光電轉(zhuǎn)換元件模塊及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及光電轉(zhuǎn)換元件模塊及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來(lái)，作為解決地球溫暖化問(wèn)題的手段，不使用化石燃料而使用作為可再生能 源之一的太陽(yáng)能的太陽(yáng)光發(fā)電技術(shù)受到關(guān)注。該太陽(yáng)光發(fā)電技術(shù)中，色素敏化型太陽(yáng)能電 池W與葉綠素色素進(jìn)行的光誘導(dǎo)電子轉(zhuǎn)移相同的機(jī)理發(fā)電，因此作為擔(dān)負(fù)廉價(jià)且高性能的 屋頂式的下一代的太陽(yáng)能電池之一而備受矚目。
[0003] 運(yùn)樣的色素敏化型太陽(yáng)能電池的一般的構(gòu)成是基板、第一電極、擔(dān)載有敏化色素 的半導(dǎo)體層（光電轉(zhuǎn)換層）、空穴輸送層、W及第二電極依次層疊的構(gòu)成。例如，作為色素敏 化型太陽(yáng)能電池的技術(shù)，可舉出國(guó)際公開第2005/078853號(hào)。該國(guó)際公開第2005/078853 號(hào)中，公開了將在被覆滲氣氧化錫的透明導(dǎo)電性玻璃板上擔(dān)載有銷的第二電極作為電解用 對(duì)置電極，在該電極面的中屯、部分留出規(guī)定大小的銷部，將其余部分用酷亞胺系樹脂膠帶 掩蔽后，浸潰于含有苯胺、氣棚酸的酸性水溶液中，W規(guī)定的電流密度通電，由此在對(duì)置電 極上形成苯胺電解聚合膜的光電轉(zhuǎn)換元件及其制造方法，W及該苯胺電解聚合膜含浸液態(tài) 電解質(zhì)的光電轉(zhuǎn)換元件及其制造方法。
[0004] 另外，像上述國(guó)際公開第2005/078853號(hào)那樣使用電解液時(shí)，可能發(fā)生電解液的 泄漏、枯竭，因此有使用固體電解質(zhì)作為空穴輸送層的技術(shù)。作為該技術(shù)的一個(gè)例子的日本 特開2003 - 142168號(hào)公報(bào)中，公開了將作為光電轉(zhuǎn)換層的介孔二氧化鐵多孔層浸潰在溶 解有化咯和LiCl〇4的乙臘溶液中，使保持電壓為250mV、對(duì)電極為銷、參比電極為Ag/Ag%進(jìn) 行光照射，保持電壓直到聚合電荷量達(dá)到規(guī)定值的技術(shù)；W及在上述光電轉(zhuǎn)換層表面形成 有作為空穴輸送層的聚化咯層的光電轉(zhuǎn)換元件及其制造方法。
[0005] 另一方面，實(shí)際使用色素敏化型太陽(yáng)能電池的情況下，一般為組合多個(gè)上述構(gòu)成 的太陽(yáng)能電池而成的模塊單位（例如，參照日本特開2013 - 12366號(hào)公報(bào)）。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 上述色素敏化型太陽(yáng)能電池中的空穴輸送層在國(guó)際公開第2005/078853號(hào)中通 過(guò)電解聚合而形成，在日本特開2003 - 142168號(hào)公報(bào)中W光電解聚合（光電化學(xué)的氧化 聚合）形成。通常電解聚合法是作為合成導(dǎo)電性高分子的方法之一而被廣泛采用的方法， 是在溶解單體和支持電解質(zhì)而成的溶液中浸泡電極對(duì)并施加電壓，單體在電極表面被氧化 或者還原，從而形成聚合物的方法。運(yùn)時(shí)，通過(guò)電化學(xué)滲雜能夠在電極上獲取溶液中的抗衡 離子（対向^才シ），因此可進(jìn)行pn控制，從該觀點(diǎn)考慮，在色素敏化型太陽(yáng)能電池的領(lǐng)域， 空穴輸送層的形成方法采用電解聚合。
