)狀態(tài)，光可以分為橢圓偏振光、圓偏振光、線偏振光、部分偏振光和自然光。其...

本技術(shù)涉及感應(yīng)加熱，更具體地說(shuō)，涉及一種感應(yīng)加熱裝置。、感應(yīng)加熱是一種使工件內(nèi)部產(chǎn)生感應(yīng)電流，迅速加熱工件表面的方法，廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域需要快速、均勻有效加熱的應(yīng)用場(chǎng)景。、在實(shí)際生產(chǎn)的過(guò)程中，感應(yīng)器加熱工件時(shí)，受加熱溫度、加熱速度以及周?chē)h(huán)境的影響，工件和空氣接觸會(huì)產(chǎn)生氧化皮，氧化皮脫落就...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，特別涉及降低介電層中的氟殘留物濃度的結(jié)構(gòu)與方法。、半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)歷指數(shù)成長(zhǎng)。集成電路材料與設(shè)計(jì)的技術(shù)進(jìn)展使每一代的集成電路比前一代具有更小且更復(fù)雜的電路。在集成電路演進(jìn)中，功能密度(即單位晶片面積的內(nèi)連線裝置數(shù)目)通常隨著幾何尺寸(即采用的制作工藝所能產(chǎn)生...

本發(fā)明涉及一種gan?hemt功率半導(dǎo)體外延晶圓以及制造該gan?hemt功率半導(dǎo)體外延晶圓的方法，其中，引入了三維氮化物結(jié)構(gòu)，以改善散熱特性和外延晶體質(zhì)量。、通過(guò)在具有高傳熱性質(zhì)的電絕緣碳化硅(sic)或硅(si)基底上淀積膜來(lái)制造ganhemt外延晶圓，該gan?hemt外延晶圓用作作...

本教導(dǎo)一般涉及光電子半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，如太陽(yáng)能電池、光探測(cè)器等，在本文中廣泛稱(chēng)為太陽(yáng)能電池，更具體地說(shuō)，涉及異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制造方法。、太陽(yáng)能電池是一種光伏(pv)裝置，其能夠通過(guò)光伏效應(yīng)將入射光能，特別是太陽(yáng)能(太陽(yáng)光)轉(zhuǎn)換為電能。由于對(duì)污染、能源安全和可用資源有限的擔(dān)憂，對(duì)太陽(yáng)能電池的興...

本技術(shù)涉及電子器件領(lǐng)域，特別涉及一種具有條狀電極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。、在很多半導(dǎo)體器件中，比如傳統(tǒng)的單向耐壓的橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管（gan?high?electron?mobility?transistor，gan?hemt）器件中都存在三個(gè)電極：源極（source）、柵極（gate...

、本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，并且可以被適當(dāng)?shù)赜糜诶绨▌?shì)壘金屬層和形成在接觸孔中的接觸插塞的半導(dǎo)體器件及其制造方法。、下面列出了所公開(kāi)的技術(shù)。、[專(zhuān)利文獻(xiàn)]日本特開(kāi)第-號(hào)公報(bào)、專(zhuān)利文獻(xiàn)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件，其包括勢(shì)壘金屬層和形成在接觸孔中的接觸插塞。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、在專(zhuān)利文獻(xiàn)中公開(kāi)...

本發(fā)明涉及一種oled像素形成用掩模與框架的連接體中使用的框架及其制造方法。更詳細(xì)地，涉及一種oled像素形成用掩模與框架的連接體中使用的框架及其制造方法，該框架在掩模與框架的連接體中使用，該連接體具有形成有高分辨率的掩模圖案的掩模，能夠無(wú)變形且穩(wěn)定地形成掩模，能夠使各掩模單元之間的對(duì)準(zhǔn)(alig...

本公開(kāi)涉及一種用于顯示裝置的制造設(shè)備和方法。、隨著信息社會(huì)的進(jìn)步，對(duì)用于顯示圖像的顯示裝置的需求正以各種形式增加。例如，顯示裝置正被應(yīng)用于諸如智能電話、數(shù)碼相機(jī)、膝上型計(jì)算機(jī)、導(dǎo)航系統(tǒng)和智能電視的各種電子裝置。、正在使用各種類(lèi)型的顯示裝置，例如液晶顯示器(lcd)和有機(jī)發(fā)光二極管(oled...