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本技術(shù)屬于smt貼片治具領(lǐng)域，具體地說，涉及一種雙面同步貼裝的smt貼片治具。、smt貼片指的是在pcb基礎(chǔ)上進(jìn)行加工的系列工藝流程的簡(jiǎn)稱，為印刷電路板，smt是表面組裝技術(shù)，是電子組裝行業(yè)里最流行的一種技術(shù)和工藝。電子電路表面組裝技術(shù)，稱為表面貼裝或表面安裝技術(shù)，它是一種將無引腳或短引線...

本申請(qǐng)涉及保溫加熱墊的，具體地，涉及一種可塑形的保溫加熱墊。、保溫加熱墊在日常生活中其使用用途較為廣泛，如在餐桌上作為飯菜的保溫加熱，以及在學(xué)習(xí)工作上作為手臂、手掌等身體部位的保暖作用等，現(xiàn)有的保溫加熱墊能夠?qū)崿F(xiàn)卷起收納以及平鋪攤開使用，其可以同時(shí)滿足人們的收納及使用需求，如公告號(hào)為cnu...

本技術(shù)涉及一種耐高壓平面柵碳化硅vdmos。、碳化硅vdmos作為碳化硅功率器件的典型代表，在電動(dòng)汽車、航空航天、電力轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。針對(duì)不同領(lǐng)域的應(yīng)用，對(duì)碳化硅功率vdmos的性能要求各有側(cè)重，但總體而言，以下性能指標(biāo)是各領(lǐng)域普遍追求的：、、更高的耐壓能力：碳化硅vdmos因其...

本申請(qǐng)屬于顯示領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其制作方法、平板探測(cè)器。、基于薄膜晶體管(thin?film?transistor，tft)技術(shù)制作的x射線平板探測(cè)器(flat?x-ray?paneldetector，fpxd)是數(shù)字影像技術(shù)中至關(guān)重要的元件，由于其具有成像速度快，良好的空間及密...

本發(fā)明屬于新型光伏太陽能電池領(lǐng)域，具體涉及一種含鉛螯合聚合物空穴傳輸層的鈣鈦礦薄膜及太陽能電池及其制備方法。、反式p-i-n型鈣鈦礦太陽能電池(pscs)因其可低溫制備、工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)勢(shì)目前已經(jīng)取得了相當(dāng)大的進(jìn)展，并且可以與n-i-p型鈣鈦礦太陽能電池相媲美，能量轉(zhuǎn)換效率已超過％。但是相比于...

本申請(qǐng)涉及線路板的制作技術(shù)，具體涉及一種高散熱埋銅管線路板的制作方法。、隨著科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，高可靠性需求場(chǎng)景：如民用航天、軍工等領(lǐng)域傳統(tǒng)的散熱解決方案已經(jīng)不能滿足散熱性要求，在技能滿足高散熱又可以兼顧高可靠性方面，市場(chǎng)的產(chǎn)品需求越來越大，隨著民用航天領(lǐng)域及低空經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，迫切需要發(fā)明一...

本公開總體上涉及等離子體處理裝置及其使用方法。、等離子體裝置在醫(yī)學(xué)上用于外科手術(shù)和消毒技術(shù)。在醫(yī)學(xué)之外，在工業(yè)應(yīng)用中，等離子體裝置用于生產(chǎn)薄膜涂層，諸如聚合物涂層。用等離子體裝置沉積聚合物的方法通常依賴于前體的存在，在沉積過程中該前體可以在等離子體中反應(yīng)形成聚合物涂層。此類條件可能引發(fā)聚合...

本技術(shù)涉及smt貼片，具體為一種smt料盤上料機(jī)構(gòu)。、smt的意思是表面組裝技術(shù)，smt貼片指的是在pcb基礎(chǔ)上進(jìn)行加工的系列工藝流程，pcb為印刷電路板，smt料盤為放置印刷電路板的放置盒，smt在生產(chǎn)過程中需要使用料盤進(jìn)行轉(zhuǎn)運(yùn)，進(jìn)而需要使用上料機(jī)構(gòu)將電路板裝入料盤內(nèi)，現(xiàn)有的上料機(jī)構(gòu)為自...

本發(fā)明涉及飛秒激光加工制造，具體涉及一種鈣鈦礦埋底界面的飛秒激光加工方法。、太陽能技術(shù)以其突破性進(jìn)展成為關(guān)鍵支撐-新一代光伏電池突破％的效率瓶頸，柔性組件與建筑材料的深度融合催生萬億級(jí)建筑光伏一體化(bipv)市場(chǎng)，智能運(yùn)維與儲(chǔ)能技術(shù)的協(xié)同創(chuàng)新更賦予光伏電站媲傳統(tǒng)電力系統(tǒng)的供電穩(wěn)定性。其中...

本發(fā)明涉及模擬直接頻率合成領(lǐng)域，具體涉及一種小步進(jìn)模擬直接頻率合成系統(tǒng)及方法。、本節(jié)中的陳述僅提供與本公開相關(guān)的背景信息，并且可能不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)。、切換時(shí)間指標(biāo)對(duì)頻率合成方式的初步選擇起著決定性作用。、各種頻率合成方式中，間接頻率合成可實(shí)現(xiàn)小步進(jìn)，切換時(shí)間為us量級(jí)。以dds為主的數(shù)字直接...