[0007] 然而，利用光電解聚合等電解聚合形成空穴輸送層，不但聚合花費(fèi)時(shí)間，聚合量也 少。像上述專利文獻(xiàn)1那樣，在作為對(duì)置電極的第二電極上將成為空穴輸送層的基材的苯 胺膜電解聚合后，粘貼含有色素的半導(dǎo)體膜和帶透明導(dǎo)電膜的基板的方法，存在無(wú)法充分 用苯胺膜被覆色素的問(wèn)題。另外，像上述日本特開2003 - 142168號(hào)公報(bào)那樣，在光電轉(zhuǎn)換 層直接形成聚化咯層的方法中，存在單體溶液很難完全滲透到作為光電轉(zhuǎn)換層的介孔內(nèi)， 無(wú)法形成覆蓋色素的足夠量的聚化咯層的問(wèn)題。
[000引另外，利用光電解聚合等電解聚合形成空穴輸送層時(shí)，需要像上述那樣施加電壓， 但像日本特開2003 - 142168號(hào)公報(bào)那樣，在光電轉(zhuǎn)換層直接形成聚化咯層的方法中，為了 不使色素氧化（劣化）需要在低的電壓下進(jìn)行聚合。然而，如果在低的電位下進(jìn)行構(gòu)成空 穴輸送層的高分子的聚合，則在該高分子的析出的同時(shí)引起電壓下降，因此存在無(wú)法對(duì)電 極表面施加足夠使單體氧化?還原的電位，難W在色素周圍生成足夠量的高分子的問(wèn)題。
[0009] 另外，光電解聚合中，需要像運(yùn)樣在更低的電位下進(jìn)行聚合，因此也存在聚合耗費(fèi) 時(shí)間，生產(chǎn)率低的問(wèn)題。而且，考慮光電轉(zhuǎn)換元件的大面積化時(shí)，因?yàn)镕TO等電極本身的電 阻高，所W在光電解聚合中難W均勻施加電位，難W在光電轉(zhuǎn)換元件整體均勻形成空穴輸 送層，因此還存在光電轉(zhuǎn)換元件的光耐久性低的問(wèn)題。
[0010] 另外，上述日本特開2013 - 12366號(hào)公報(bào)所記載的實(shí)際使用中的模塊形態(tài)的太陽(yáng) 能電池為了得到高的光電轉(zhuǎn)換效率，要求減少各光電轉(zhuǎn)換元件的連接部分、即對(duì)發(fā)電沒(méi)有 貢獻(xiàn)的部分的面積。因此，需要各光電轉(zhuǎn)換元件的大面積化，但通過(guò)光電解聚合形成空穴輸 送層時(shí)，因?yàn)樯鲜隼碛啥yW實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換元件的大面積化，因此存在無(wú)法制作具有高的 光電轉(zhuǎn)換效率的模塊的問(wèn)題。
[0011] 因此，為了改善上述問(wèn)題，本發(fā)明人等的目的在于提供即便是色素敏化型太陽(yáng)能 電池的模塊形態(tài)也能夠發(fā)揮充分的發(fā)電性能的光電轉(zhuǎn)換元件模塊W及該光電轉(zhuǎn)換元件模 塊的制造方法。
[0012] 本申請(qǐng)發(fā)明人等W前為了提高光電轉(zhuǎn)換元件的耐久性，進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā) 現(xiàn)通過(guò)在氧化劑存在下將光電轉(zhuǎn)換層與導(dǎo)電性高分子前體接觸后，對(duì)敏化色素照射光來(lái)進(jìn) 行空穴輸送層形成時(shí)的導(dǎo)電性高分子前體的聚合，從而形成均勻的空穴輸送層，由此能夠 提高光電轉(zhuǎn)換元件的耐久性。并且，本申請(qǐng)發(fā)明人等進(jìn)行了提高發(fā)電性能的深入研究，結(jié)果 發(fā)現(xiàn)將2個(gè)W上上述光電轉(zhuǎn)換元件電連接而成的模塊能夠發(fā)揮優(yōu)異的發(fā)電性能，從而完成 了本發(fā)明。目P，本發(fā)明通過(guò)光電轉(zhuǎn)換元件模塊能夠?qū)崿F(xiàn)上述目的，該光電轉(zhuǎn)換元件模塊的特 征在于，是2個(gè)W上光電轉(zhuǎn)換元件電連接而成的光電轉(zhuǎn)換模塊，該光電轉(zhuǎn)換元件是按基板、 第一電極、含有半導(dǎo)體和敏化色素的光電轉(zhuǎn)換層、具有導(dǎo)電性高分子的空穴輸送層、W及第 二電極的順序?qū)盈B而成的，
[0013] 上述空穴輸送層是通過(guò)在氧化劑存在下將上述光電轉(zhuǎn)換層與導(dǎo)電性高分子前體 接觸后，對(duì)上述敏化色素照射光從而將上述導(dǎo)電性高分子前體聚合而形成的。
