用于制造光電子器件的方法和光電子器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于制造光電子器件的方法和一種光電子器件。
【背景技術(shù)】
[0002]光電子器件例如能夠是發(fā)射電磁輻射的器件或者吸收電磁輻射的器件。吸收電磁輻射的器件能夠例如是光電二極管或者太陽能電池。發(fā)射電磁輻射的器件能夠例如是LED或者0LED。有機光電子器件能夠具有陽極、陰極和在其之間構(gòu)成的有機功能層系統(tǒng)。
[0003]有機功能層系統(tǒng)能夠具有發(fā)射體層，在所述發(fā)射體層中產(chǎn)生電磁輻射；分別由兩個或更多個載流子對生成層(“charge generating layer電荷生成層”，CGL)構(gòu)成的、用于產(chǎn)生載流子對的載流子對生成層結(jié)構(gòu)；以及電子阻擋層，也稱作為空穴傳輸層(“holetransport layer”，HTL);和空穴阻擋層，也稱作為電子傳輸層(“electron transportlayer電子傳輸層”，ETL)，以便定向電通流。
[0004]陽極和/或陰極例如能夠具有含金屬的材料、例如金屬或者半金屬，和/或其他適合引導(dǎo)電流的材料或者由其構(gòu)成。例如能夠使用納米線、例如銀納米線(Ag-Nanowires Ag納米線)，或者納米管、例如碳納米管(C-Nanotubes碳納米管)作為用于陽極或者陰極的材料。納米線或者納米管能夠被嵌入粘合劑中并且與粘合劑一起被施加到面上，在所述面上應(yīng)當(dāng)構(gòu)成相應(yīng)的電極。粘合劑能夠被硬化并且在硬化狀態(tài)中，納米線或者納米管能夠彼此物理連接和/或電連接并且固定在面上。納米線或者納米管能夠在由粘合劑形成的層內(nèi)在所有三個空間方向上定向，例如也完全地或者部分地垂直于如下面定向，在該面上設(shè)置有所述納米線或者納米管。由于納米線或者納米管的定向的垂直的方向分量，所述納米線或者納米管也能夠從粘合劑構(gòu)成的層中突出和/或伸出。這種從由粘合劑構(gòu)成的層中突出的納米線或者納米管能夠?qū)τ谙鄳?yīng)的光電子器件而言為大的風(fēng)險，因為在由粘合劑構(gòu)成的層上方構(gòu)成的一個或多個層能夠通過納米線或者納米管被損害和/或完全地或者部分地短路。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]在不同的實施方式中提供一種用于制造光電子器件的方法，所述方法能夠簡單和/或成本適宜地執(zhí)行和/或所述方法有助于:能夠可靠地運行光電子器件。
[0006]在不同的實施方式中提供用于制造光電子器件的方法，所述光電子器件能夠簡單和/或成本適宜地制造和/或能夠可靠地運行所述光電子器件。
[0007]在不同的實施方式中提供一種用于制造光電子器件的方法。在該方法中提供載體，例如構(gòu)成載體。第一電極在載體上方構(gòu)成。光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)在第一電極上方構(gòu)成。第二電極在光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)上方構(gòu)成。在構(gòu)成這兩個電極的至少一個時，導(dǎo)電的納米線設(shè)置在面上，在所述面上應(yīng)當(dāng)構(gòu)成相應(yīng)的電極，并且將納米線加熱成，使得其塑性地變形。隨后，變形的納米線形成相應(yīng)的電極的至少一部分。
