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本發(fā)明實施例涉及pcb制作，具體涉及用于ai算力卡的hdi線路板制作方法及裝置。、當(dāng)前ai算力卡為滿足高性能計算需求，普遍采用nm疊層結(jié)構(gòu)設(shè)計。然而，該傳統(tǒng)疊構(gòu)存在顯著缺陷：、()結(jié)構(gòu)不對稱性導(dǎo)致pcb板翹曲風(fēng)險高，影響器件貼裝精度及可靠性，且難以實現(xiàn)高精度階梯金手指設(shè)計，制約高密度互連；...

本申請涉及光伏發(fā)電領(lǐng)域，尤其涉及一種電池串及光伏組件。、隨著全球能源危機(jī)與環(huán)境污染問題的日日益嚴(yán)重，開發(fā)可再生清潔能源成為國際范圍內(nèi)的重大戰(zhàn)略問題之一。太陽能是取之不盡，用之不竭的清潔能源，光伏發(fā)電具有能量轉(zhuǎn)換過程簡單、無污染排放、無噪聲等顯著優(yōu)點，因此，開發(fā)利用太陽能成為世界各國可持續(xù)發(fā)...

本技術(shù)涉及芯片封裝，特別涉及一種光學(xué)芯片封裝結(jié)構(gòu)。、在現(xiàn)有的dtof（direct?time?of?flight，直接飛行時間）產(chǎn)品中，光路的設(shè)計是封裝過程中難點，在塑封方案中，雖然可以通過塑封模具設(shè)計各種光學(xué)鏡頭以達(dá)到光學(xué)規(guī)格，但是封裝內(nèi)部如何降低發(fā)射芯片發(fā)出的激光對接收芯片產(chǎn)生的串?dāng)_有...

本申請實施例涉及顯示器件，尤其涉及一種玻璃基顯示單元制備方法和玻璃基顯示單元。、在顯示器件中，玻璃基板具有平整度高、膨脹系數(shù)與同為晶體的led芯片接近等優(yōu)勢。同時玻璃材料價格便宜，玻璃厚度可以做到.-.mm且平整度優(yōu)良提升顯示屏的輕薄要求、散熱性優(yōu)良、膨脹系數(shù)低且于led芯片匹配性高等。尤...

本技術(shù)涉及pcb板，具體為一種高傳輸速率多層pcb板。、目前市面上大多數(shù)電子設(shè)備，其內(nèi)部都設(shè)置有電路板，隨著社會的不斷發(fā)展，電子器件功能越來越多，內(nèi)部器件質(zhì)量越來越好，器件越來越精密，一些家用的電器器件內(nèi)部電路板，并不是溫度越低越好，電路板是由各種元器件和芯片組成，很多家用的電路板本身的b...

本技術(shù)屬于smt貼片治具領(lǐng)域，具體地說，涉及一種雙面同步貼裝的smt貼片治具。、smt貼片指的是在pcb基礎(chǔ)上進(jìn)行加工的系列工藝流程的簡稱，為印刷電路板，smt是表面組裝技術(shù)，是電子組裝行業(yè)里最流行的一種技術(shù)和工藝。電子電路表面組裝技術(shù)，稱為表面貼裝或表面安裝技術(shù)，它是一種將無引腳或短引線...

本申請涉及保溫加熱墊的，具體地，涉及一種可塑形的保溫加熱墊。、保溫加熱墊在日常生活中其使用用途較為廣泛，如在餐桌上作為飯菜的保溫加熱，以及在學(xué)習(xí)工作上作為手臂、手掌等身體部位的保暖作用等，現(xiàn)有的保溫加熱墊能夠?qū)崿F(xiàn)卷起收納以及平鋪攤開使用，其可以同時滿足人們的收納及使用需求，如公告號為cnu...

本技術(shù)涉及一種耐高壓平面柵碳化硅vdmos。、碳化硅vdmos作為碳化硅功率器件的典型代表，在電動汽車、航空航天、電力轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。針對不同領(lǐng)域的應(yīng)用，對碳化硅功率vdmos的性能要求各有側(cè)重，但總體而言，以下性能指標(biāo)是各領(lǐng)域普遍追求的：、、更高的耐壓能力：碳化硅vdmos因其...

本申請屬于顯示領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其制作方法、平板探測器。、基于薄膜晶體管(thin?film?transistor，tft)技術(shù)制作的x射線平板探測器(flat?x-ray?paneldetector，fpxd)是數(shù)字影像技術(shù)中至關(guān)重要的元件，由于其具有成像速度快，良好的空間及密...

本發(fā)明屬于新型光伏太陽能電池領(lǐng)域，具體涉及一種含鉛螯合聚合物空穴傳輸層的鈣鈦礦薄膜及太陽能電池及其制備方法。、反式p-i-n型鈣鈦礦太陽能電池(pscs)因其可低溫制備、工藝簡單等優(yōu)勢目前已經(jīng)取得了相當(dāng)大的進(jìn)展，并且可以與n-i-p型鈣鈦礦太陽能電池相媲美，能量轉(zhuǎn)換效率已超過％。但是相比于...