【附圖說(shuō)明】
[0014] 圖1是表示本申請(qǐng)發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換元件模塊的一個(gè)例子的截面示意圖。圖1中， 10表示光電轉(zhuǎn)換元件；20表示基板；30表示第一電極；31表示端部（與第二電極的連接部 分）；40表示緩沖層；50表示光電轉(zhuǎn)換層；60表示空穴輸送層；70表示第二電極；71表示端 部（與第一電極的連接部分）；8表不光；100表不光電轉(zhuǎn)換元件模塊；X表不第一電極間的 距離。
【具體實(shí)施方式】
[0015] W下，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選方式進(jìn)行說(shuō)明。
[0016] 本發(fā)明第一設(shè)及光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，是2個(gè)W上光電轉(zhuǎn)換元件電連接而 成的光電轉(zhuǎn)換模塊，該光電轉(zhuǎn)換元件是按基板、第一電極、含有半導(dǎo)體和敏化色素的光電轉(zhuǎn) 換層、具有導(dǎo)電性高分子的空穴輸送層、W及第二電極的順序?qū)盈B而成的，上述空穴輸送層 是通過(guò)在氧化劑存在下將上述光電轉(zhuǎn)換層與導(dǎo)電性高分子前體接觸后，對(duì)上述敏化色素照 射光從而將上述導(dǎo)電性高分子前體聚合而形成的。通過(guò)采用上述構(gòu)成，本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換 元件模塊是通過(guò)使含有導(dǎo)電性高分子前體和氧化劑的溶液與光電轉(zhuǎn)換層接觸后利用光化 學(xué)聚合而形成空穴輸送層的，因此與W往的利用（光）電解聚合形成的空穴輸送層相比具 備均勻的空穴輸送層，能夠制作發(fā)電性能高的元件。
[0017] 如上所述，W往，雖然利用光電解聚合等電解聚合形成空穴輸送層，但難W得到均 勻的聚合膜，光電轉(zhuǎn)換元件的光耐久性存在問(wèn)題。另外，W往還已知使用氧化劑和光敏劑的 氧化聚合性單體的光化學(xué)聚合（例如，日本特開平1 - 123228號(hào)公報(bào)、日本特開2009 -16582號(hào)公報(bào)）。然而，在其聚合法中，因?yàn)檠趸瘎┫鄬?duì)于單體的摩爾比小，反應(yīng)性差，所W 很難形成光電轉(zhuǎn)換元件、特別是色素敏化太陽(yáng)能電池用的光電轉(zhuǎn)換元件所要求的充分的 膜，存在光電轉(zhuǎn)換元件的光耐久性低的課題。
[0018] 另外，如上所述，實(shí)際使用中的模塊形態(tài)的太陽(yáng)能電池為了得到高的光電轉(zhuǎn)換效 率，要求減少各光電轉(zhuǎn)換元件的連接部分、即對(duì)發(fā)電沒(méi)有貢獻(xiàn)的部分的面積，因此，各光電 轉(zhuǎn)換元件的大面積化是必要的。利用光電解聚合形成空穴輸送層時(shí)，如上所述難W實(shí)現(xiàn)光 電轉(zhuǎn)換元件的大面積化，因此存在無(wú)法制作具有高的光電轉(zhuǎn)換效率的模塊的課題。
[0019] 與此相對(duì)，本發(fā)明中，通過(guò)光照射激發(fā)敏化色素，被激發(fā)的電子被氧化劑（例如， 過(guò)氧化氨）消耗。由此，敏化色素成為陽(yáng)離子狀態(tài)，陽(yáng)離子狀態(tài)的敏化色素從導(dǎo)電性高分子 前體奪取電子，導(dǎo)電性高分子前體成為陽(yáng)離子狀態(tài)。成為陽(yáng)離子狀態(tài)的導(dǎo)電性高分子前體 通過(guò)其成為引發(fā)點(diǎn)而引發(fā)聚合。運(yùn)里，像本發(fā)明運(yùn)樣，W氧化劑相對(duì)于導(dǎo)電性高分子前體高 濃度存在的比例將氧化劑和導(dǎo)電性高分子前體混合，從而陽(yáng)離子狀態(tài)的敏化色素高效地從 導(dǎo)電性高分子前體奪取電子，因此成為陽(yáng)離子狀態(tài)的導(dǎo)電性高分子前體能夠作為引發(fā)點(diǎn)更 迅速地引發(fā)聚合。W上的工藝與電解聚合的工藝相比非?？斓剡M(jìn)行，因此能夠縮短聚合時(shí) 間，對(duì)簡(jiǎn)化制造工藝非常有利。另外，W上工藝還能夠容易地形成大面積的空穴輸送層。
