本公開整體涉及電子器件，并且更具體地涉及收發(fā)器中的晶體管。
背景技術(shù)：
1、無線通信設(shè)備和技術(shù)正變得越來越普遍，以5g?nr?sub6?fr1和毫米波（mmw）fr2頻率進行操作的通信設(shè)備也是如此。無線通信設(shè)備通常發(fā)送和/或接收通信信號。在射頻（rf）收發(fā)器中，通信信號通常由發(fā)送部分放大并發(fā)送，并且所接收的通信信號由接收部分放大并處理。通信設(shè)備可包括多個發(fā)送器、接收器和天線，并且能夠在多個通信頻帶和頻率上進行通信。
2、在一些收發(fā)器中，期望具有良好的線性度和良好的信號帶寬，同時還最小化電路面積的量。最小化電路面積的一種方式是在某些應(yīng)用中使用所謂的薄膜（或薄氧化物）晶體管。這些薄氧化物晶體管的特定電路布置被稱為堆疊晶體管結(jié)構(gòu)。此類堆疊晶體管結(jié)構(gòu)的一個應(yīng)用可以是在混頻器和相關(guān)電路中?；祛l器通常將上變頻發(fā)送信號和/或下變頻接收信號。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)的系統(tǒng)、方法和設(shè)備的各種具體實施各自具有若干方面，這些若干方面中沒有任何單個一個方面完全負責本文中描述的期望屬性。在不限制所附權(quán)利要求書的范圍的情況下，在本文中描述了某些支配性的特征。
2、本說明書中所述的主題的一個或多個具體實施的細節(jié)在附圖及以下描述中闡述。根據(jù)描述、附圖和權(quán)利要求書，其他特征、方面和優(yōu)點將變得顯而易見。需注意，以下附圖的相對尺寸可以不是按比例繪制的。
3、本公開的一個方面提供了一種用于堆疊晶體管結(jié)構(gòu)的頭開關(guān)架構(gòu)，該頭開關(guān)架構(gòu)包括：第一頭開關(guān)，該第一頭開關(guān)位于活動路徑中，該第一頭開關(guān)被配置為向第一共源共柵路徑提供供電電壓；和第二頭開關(guān)，該第二頭開關(guān)位于非活動路徑中，該第二頭開關(guān)被配置為向第二共源共柵路徑提供減小的供電電壓。
4、本公開的另一方面提供了一種用于偏置堆疊晶體管結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括：將供電電壓施加到第一共源共柵路徑；將減小的供電電壓施加到第二共源共柵路徑；以及將柵極電壓施加到該第一共源共柵路徑中的共源共柵晶體管的柵極以將該第一共源共柵路徑中的該共源共柵晶體管從關(guān)閉和/或待機狀態(tài)轉(zhuǎn)變到任務(wù)模式狀態(tài)。
5、本公開的另一方面提供了一種設(shè)備，該設(shè)備包括：用于將供電電壓施加到第一共源共柵路徑的部件；用于將減小的供電電壓施加到第二共源共柵路徑的部件；和用于將柵極電壓施加到該第一共源共柵路徑中的共源共柵晶體管的柵極以將該第一共源共柵路徑中的該共源共柵晶體管從關(guān)閉和/或待機狀態(tài)轉(zhuǎn)變到任務(wù)模式狀態(tài)的部件。
6、本公開的另一方面提供了一種裝置，該裝置包括第一頭開關(guān)電路，該第一頭開關(guān)電路耦合在供電電壓和第一共源共柵晶體管之間，該第一共源共柵晶體管耦合到多個堆疊晶體管，該第一頭開關(guān)電路包括第一路徑，該第一路徑耦合在該供電電壓和該第一共源共柵晶體管之間并且被配置為向該第一頭開關(guān)電路與該第一共源共柵晶體管的端子之間的第一節(jié)點提供第一電壓，該第一頭開關(guān)電路還包括第二路徑，該第二路徑耦合在該供電電壓和該第一共源共柵晶體管之間并且被配置為向該第一節(jié)點提供低于該第一電壓的第二電壓。該裝置還包括第二頭開關(guān)電路，該第二頭開關(guān)電路耦合在該供電電壓和第二共源共柵晶體管之間，該第二共源共柵晶體管耦合到該多個堆疊晶體管，該第二頭開關(guān)電路包括第三路徑，該第三路徑耦合在該供電電壓和該第二共源共柵晶體管之間并且被配置為向該第二頭開關(guān)電路與該第二共源共柵晶體管的端子之間的第二節(jié)點提供第三電壓，該第一頭開關(guān)電路還包括第四路徑，該第四路徑耦合在該供電電壓和該第二共源共柵晶體管之間并且被配置為向第二節(jié)點提供低于該第三電壓的第四電壓。
1.一種用于堆疊晶體管結(jié)構(gòu)的頭開關(guān)架構(gòu)，所述頭開關(guān)架構(gòu)包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頭開關(guān)架構(gòu)，其中所述減小的供電電壓由包括一對晶體管和電阻分壓器的輔助偏置路徑提供，所述電阻分壓器被配置為向所述第二共源共柵路徑提供所述減小的供電電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頭開關(guān)架構(gòu)，其中所述減小的供電電壓被提供給所述第二共源共柵路徑中的共源共柵晶體管的漏極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的頭開關(guān)架構(gòu)，所述頭開關(guān)架構(gòu)還包括外部偏置電路，所述外部偏置電路被配置為向所述第二共源共柵路徑中的所述共源共柵晶體管的柵極提供柵極電壓以關(guān)斷所述第二共源共柵路徑中的所述共源共柵晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