)硼烷；1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1Η_咪唑[4，5-f] [1，10]菲咯啉；苯基-雙芘基膦氧化物；萘四碳酸酐或其酰亞胺；芘四碳酸酐或其酰亞胺；和基于具有硅雜環(huán)戊二烯的噻咯的材料。
[0069]電子傳輸層能夠具有在大約5nm至大約50nm的范圍中的、例如在大約10nm至大約30nm的范圍中的、例如為大約20nm的層厚度。
[0070]在電子傳輸層上或者上方能夠構(gòu)成電子注入層。電子注入層能夠具有一個或者多個下述材料或者由其形成:NDN-26、MgAg、Cs2C03、Cs3P04、Na、Ca、K、Mg、Cs、L1、LiF ；2，2’，2，，- (1，3，5-苯取代基)-三(1-苯基-1-Η-苯并咪唑);2_ (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔-丁基)-1，3，4-惡二唑，2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-菲咯啉(BCP) ;8_羥基喹啉-鋰，4-(萘-1-基)-3，5-聯(lián)苯-4H-1, 2，4-三唑；1，3-雙[2- (2，2，-雙吡啶-6-基)-1，3，4-惡二唑-5-基]苯；4，7-聯(lián)苯-1，10-菲咯啉(BPhen) ;3_(4_聯(lián)苯基)-4_苯基-5-叔-丁基苯基-1，2，4-三唑；雙(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚)鋁；6，6’ -雙[5_(聯(lián)苯-4-基)-1，3，4-惡二唑-2-基]-2，2’-雙吡啶基;2_苯基-9，10-雙(萘_2_基)-蒽;2，7-雙[2-(2，2’ -雙吡啶-6-基)-1，3，4-惡二唑-5-基]_9，9- 二甲基芴；1，3-雙[2-(4-叔-丁基苯基)-1，3，4-惡二唑-5-基]苯；2-(萘-2-基)-4，7-聯(lián)苯-1，10-菲略啉；2，9_雙(萘-2-基)-4，7-聯(lián)苯-1，10-菲咯啉；三(2,4, 6-三甲基-3 (吡啶-3-基)苯基)硼烷；1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1Η-咪唑[4，5-f] [1，10]菲咯啉；苯基-雙芘基膦氧化物；萘四碳酸酐或其酰亞胺；芘四碳酸酐或其酰亞胺；和基于具有硅雜環(huán)戊二烯的噻咯的材料。
[0071]電子注入層能夠具有在大約5nm至大約200nm的范圍中的、例如在大約20nm至大約50nm的范圍中的、例如為大約30nm的層厚度。
[0072]在具有兩個或者更多個有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)單元的有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)22中，能夠在有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)單元之間構(gòu)成相應(yīng)的中間層。有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)單元能夠分別單獨地本身根據(jù)有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)22的前面闡述的設(shè)計方案構(gòu)成。中間層能夠構(gòu)成為中間電極。中間電極能夠與外部電壓源電連接。外部電壓源能夠例如在中間電極上提供第三電勢。然而，例如通過中間電極具有浮動的電勢的方式，中間電極也能夠不具有任何外部電端子。同樣地，中間電極能夠根據(jù)第一電極的一個設(shè)計方案構(gòu)成。
[0073]有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)單元例如能夠具有最大大約3 μπι的層厚度、例如最大大約1 μπι的層厚度、例如最大大約300nm的層厚度。
[0074]光電子器件10能夠可選地具有其他的功能層，例如設(shè)置在一個或者多個發(fā)射體層上或者上方或者電子傳輸層上或者上方。其他的功能層能夠例如是內(nèi)部的或者外部的耦合輸入/親合輸出結(jié)構(gòu)，所述親合輸入/親合輸出結(jié)構(gòu)能夠進(jìn)一步改進(jìn)光電子器件10的功能和效率。
[0075]第二電極23能夠根據(jù)第一電極20的一個設(shè)計方案構(gòu)成，其中第一電極20和第二電極23能夠構(gòu)成為相同的或者不同的。第二電極23能夠構(gòu)成為陽極或者陰極。第二電極23能夠具有第二電端子，在所述第二電端子上能夠施加第二電勢，例如第二接觸部段18。第二電勢能夠由第一電勢與相同的或者不同的能源提供。第二電勢能夠不同于第一電勢。第二電勢能夠例如具有一定數(shù)值，使得與第一電勢的差具有在大約1.5V至大約20V范圍內(nèi)的數(shù)值、例如在大約2.5V至大約15V范圍內(nèi)的數(shù)值、例如在大約3V至大約12V范圍內(nèi)的數(shù)值。
[0076]封裝層24也能夠稱作為薄層封裝。封裝層24能夠構(gòu)成為半透明的或者透明的層。封裝層24形成相對于化學(xué)污染物或大氣物質(zhì)、尤其相對于水(濕氣)和氧氣的阻擋。換而言之，封裝層24構(gòu)成為，使得其不能夠或至多極其少部分由損壞光電子器件的物質(zhì)，例如水、氧或溶劑穿過。封裝層24能夠構(gòu)成為單層、層堆或者層結(jié)構(gòu)。
[0077]封裝層24能夠具有下述各項或者由下述各項構(gòu)成:氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鉿、氧化鉭、氧化鑭、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁摻雜的氧化鋅、聚(對苯二胺)、尼龍-66、以及它們的混合物和合金。