[0020] 另外，根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)槊艋匕l(fā)揮作為聚合引發(fā)劑的作用而進(jìn)行聚合，形成含 有導(dǎo)電性高分子的空穴輸送層，所W敏化色素不易因?yàn)橥獠侩妷?、溶劑化等原因而從光?轉(zhuǎn)換層剝離，能夠提供光電轉(zhuǎn)換效率優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換元件和太陽(yáng)能電池。
[0021] 另外，如上所述，根據(jù)本發(fā)明能夠容易地形成大面積的空穴輸送層，所W制作模塊 時(shí)，與鋪滿多個(gè)小的光電轉(zhuǎn)換元件而制作的模塊相比，能夠減小對(duì)發(fā)電沒(méi)有貢獻(xiàn)的部分的 面積，能夠提供光電轉(zhuǎn)換效率優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換元件模塊和太陽(yáng)能電池。
[0022] 另外，該光電轉(zhuǎn)換元件模塊的制造方法是2個(gè)W上光電轉(zhuǎn)換元件電連接而成的光 電轉(zhuǎn)換元件模塊的制造方法，該光電轉(zhuǎn)換元件是按基板、第一電極、含有半導(dǎo)體和敏化色素 的光電轉(zhuǎn)換層、具有導(dǎo)電性高分子的空穴輸送層W及第二電極的順序?qū)盈B而成的，該光電 轉(zhuǎn)換元件模塊的制造方法包括：在上述第一電極上形成上述光電轉(zhuǎn)換層；在氧化劑存在下 使導(dǎo)電性高分子前體接觸上述光電轉(zhuǎn)換層；在上述氧化劑存在下對(duì)上述敏化色素照射光， 將上述導(dǎo)電性高分子前體聚合而形成空穴輸送層；在上述空穴輸送層上形成上述第二電 極；將至少2個(gè)W上的上述光電轉(zhuǎn)換元件電連接。
[0023] {光電轉(zhuǎn)換元件模塊}
[0024] 參照?qǐng)D1對(duì)本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換元件模塊的優(yōu)選的構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示本申 請(qǐng)發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換元件模塊的一個(gè)例子的截面示意圖。如圖1所示，光電轉(zhuǎn)換元件模塊100 是2個(gè)W上的光電轉(zhuǎn)換元件10電連接而成的。運(yùn)里，各光電轉(zhuǎn)換元件10由基板20、第一 電極30、緩沖層40、光電轉(zhuǎn)換層50、空穴輸送層60和作為對(duì)極的第二電極70構(gòu)成。光電 轉(zhuǎn)換層50含有半導(dǎo)體（未圖示）和敏化色素（未圖示）。各光電轉(zhuǎn)換元件10具有共用的 基板20,在該基板20上依次形成有第一電極30、緩沖層40、光電轉(zhuǎn)換層50、空穴輸送層60 W及第二電極70。另外，如上所述，光電轉(zhuǎn)換元件10與鄰接的光電轉(zhuǎn)換元件10電連接，運(yùn) 時(shí)，連接形態(tài)沒(méi)有特別限制，優(yōu)選串聯(lián)連接。更具體而言，（a)如圖1所示，鄰接的2個(gè)光電 轉(zhuǎn)換元件10中，優(yōu)選一個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件的第一電極30的端部31與鄰接的光電轉(zhuǎn)換元件10 的第二電極70的端部71串聯(lián)連結(jié)（連接）的形態(tài)?