本申請涉及線路板的制作技術(shù)，具體涉及一種高散熱埋銅管線路板的制作方法。、隨著科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，高可靠性需求場景：如民用航天、軍工等領(lǐng)域傳統(tǒng)的散熱解決方案已經(jīng)不能滿足散熱性要求，在技能滿足高散熱又可以兼顧高可靠性方面，市場的產(chǎn)品需求越來越大，隨著民用航天領(lǐng)域及低空經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，迫切需要發(fā)明一...

本公開總體上涉及等離子體處理裝置及其使用方法。、等離子體裝置在醫(yī)學(xué)上用于外科手術(shù)和消毒技術(shù)。在醫(yī)學(xué)之外，在工業(yè)應(yīng)用中，等離子體裝置用于生產(chǎn)薄膜涂層，諸如聚合物涂層。用等離子體裝置沉積聚合物的方法通常依賴于前體的存在，在沉積過程中該前體可以在等離子體中反應(yīng)形成聚合物涂層。此類條件可能引發(fā)聚合...

本技術(shù)涉及smt貼片，具體為一種smt料盤上料機(jī)構(gòu)。、smt的意思是表面組裝技術(shù)，smt貼片指的是在pcb基礎(chǔ)上進(jìn)行加工的系列工藝流程，pcb為印刷電路板，smt料盤為放置印刷電路板的放置盒，smt在生產(chǎn)過程中需要使用料盤進(jìn)行轉(zhuǎn)運，進(jìn)而需要使用上料機(jī)構(gòu)將電路板裝入料盤內(nèi)，現(xiàn)有的上料機(jī)構(gòu)為自...

本發(fā)明涉及飛秒激光加工制造，具體涉及一種鈣鈦礦埋底界面的飛秒激光加工方法。、太陽能技術(shù)以其突破性進(jìn)展成為關(guān)鍵支撐-新一代光伏電池突破％的效率瓶頸，柔性組件與建筑材料的深度融合催生萬億級建筑光伏一體化(bipv)市場，智能運維與儲能技術(shù)的協(xié)同創(chuàng)新更賦予光伏電站媲傳統(tǒng)電力系統(tǒng)的供電穩(wěn)定性。其中...

本發(fā)明涉及模擬直接頻率合成領(lǐng)域，具體涉及一種小步進(jìn)模擬直接頻率合成系統(tǒng)及方法。、本節(jié)中的陳述僅提供與本公開相關(guān)的背景信息，并且可能不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)。、切換時間指標(biāo)對頻率合成方式的初步選擇起著決定性作用。、各種頻率合成方式中，間接頻率合成可實現(xiàn)小步進(jìn)，切換時間為us量級。以dds為主的數(shù)字直接...

本技術(shù)涉及液冷，特別涉及一種連接器及浸沒式液冷系統(tǒng)。、當(dāng)前，單相浸沒液冷技術(shù)以服務(wù)器直接浸泡在機(jī)柜內(nèi)為主，服務(wù)器內(nèi)部與機(jī)柜內(nèi)部并不連通，而是通過流體大量沖刷的方式來對服務(wù)器進(jìn)行散熱。然而，隨著服務(wù)器內(nèi)部芯片的數(shù)量增多，芯片的功耗提高，當(dāng)前的浸沒液冷技術(shù)已經(jīng)無法滿足服務(wù)器的散熱需求。、為了解...

本發(fā)明涉及印刷線路板領(lǐng)域，具體而言，涉及一種埋容線路板的制作方法及線路板。、當(dāng)前高頻服務(wù)器電路板設(shè)計中，表面貼裝分立電容的密集排布導(dǎo)致電磁干擾劇增、電源平面阻抗失控及布線空間不足。埋容技術(shù)雖能通過基板集成電容改善性能，但面臨核心缺陷：埋容材料容值精度與產(chǎn)品需求失配。傳統(tǒng)方法無法在材料進(jìn)料階...

本技術(shù)涉及終端顯示屏，更具體地說，本技術(shù)涉及一種用于監(jiān)測運動數(shù)據(jù)的終端顯示屏。、用于監(jiān)測運動數(shù)據(jù)的終端顯示屏通常指的是集成了先進(jìn)技術(shù)的顯示屏，如智慧體育屏、智慧步道終端大屏以及智慧跑道大屏。這些顯示屏通過實時數(shù)據(jù)采集、處理、分析和展示等功能，為教練、運動員、健身愛好者等提供直觀、全面的運動...

本申請涉及磁隨機(jī)存儲器(mram)設(shè)計領(lǐng)域，具體指一種包含在線學(xué)習(xí)類腦芯片的自旋軌道矩磁隨機(jī)存儲器(spin?orbit?torque?mram，sot-mram)結(jié)構(gòu)的用于在線學(xué)習(xí)類腦芯片的磁隨機(jī)存儲器。、類腦芯片是一種模擬大腦神經(jīng)元連接與突觸傳遞機(jī)制的硬件系統(tǒng)，它通過模仿生物神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的...

本技術(shù)實施例涉及一種半導(dǎo)體裝置。、半導(dǎo)體集成電路(ic)產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)級成長。ic材料和設(shè)計的技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)產(chǎn)生了一代又一代的ic，其中每一代的電路都比上一代更小、更復(fù)雜。在ic的發(fā)展過程中，功能密度(即每個晶片面積的互連裝置的數(shù)量)普遍增加，而幾何尺寸(即可使用制造過程創(chuàng)建的最小組件(或線...