[0008]納米線的變形能夠有助于:完全地或者部分地垂直于面定向的納米線在外力作用下，例如地心引力進而其自身重力或者在離心機中的離心力作用的情況下平行于面定向并且例如放倒在面上。這有助于:在相應(yīng)的電極上方構(gòu)成的層不能夠通過納米線損壞，這能夠有助于光電子器件的可靠的運行。此外，納米線相互間的交聯(lián)提高，因為在加熱前彼此疊加的且彼此傾斜定向的納米線現(xiàn)在能夠基本上位于一個平面中并且能夠彼此相交。由此提高兩條納米線接觸的概率，由此提高交聯(lián)。高的交聯(lián)有助于良好的和/或均質(zhì)的電流通過相應(yīng)的電極并且能夠由此有助于光電子器件的可靠的運行。此外，納米線在隨后的冷卻中和與冷卻關(guān)聯(lián)的硬化中能夠與具有該面的層形成固定的、例如材料配合的連接?？蛇x地，因此能夠棄用粘合劑，這能夠有助于簡單和/成本適宜地制造光電子器件。替選于粘合劑，能夠?qū)⑷軇┖?或水作為用于納米線的載體材料。
[0009]如果第一電極由納米線形成，面能夠例如是載體的表面或者層的表面，所述層在載體和第一電極之間構(gòu)成，例如阻擋層的表面、光學(xué)功能層的表面、例如親合輸出層的表面，或者平坦化層的表面。第一電極能夠例如是陽極。替選地或者附加地，如果第二電極由納米線形成，面能夠例如是光電子層結(jié)構(gòu)的表面或者層的表面，所述層在光電子層結(jié)構(gòu)和第二電極之間構(gòu)成。第二電極能夠例如是陰極。
[0010]納米線的加熱能夠借助能量輸入例如在爐中、例如通過緩慢升高溫度，借助激光輻射和/或借助具有高能輻射的脈沖照射進行。用于加熱納米線的方法的選擇與光電子層結(jié)構(gòu)和/或載體的耐熱性相關(guān)地進行。納米線僅強烈地加熱，使得其軟化和塑性地變形，但不完全熔化。
[0011]在不同的實施方式中，納米線在設(shè)置在該面上的情況下，首先形成三維網(wǎng)絡(luò)。將納米線加熱成使得納米線的材料能夠容易塑性地變形并且納米線由于其質(zhì)量而放倒在面上進而形成二維網(wǎng)絡(luò)。網(wǎng)絡(luò)是二維的例如能夠意味著:納米線在網(wǎng)絡(luò)中是基本上平行于該面定向。二維網(wǎng)絡(luò)也能夠構(gòu)成在垂直于該平面的第三維中，例如因為位于該平面中的納米線具有如下實際厚度，所述實際厚度沿朝垂直于該平面的方向延伸，和/或因為納米線彼此疊加地位于交叉點、節(jié)點和/或交聯(lián)點上，其中這些交叉點、節(jié)點和/或交聯(lián)點也沿垂直于平面的第三空間延伸。換而言之，二維網(wǎng)絡(luò)基本上在兩個空間方向上延伸，其中由于各個納米線的厚度，沿垂直于此的第三空間方向的微小的擴展是可行的。在垂直于面的方向上的由納米線形成的層的厚度能夠在加熱前明顯大于其在加熱后。在加熱前，所述厚度例如能夠大致對應(yīng)于納米線中的一個的長度并且在加熱后，所述厚度能夠?qū)?yīng)于納米線中的一條、兩條或幾條的直徑。
[0012]為了使納米線由于其質(zhì)量而放倒，如下面能夠水平地或者至少近似水平地定向，在所述面上設(shè)置納米線，其中利用重力以在平面中放倒納米線。替選地或者附加地，能夠借助離心機產(chǎn)生離心力，所述離心力能夠引起和/或促進納米線在面上的放倒。
[0013]在不同的實施方式中，納米線設(shè)置在相應(yīng)的電極上，納米線被加熱并且光電子器件設(shè)置在離心機中并且借助離心機轉(zhuǎn)動，使得納米線由于所作用的離心力而放倒在面上。這能夠有助于:以及在輕微加熱的情況下、尤其當(dāng)產(chǎn)生的離心力大于重力時，在小的加熱的情況下就已經(jīng)實現(xiàn)納米線的塑性變形和/或放倒。
[0014]在不同的實施方式中，通過加熱和與之關(guān)聯(lián)的變形，納米線的交聯(lián)度提高。換而言之，在加熱的情況下，納米線直接地物理接觸和/或彼此連接，所述納米線在三維網(wǎng)絡(luò)中彼此疊加，例如借助其之間的粘合劑，進而最初在三維網(wǎng)絡(luò)中不接觸，并且此后在二維網(wǎng)絡(luò)中接觸。
[0015]在不同的實施方式中，納米線被加熱，使其材料配合地相互連接。例如，納米線由于所作用的重力和/或離心力彼此擠壓并且納米線被加熱成，使其是可塑性變形的，以至于它們材料配合地連接。例如，納米線能夠被加熱成，使它們至少部分恪化和/或恪接，但不完全熔化。