；蛘撸┮矁?yōu)選使用一個(gè)光電轉(zhuǎn)換 元件的第一電極30的端部31與鄰接的光電轉(zhuǎn)換元件10的第二電極70的端部71介由導(dǎo) 電性部件連結(jié)（連接）的形態(tài)。其中，特別優(yōu)選（a)的形態(tài)。目P，優(yōu)選光電轉(zhuǎn)換元件中的至 少彼此鄰接的兩個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件中，一個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件的第一電極的一個(gè)端部跟與該光電 轉(zhuǎn)換元件鄰接的光電轉(zhuǎn)換元件的第二電極的一個(gè)端部連接。
[0025] 另外，如圖1所示，出于防止短路、密封等目的，在第一電極30與光電轉(zhuǎn)換層50之 間可W根據(jù)需要形成緩沖層40。
[0026] 運(yùn)里，基板20的大小沒(méi)有特別限制，根據(jù)所希望的用途（例如，太陽(yáng)能電池）適當(dāng) 地選擇。例如，太陽(yáng)能電池的用途中，如果考慮模塊的每單位面積的光電轉(zhuǎn)換效率，則該基 板的大小優(yōu)選縱50~3000mm、橫50~3000mm、厚度0.Ol~100mm。另外，各光電轉(zhuǎn)換元 件的大小也沒(méi)有特別限制，例如，光電轉(zhuǎn)換元件在基板上優(yōu)選2~300枚、更優(yōu)選10~100 枚并排的大小。如果是運(yùn)樣的大小，則光電轉(zhuǎn)換元件模塊發(fā)揮充分的發(fā)電性能，另外，對(duì)發(fā) 電沒(méi)有貢獻(xiàn)的部分的面積也小。另外，如果考慮氧化物半導(dǎo)體的電阻、有助于發(fā)電的面積， 則各第一電極30的大小優(yōu)選在縱（短的邊）為1時(shí)，橫（長(zhǎng)的邊）為2~100的比例。另 夕F，如果考慮減小對(duì)發(fā)電沒(méi)有貢獻(xiàn)的部分的面積，實(shí)現(xiàn)充分的光電轉(zhuǎn)換效率，則優(yōu)選各第一 電極間的距離（圖1中的"X")盡可能短，如果考慮之后的工序中的第二電極的形成，則優(yōu) 選為0.OOl~IOmm,更優(yōu)選為0.Ol~1mm。
[0027] 應(yīng)予說(shuō)明，圖1中，太陽(yáng)光從圖下方的箭頭8的方向射入，本申請(qǐng)發(fā)明不限定于該 形態(tài)，太陽(yáng)光也可W從圖上方入射。
[002引本申請(qǐng)發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換元件是基板、第一電極、光電轉(zhuǎn)換層、空穴輸送層W及作為 對(duì)極的第二電極作為必需的構(gòu)成要素依次層疊而成的結(jié)構(gòu)，2個(gè)W上電連接。根據(jù)需要可W 在基板與第一電極之間形成緩沖層和/或在第二電極的表面形成緩沖層。W下，對(duì)本發(fā)明 的光電轉(zhuǎn)換元件的各構(gòu)成要素和本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換元件的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0029] "基板"
[0030] 本發(fā)明的基板設(shè)于光入射方向一側(cè)，從光電轉(zhuǎn)換元件的光電轉(zhuǎn)換效率的觀點(diǎn)考 慮，優(yōu)選透明基板，更優(yōu)選在表面形成有第一電極的透明導(dǎo)電性基板，進(jìn)一步優(yōu)選透光率為 10 %W上，更進(jìn)一步優(yōu)選為50 %W上，特別優(yōu)選為80 %~100 %。
[0031] 該透光率是按照根據(jù)JISK7361 - 1:1997 (與ISO13468 - 1:1996對(duì)應(yīng)）的 "塑料一透明材料的全光線透射率的試驗(yàn)方法"的方法測(cè)定的可見光波長(zhǎng)區(qū)域的全光線透 射率。
