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光電子器件的制作方法

文檔序號:42855059發(fā)布日期:2025-08-26 19:09閱讀:80來源:國知局

本發(fā)明涉及一種光電子器件。


背景技術(shù):

1、本申請要求德國專利申請10?2023?108?185.?3的優(yōu)先權(quán),其公開內(nèi)容借此通過參引并入本文。

2、在現(xiàn)有技術(shù)中已知,在發(fā)光的光電子器件中,在發(fā)光的光電子半導(dǎo)體芯片上方設(shè)置覆蓋盤。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于,提供一種光電子器件。所述目的通過具有獨立權(quán)利要求的特征的光電子器件來實現(xiàn)。在從屬權(quán)利要求中說明不同的改進方案。

2、光電子器件包括:具有上側(cè)和下側(cè)的載體;設(shè)置在載體的上側(cè)處的光電子半導(dǎo)體芯片,所述光電子半導(dǎo)體芯片構(gòu)成為發(fā)射具有可見光譜的第一波長范圍中的波長的光;以及設(shè)置在光電子半導(dǎo)體芯片上方的覆蓋盤。覆蓋盤在第一波長范圍內(nèi)具有至少80%的透射率。在可見光譜的第二波長范圍內(nèi),覆蓋盤具有小于20%的透射率。

3、通過所述光電子器件的覆蓋盤在所述光電子器件的光電子半導(dǎo)體芯片在其中發(fā)射的第一波長范圍內(nèi)具有至少80%的透射率的方式,由光電子半導(dǎo)體芯片發(fā)射的光有利地僅以小的量通過覆蓋盤吸收。由此,所述光電子器件可以具有高的效率。

4、通過覆蓋盤在第二波長范圍內(nèi)具有小于20%的透射率的方式,從外部射到光電子器件上的具有第二波長范圍中的波長的光大部分在覆蓋盤中被吸收或通過覆蓋盤反射。因此,其僅能以非常小的量到達(dá)載體的上側(cè),在那里被反射并且再次通過覆蓋盤射出。由此可以實現(xiàn):載體的上側(cè)和光電子器件的設(shè)置在載體的上側(cè)處的部件從光電子器件外基本上是不可見的。在此,當(dāng)光電子器件不運行時,光電子器件的覆蓋盤例如可以看起來基本上為黑色。

5、在光電子器件的一個實施方式中,覆蓋盤在第一波長范圍內(nèi)具有至少90%的透射率、尤其至少95%的透射率。在第二波長范圍內(nèi),覆蓋盤在此具有小于10%的透射率、尤其小于5%的透射率。有利地,由此得出通過光電子半導(dǎo)體芯片發(fā)射的光的特別小的吸收從而得出特別高的效率。同時,由此得出光電子器件的覆蓋盤對于具有第二波長范圍中的波長的光的特別高的不透光性。

6、在光電子器件的一個實施方式中,第一波長范圍處于比第二波長范圍更大的波長中。在此,覆蓋盤例如可以構(gòu)成為長通濾波器。但是,覆蓋盤的另外的濾波特性也是可行的。

7、在光電子器件的一個實施方式中,第一波長范圍包括紅色光譜范圍的至少一部分。這能夠?qū)崿F(xiàn),由光電子半導(dǎo)體芯片發(fā)射的在紅色光譜范圍中的光可以以高的透射率穿過覆蓋盤從光電子器件中射出。

8、在光電子器件的一個實施方式中,第一波長范圍包括黃色光譜范圍的至少一部分。這能夠?qū)崿F(xiàn),由光電子半導(dǎo)體芯片發(fā)射的具有黃色光譜范圍中的波長的光可以以高的透射率穿過覆蓋盤從光電子器件中射出。

9、在光電子器件的一個實施方式中,覆蓋盤具有pmma。有利地,具有pmma的覆蓋層可以通過具有期望的濾波特性的材料添加物來構(gòu)成。同時,由pmma構(gòu)成的覆蓋盤可以成本有利地制造,并且具有有益的機械特性和高的耐久性。

10、在光電子器件的一個實施方式中,覆蓋盤摻雜有稀土金屬,尤其摻雜有釹。稀土金屬有利地具有表征性的吸收和透射譜。通過對覆蓋盤摻雜對應(yīng)的金屬,覆蓋盤可以配備有類似的濾波特性。