本技術(shù)涉及液冷，特別涉及一種連接器及浸沒式液冷系統(tǒng)。、當(dāng)前，單相浸沒液冷技術(shù)以服務(wù)器直接浸泡在機(jī)柜內(nèi)為主，服務(wù)器內(nèi)部與機(jī)柜內(nèi)部并不連通，而是通過流體大量沖刷的方式來對(duì)服務(wù)器進(jìn)行散熱。然而，隨著服務(wù)器內(nèi)部芯片的數(shù)量增多，芯片的功耗提高，當(dāng)前的浸沒液冷技術(shù)已經(jīng)無法滿足服務(wù)器的散熱需求。、為了解...

本發(fā)明涉及印刷線路板領(lǐng)域，具體而言，涉及一種埋容線路板的制作方法及線路板。、當(dāng)前高頻服務(wù)器電路板設(shè)計(jì)中，表面貼裝分立電容的密集排布導(dǎo)致電磁干擾劇增、電源平面阻抗失控及布線空間不足。埋容技術(shù)雖能通過基板集成電容改善性能，但面臨核心缺陷：埋容材料容值精度與產(chǎn)品需求失配。傳統(tǒng)方法無法在材料進(jìn)料階...

本技術(shù)涉及終端顯示屏，更具體地說，本技術(shù)涉及一種用于監(jiān)測(cè)運(yùn)動(dòng)數(shù)據(jù)的終端顯示屏。、用于監(jiān)測(cè)運(yùn)動(dòng)數(shù)據(jù)的終端顯示屏通常指的是集成了先進(jìn)技術(shù)的顯示屏，如智慧體育屏、智慧步道終端大屏以及智慧跑道大屏。這些顯示屏通過實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集、處理、分析和展示等功能，為教練、運(yùn)動(dòng)員、健身愛好者等提供直觀、全面的運(yùn)動(dòng)...

本申請(qǐng)涉及磁隨機(jī)存儲(chǔ)器(mram)設(shè)計(jì)領(lǐng)域，具體指一種包含在線學(xué)習(xí)類腦芯片的自旋軌道矩磁隨機(jī)存儲(chǔ)器(spin?orbit?torque?mram，sot-mram)結(jié)構(gòu)的用于在線學(xué)習(xí)類腦芯片的磁隨機(jī)存儲(chǔ)器。、類腦芯片是一種模擬大腦神經(jīng)元連接與突觸傳遞機(jī)制的硬件系統(tǒng)，它通過模仿生物神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的...

本技術(shù)實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體裝置。、半導(dǎo)體集成電路(ic)產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)級(jí)成長(zhǎng)。ic材料和設(shè)計(jì)的技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)產(chǎn)生了一代又一代的ic，其中每一代的電路都比上一代更小、更復(fù)雜。在ic的發(fā)展過程中，功能密度(即每個(gè)晶片面積的互連裝置的數(shù)量)普遍增加，而幾何尺寸(即可使用制造過程創(chuàng)建的最小組件(或線...

本發(fā)明屬于光電探測(cè)，具體涉及一種自組裝線偏振光電探測(cè)器及其制備方法。、偏振是光的一種獨(dú)特特性，表示振動(dòng)方向和傳播方向的不平衡。這一特性使偏振能夠傳遞和區(qū)分光信息，從而促進(jìn)偏振光檢測(cè)、偏振成像和安全通信等應(yīng)用。根據(jù)光學(xué)振動(dòng)狀態(tài)，光可以分為橢圓偏振光、圓偏振光、線偏振光、部分偏振光和自然光。其...

本技術(shù)涉及感應(yīng)加熱，更具體地說，涉及一種感應(yīng)加熱裝置。、感應(yīng)加熱是一種使工件內(nèi)部產(chǎn)生感應(yīng)電流，迅速加熱工件表面的方法，廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域需要快速、均勻有效加熱的應(yīng)用場(chǎng)景。、在實(shí)際生產(chǎn)的過程中，感應(yīng)器加熱工件時(shí)，受加熱溫度、加熱速度以及周圍環(huán)境的影響，工件和空氣接觸會(huì)產(chǎn)生氧化皮，氧化皮脫落就...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，特別涉及降低介電層中的氟殘留物濃度的結(jié)構(gòu)與方法。、半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)歷指數(shù)成長(zhǎng)。集成電路材料與設(shè)計(jì)的技術(shù)進(jìn)展使每一代的集成電路比前一代具有更小且更復(fù)雜的電路。在集成電路演進(jìn)中，功能密度(即單位晶片面積的內(nèi)連線裝置數(shù)目)通常隨著幾何尺寸(即采用的制作工藝所能產(chǎn)生...

本發(fā)明涉及一種gan?hemt功率半導(dǎo)體外延晶圓以及制造該gan?hemt功率半導(dǎo)體外延晶圓的方法，其中，引入了三維氮化物結(jié)構(gòu)，以改善散熱特性和外延晶體質(zhì)量。、通過在具有高傳熱性質(zhì)的電絕緣碳化硅(sic)或硅(si)基底上淀積膜來制造ganhemt外延晶圓，該gan?hemt外延晶圓用作作...

本教導(dǎo)一般涉及光電子半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，如太陽能電池、光探測(cè)器等，在本文中廣泛稱為太陽能電池，更具體地說，涉及異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制造方法。、太陽能電池是一種光伏(pv)裝置，其能夠通過光伏效應(yīng)將入射光能，特別是太陽能(太陽光)轉(zhuǎn)換為電能。由于對(duì)污染、能源安全和可用資源有限的擔(dān)憂，對(duì)太陽能電池的興...