[0032] 作為該基板，其材料、形狀、結(jié)構(gòu)、厚度、硬度等可W從公知中適當(dāng)?shù)剡x擇，如上述 那樣優(yōu)選具有高的透光性。
[0033] 該基板可W大致分為玻璃板、丙締酸板等具有剛性的基板和薄膜基板那樣具有曉 性的基板。前者的具有剛性的基板中，從耐熱性方面考慮，優(yōu)選玻璃板，玻璃的種類沒(méi)有特 別限制。作為基板的厚度，優(yōu)選0. 1~100mm，進(jìn)一步優(yōu)選為0. 5~10mm。
[0034] 作為后者的具有曉性的基板，例如，可W舉出聚對(duì)苯二甲酸乙二醇醋（PET)、聚糞 二甲酸乙二醇醋、改性聚醋等聚醋系樹脂膜、聚乙締（P巧樹脂膜、聚丙締（P巧樹脂膜、聚 苯乙締樹脂膜、環(huán)狀締控系樹脂等聚締控類樹脂膜、聚氯乙締、聚偏氯乙締等乙締基系樹脂 膜、聚乙締醇縮下醒（PVB)等聚乙締醇縮醒樹脂膜、聚酸酸酬（PEEK)樹脂膜、聚諷（PS巧樹 脂膜、聚酸諷（PE巧樹脂膜、聚碳酸醋（PC)樹脂膜、聚酷胺樹脂膜、聚酷亞胺樹脂膜、丙締酸 樹脂膜、S乙酷纖維素（TAC)樹脂膜等。除了運(yùn)些樹脂膜，還可W使用無(wú)機(jī)玻璃膜作為基 板。作為基板的厚度，優(yōu)選1~1000ym，進(jìn)一步優(yōu)選為10~100Jim。
[0035] 只要是可見區(qū)域的波長(zhǎng)（400~700nm)的透射率為80%W上的樹脂膜，就能夠特 別優(yōu)選適用于本申請(qǐng)發(fā)明。
[0036] 其中，從透明性、耐熱性、操作容易性、強(qiáng)度W及成本方面考慮，優(yōu)選雙軸拉伸聚對(duì) 苯二甲酸乙二醇醋膜、雙軸拉伸聚糞二甲酸乙二醇醋膜、聚酸諷膜、聚碳酸醋膜，更優(yōu)選為 雙軸拉伸聚對(duì)苯二甲酸乙二醇醋膜、雙軸拉伸聚糞二甲酸乙二醇醋膜。
[0037] 為了確保涂布液的潤(rùn)濕性、粘接性，可W對(duì)運(yùn)些基板實(shí)施表面處理或在其上設(shè)置 易粘接層。
[0038] 表面處理、易粘接層可W使用W往公知的技術(shù)。例如，作為表面處理，可W舉出電 暈放電處理、火焰處理、紫外線處理、高頻處理、輝光放電處理、活性等離子體處理、激光處 理等表面活化處理。
[0039] 另外，作為易粘接層，可W舉出聚醋、聚酷胺、聚氨醋、乙締基系共聚物、下二締系 共聚物、丙締酸系共聚物、亞乙締基系共聚物、環(huán)氧類共聚物等。
[0040] "第一電極"
[0041] 本發(fā)明的第一電極配置在基板與光電轉(zhuǎn)換層之間。運(yùn)里，第一電極設(shè)置在基板的 相對(duì)于光入射方向?yàn)橄喾磦?cè)的一個(gè)面上。作為第一電極，其透光率為80%W上，更優(yōu)選使用 90%W上（上限：100% )的電極。透光率與上述基板的說(shuō)明的記載相同。
[0042] 形成第一電極的材料，沒(méi)有特別限制，可W使用公知的材料。例如，可舉出銷、金、 銀、銅、侶、錠、銅等金屬；W及Sn〇2、CdO、ZnO、CTO系（CdSn〇3、CdzSrA、CdSn〇4)、Iri2〇3、CdIn2〇4 等運(yùn)些金屬氧化物等。其中，作為金屬，優(yōu)選地可舉出銀，為了具有透光性，優(yōu)選使用具有開 口部的形成網(wǎng)格圖案的膜，或者分散微粒、納米線而涂布的膜。另外，作為金屬氧化物，優(yōu)選 地可舉出在上述金屬氧化物中添加了Sn、Sb、F和Al中的1種或者2種W上的復(fù)合（滲雜） 材料。更優(yōu)選地優(yōu)選使用滲雜Sn的In2〇3(ITO)、滲雜訊的Sn〇2、滲雜F的Sn〇2們0)等導(dǎo) 電性金屬氧化物，從耐熱性方面考慮，最優(yōu)選FT0。形成第一電極的材料在基板上的涂布量 沒(méi)有特別限制，優(yōu)選每Im2基板為1~100g左右。
[0043] 應(yīng)予說(shuō)明，本發(fā)明的第一電極優(yōu)選設(shè)置于作為基板的透明基板的表面的透明導(dǎo)電 性基板，運(yùn)里也將表面形成有第一電極的基板稱為透明導(dǎo)電性基板（或者第一電極基板）。
[0044] 作為透明導(dǎo)電性基板的平均厚度，沒(méi)有特別限制，