11、在光電子器件的一個實施方式中,在覆蓋盤的表面處設(shè)置有構(gòu)成為層序列的濾波結(jié)構(gòu)、尤其干涉濾波結(jié)構(gòu)。有利地,可以構(gòu)成具有可精確預(yù)設(shè)的透射特性的這種干涉濾波結(jié)構(gòu)。這能夠?qū)崿F(xiàn),構(gòu)成具有可預(yù)設(shè)的透射特性的覆蓋盤。

12、在光電子器件的一個實施方式中,濾波結(jié)構(gòu)構(gòu)成為帶通濾波器,尤其構(gòu)成為多帶通濾波器。由此,覆蓋盤可以構(gòu)成為,使得其允許具有多個不同波長范圍中的波長的光以高的透射率通過,而具有另一波長范圍中的波長的光不能通過覆蓋盤。

13、在光電子器件的一個實施方式中,在載體的上側(cè)與覆蓋盤之間設(shè)置有粘接劑層。在此,光電子半導(dǎo)體芯片可以嵌入到粘接劑層中。有利地,這能夠?qū)崿F(xiàn)覆蓋盤與載體的簡單的、成本有利的和魯棒的連接。

14、在光電子器件的一個實施方式中,在覆蓋盤的朝向載體的表面處設(shè)置有吸收光的掩模。這能夠?qū)崿F(xiàn),將載體的上側(cè)的不進行光發(fā)射的區(qū)域掩蔽,使得所述區(qū)域從光電子器件外在很大程度上不可見或完全不可見。

15、在光電子器件的一個實施方式中,掩模掩蔽載體的邊緣區(qū)域。這例如能夠?qū)崿F(xiàn),在載體的邊緣區(qū)域中設(shè)置光電子器件的電接觸部或其他部件,而所述電接觸部或其他部件從光電子器件外是不可見的。

16、在光電子器件的一個實施方式中,掩模具有開口。在此,掩模在圍繞開口的邊緣區(qū)域中具有減小的厚度。由此有利地在掩模與掩模的開口之間得到平緩的過渡,由此,覆蓋盤可以以特別魯棒的和均勻的方式與載體連接。

17、在光電子器件的一個實施方式中,載體構(gòu)成為塑料薄膜,尤其構(gòu)成為pet薄膜。有利地,載體由此可以具有特別小的厚度,這能夠?qū)崿F(xiàn),整個光電子器件構(gòu)成有小的厚度。

18、在光電子器件的一個實施方式中,在載體的下側(cè)處設(shè)置有光吸收層。有利地,從光電子器件外穿過覆蓋盤直至載體傳播的光在這種情況下在載體的下側(cè)處的光吸收層處被吸收,由此防止光在反射之后又可以穿過覆蓋盤射出到光電子器件的周圍環(huán)境中。由此實現(xiàn),載體從光電子器件外基本上是不可見的。

19、在光電子器件的一個實施方式中,在載體的上側(cè)處設(shè)置有至少一個印制導(dǎo)線。在此,所述印制導(dǎo)線被涂黑。有利地由此實現(xiàn),從光電子器件外穿過覆蓋盤到達(dá)載體的光在被涂黑的印制導(dǎo)線處被吸收并且僅以小的量通過印制導(dǎo)線反射。由此可以實現(xiàn),設(shè)置在載體的上側(cè)處的印制導(dǎo)線從光電子器件外基本上是不可見的。



技術(shù)特征:

1.一種光電子器件(10),

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子器件(10),

3.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的光電子器件(10),

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光電子器件(10),

5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的光電子器件(10),

6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的光電子器件(10),

7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的光電子器件(10),

8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的光電子器件(10),

9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的光電子器件(10),

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電子器件(10),

11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的光電子器件(10),

12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的光電子器件(10),

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光電子器件(10),

14.根據(jù)權(quán)利要求12和13中任一項所述的光電子器件(10),

15.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的光電子器件(10),

16.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的光電子器件(10),

17.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的光電子器件(10),


技術(shù)總結(jié)
一種光電子器件,包括:具有上側(cè)和下側(cè)的載體;設(shè)置在載體的上側(cè)處的光電子半導(dǎo)體芯片,所述光電子半導(dǎo)體芯片構(gòu)成為發(fā)射具有可見光譜的第一波長范圍中的波長的光;以及設(shè)置在光電子半導(dǎo)體芯片上方的覆蓋盤。覆蓋盤在第一波長范圍內(nèi)具有至少80%的透射率。在可見光譜的第二波長范圍內(nèi),覆蓋盤具有小于20%的透射率。

技術(shù)研發(fā)人員:埃爾溫·蘭,邁克爾·約布斯特
受保護的技術(shù)使用者:艾邁斯-歐司朗國際有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/8/25
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