[0078]封裝層24能夠具有大約0.lnm( 一個原子層)至大約lOOOnm的層厚度、例如大約10nm至大約lOOnm的層厚度、例如大約40nm的層厚度。封裝層24能夠具有高折射的材料，例如一種或者多種具有高折射率的材料，例如具有至少為2的折射率的材料。
[0079]必要的話，第一阻擋層能夠構(gòu)成在與封裝層24的設(shè)計方案相對應(yīng)的載體12上。
[0080]封裝層24能夠例如借助于適當(dāng)?shù)某练e方法形成，例如借助于原子層沉積方法(Atomic Layer Deposit1n (ALD))來形成，例如為等離子增強(qiáng)的原子層沉積方法(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposit1n(PEALD))或無等離子的原子層沉積方法(Plasma-less Atomic Layer Deposit1n(PLALD))，或根據(jù)借助于化學(xué)氣相沉積方法(Chemical Vapor Deposit1n (CVD))來形成，例如為等離子增強(qiáng)的氣相沉積方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n(PECVD))或無等離子的氣相沉積方法(Plasma-less Chemical Vapor Deposit1n (PLCVD))，或者替選地借助于另外適合的沉積方法來形成。
[0081]必要的話，耦合輸入層或者耦合輸出層能夠例如在載體12上構(gòu)成為外部薄膜(未不出)或者在光電子器件10的層橫截面中構(gòu)成為內(nèi)部親合輸出層(未不出)。親合輸入層/耦合輸出層能夠具有基體和分布其中的散射中心，其中耦合輸入層/耦合輸出層的平均折射率大于層的平均折射率，從所述層提供電磁輻射。此外，也能夠附加地構(gòu)成一個或者多個抗反射層。
[0082]增附層36能夠具有例如粘接劑和/或漆，借助粘接劑和/或漆，覆蓋件38例如設(shè)置、如粘貼在封裝層24上。增附層36能夠是透明或者半透明地構(gòu)成。增附層36能夠具有例如顆粒，所述顆粒，例如散射光的顆粒散射電磁輻射。由此，增附層36能夠作用為散射層并且能夠引起色角畸變和耦合輸出效率的改進(jìn)。
[0083]能夠?qū)⒔殡姷纳⑸漕w粒設(shè)為散射光的顆粒，例如金屬氧化物，如氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋯(Zr02)、銦錫氧化物(ΙΤ0)或銦鋅氧化物(ΙΖ0)、氧化鎵(Ga20x)、氧化鋁或氧化鈦。其他顆粒也能夠是適合的，只要其具有與增附層36的基體的有效折射率不同的折射率，例如為氣泡、丙烯酸鹽或玻璃空心球。此外，例如能夠?qū)⒔饘俚募{米顆粒，金屬如金、銀，鐵納米顆粒等設(shè)為散射光的顆粒。
[0084]增附層36能夠具有大于1 μηι的層厚度，例如幾μπι的層厚度。在不同的實施例中，膠能夠是復(fù)膜膠。
[0085]增附層36能夠具有如下折射率，所述折射率小于覆蓋件38的折射率。增附層36能夠具有例如低折射率的粘接劑，例如丙烯酸鹽，所述丙烯酸鹽具有大約1.3的折射率。然而，增附層36也能夠具有帶有例如高折射率的、非散射的顆粒的高折射率的膠并且具有層厚度加權(quán)的折射率，所述折射率大約對應(yīng)于有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)22的平均折射率，例如在大約1.7至大約2.0的范圍中。
[0086]在有源區(qū)域上或者上方能夠設(shè)置所謂的除氣層或者除氣結(jié)構(gòu)，即橫向結(jié)構(gòu)化的除氣層(未示出)。除氣層能夠構(gòu)成為半透明的、透明的或者不透明的。除氣層能夠具有如下材料或者由其形成，所述材料吸收并且結(jié)合對有源區(qū)有害的物質(zhì)。除氣層能夠具有例如沸石衍生物或者由其形成。除氣層能夠具有大于大約1 μπι的層厚度、例如幾μπι的層厚度。在不同的實施例中，除氣層能夠具有復(fù)膜膠或者嵌入在增附層36中。
[0087]覆蓋件38能夠例如由玻璃覆蓋件、金屬薄膜或者密封的塑料薄膜覆蓋件形成。覆蓋件38能夠例如借助于玻璃焊料連接(英文為glass frit bonding玻璃焊料接合/glasssoldering玻璃焊接/seal glass bonding密封玻璃接合)借助于常規(guī)的玻璃料在有機(jī)光電子器件10的幾何的邊緣區(qū)域中施加到封裝層24或有源區(qū)域上。覆蓋件38能夠具有例如1.55的折射率(例如在633nm波長的情況下)。
[0088]圖4示出在用于制造光電子器件10的方法期間的、根據(jù)圖3的光電子器件10的俯視圖。圖4尤其示出用于制造光電子器件10的方法的步驟，在所述方法中第一電極20或者第二電極23在光電子器件10的面2上構(gòu)成。
[0089]如果第一電極20在圖4示出的步驟中構(gòu)成，那么面2由襯底12的表面或者由在襯底12和第一電極20之間的層的表面形成，例如由平坦化層的、第一阻擋層的或者耦合輸出層的表面形成。如果第二電極20在圖4示出的步驟中構(gòu)成，那么面2由光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22的表面或者由在光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22和第一電極20之間的層的表面形成，例如由親合輸出層的表面形成。
[0090]納米線4能夠例如在沒有將納米線4嵌入其中的粘合劑和/或載體材料的情況下設(shè)置在面2上。納米線4能夠根據(jù)是否應(yīng)用載體材料并且必要時根據(jù)具有納米線4的載體材料的粘度借助于旋涂法、刮涂、夾縫式擠壓型涂布(Slot-Die-Coating)、噴涂、絲網(wǎng)印刷或者噴墨設(shè)置在面2上。如果納米線嵌入載體材料中，那么能夠?qū)⑷軇┖?或水用作為載體材料。
[0091]隨后，將納米線4加熱成使得其塑性地變形，但不完全熔化。加熱納米線4能夠例如在爐中，借助激光