的頭開關(guān)架構(gòu)，所述頭開關(guān)架構(gòu)還包括當所述活動路徑中的所述第一共源共柵路徑中的共源共柵晶體管從待機狀態(tài)轉(zhuǎn)變到任務(wù)模式狀態(tài)時，將所述第二共源共柵路徑中的所述共源共柵晶體管維持在關(guān)閉狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頭開關(guān)架構(gòu)，其中所述堆疊晶體管結(jié)構(gòu)至少包括共源共柵晶體管、混頻器晶體管、增益晶體管和尾電流源晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的頭開關(guān)架構(gòu)，其中所述供電電壓被配置為在所述減小的供電電壓被施加到所述第二共源共柵路徑之前被施加到所述第一共源共柵路徑。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的頭開關(guān)架構(gòu)，其中在所述減小的供電電壓被施加到所述第二共源共柵路徑之前將所述供電電壓施加到所述第一共源共柵路徑被配置為確保尾電流僅流過所述第一共源共柵路徑中的所述第一共源共柵路徑、混頻器晶體管、增益晶體管和尾電流源晶體管。
9.一種用于偏置堆疊晶體管結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，所述方法還包括對所述供電電壓進行電阻分壓以獲得所述減小的供電電壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，所述方法還包括向所述第二共源共柵路徑中的共源共柵晶體管的漏極提供所述減小的供電電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第一共源共柵路徑和所述第二共源共柵路徑各自包括堆疊晶體管結(jié)構(gòu)，所述堆疊晶體管結(jié)構(gòu)至少具有共源共柵晶體管、混頻器晶體管、增益晶體管和尾電流源晶體管。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，所述方法還包括在將所述減小的供電電壓施加到所述第二共源共柵路徑之前將所述供電電壓施加到所述第一共源共柵路徑。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中在所述減小的供電電壓被施加到所述第二共源共柵路徑之前將所述供電電壓施加到所述第一共源共柵路徑確保尾電流僅流過所述第一共源共柵路徑中的所述第一共源共柵路徑、混頻器晶體管、增益晶體管和尾電流源晶體管。
15.一種設(shè)備，所述設(shè)備包括：
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，所述設(shè)備還包括用于對所述供電電壓進行電阻分壓以獲得所述減小的供電電壓的部件。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，所述設(shè)備還包括用于向所述第二共源共柵路徑中的共源共柵晶體管的漏極提供所述減小的供電電壓的部件。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中所述第一共源共柵路徑和所述第二共源共柵路徑各自包括堆疊晶體管結(jié)構(gòu)，所述堆疊晶體管結(jié)構(gòu)至少具有共源共柵晶體管、混頻器晶體管、增益晶體管和尾電流源晶體管。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備，所述設(shè)備還包括用于在將所述減小的供電電壓施加到所述第二共源共柵路徑之前將所述供電電壓施加到所述第一共源共柵路徑的部件。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其中用于在所述減小的供電電壓被施加到所述第二共源共柵路徑之前將所述供電電壓施加到所述第一共源共柵路徑的所述部件確保尾電流僅流過所述第一共源共柵路徑中的所述第一共源共柵路徑、混頻器晶體管、增益晶體管和尾電流源晶體管。
21.一種裝置，所述裝置包括：
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其中所述第一路徑包括晶體管并且所述第二路徑包括一對晶體管和電阻分壓器。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的裝置，其中所述第三路徑包括晶體管并且所述第四路徑包括一對晶體管和電阻分壓器。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，所述裝置還包括混頻器電路，所述混頻器電路包括所述多個堆疊晶體管。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其中所述多個堆疊晶體管包括混頻器晶體管、增益晶體管和尾電流源晶體管。
26.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其中當所述第一共源共柵晶體管從待機狀態(tài)轉(zhuǎn)變到任務(wù)模式狀態(tài)時，所述第二共源共柵晶體管被維持在關(guān)斷狀態(tài)。