[0016]在不同的實施方式中，納米線被加熱成，使得納米線的材料不完全熔化，使得保持各個納米線的線狀的結(jié)構(gòu)和納米線的網(wǎng)絡(luò)狀的結(jié)構(gòu)。如果納米線在過強加熱的情況下完全熔化，所述納米線則失去其線狀的結(jié)構(gòu)。此外，納米線的材料在過強加熱的情況下并且完全熔化的情況下，能夠形成球狀的液滴，所述球狀的液滴不再相互連接，由此在相應(yīng)的電極中可靠的和/或均勻的電流和/或電通流的分布不再是可行的。
[0017]在不同的實施方式中，納米線嵌入在載體材料中并且載體材料與納米線被施加到面上。例如，納米線能夠被嵌入在溶劑和/或水中。在具有納米線的溶劑施加在面上之后和/或在加熱納米線時，能夠?qū)⑤d體材料完全地或者部分地蒸發(fā)。
[0018]在不同的實施方式中，第一電極由納米線形成并且納米線設(shè)置在載體上方。為了形成第一電極，納米線能夠直接在載體上或者在載體和第一電極之間的層上、例如直接在阻擋層上、直接在光學(xué)功能層上、例如耦合輸出層上，或者直接在平坦化層上構(gòu)成。
[0019]在不同的實施方式中，第二電極由納米線形成并且納米線設(shè)置在光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)上方。為了形成第二電極，納米線能夠直接在光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)上或者在光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)和第二電極之間的層上、例如直接在光學(xué)功能層上、例如耦合輸出層上構(gòu)成。
[0020]在不同的實施方式中提供一種光電子器件，例如制造光電子器件，例如借助上面闡述的方法來制造。光電子器件具有載體，在所述載體上方構(gòu)成第一電極。光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)在第一電極上方構(gòu)成。第二電極在光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)上方構(gòu)成。這兩個電極中的至少一個具有導(dǎo)電的納米線，所述納米線設(shè)置在面上，在所述面上構(gòu)成相應(yīng)的電極。納米線平行于面或者至少近似平行于面設(shè)置。例如，納米線基本上平行于面設(shè)置。
[0021]在不同的實施方式中，納米線在二維網(wǎng)絡(luò)的面上形成。
[0022]在不同的實施方式中，納米線至少部分材料配合地彼此連接。例如，納米線由于其連接形成二維網(wǎng)絡(luò)。
[0023]在不同的實施方式中，納米線嵌入在載體材料中。載體材料與納米線設(shè)置在面上。
[0024]在不同的實施方式中，第一電極由納米線形成。替選地或者附加地，第二電極由納米線構(gòu)成。
[0025]在不同的實施方式中，納米線具有5nm至1 μ m的、例如10nm至150nm的、例如15nm至60nm的范圍中的直徑，和/或，相應(yīng)的納米線的直徑至1mm的范圍中，例如1 μπι至100 μπι的、例如20 μ m至50 μ m的范圍中的長度。因此，在制造光電子器件期間，在加熱前，由納米線形成的層的厚度能夠為例如lOOnm至1mm、例如1 μ m至100 μ m、例如20 μ m至50 μ m。因此，在制成的光電子器件中，由納米線形成的層的厚度能夠為例如10nm至2 μπι、例如20nm至 300nm、例如 30nm 至 180nm。
[0026]納米線例如能夠具有含金屬的材料，例如金屬或者半金屬、例如銀、金、鋁和/或鋅或者由其形成。例如，納米線能夠具有合金，所述合金具有上述材料的一種或者多種。
【附圖說明】<