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用于制造光電子器件的方法和光電子器件的制作方法_2

文檔序號:9583041閱讀:來源:國知局
br>[0027]本發(fā)明的實施例在附圖中示出并在下面詳細闡述。
[0028]附圖示出:
[0029]圖1示出常規(guī)的光電子器件1的襯底12的俯視圖;
[0030]圖2示出根據(jù)圖1的襯底12的側視圖;
[0031]圖3示出光電子器件10的一個實施例的剖視圖;
[0032]圖4示出在用于制造光電子器件的方法期間的根據(jù)圖3的光電子器件10的俯視圖;
[0033]圖5示出根據(jù)圖4的光電子器件10的側視圖;
[0034]圖6示出用于制造光電子器件的方法的實施例的步驟的流程圖。
【具體實施方式】
[0035]在下面詳細的描述中參考附圖,所述附圖形成所述描述的一部分,并且在所述附圖中示出能夠實施本發(fā)明的具體的實施方式以用于說明。在此方面,相關于所描述的一個(多個)附圖的定向而使用方向術語例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因為實施方式的組成部分能夠以多個不同的定向來定位,所以方向術語僅用于說明并且不以任何方式受到限制。要理解的是,能夠使用其他的實施方式并且能夠進行結構上的或邏輯上的改變,而不偏離本發(fā)明的保護范圍。要理解的是,只要沒有特殊地另外說明,就能夠將在此描述的不同的示例性的實施方式的特征互相組合。因此,下面詳細的描述不能夠理解為受限制的意義,并且本發(fā)明的保護范圍通過附上的權利要求來限定。
[0036]在本說明書的范圍中,術語“連接”、“聯(lián)接”以及“耦聯(lián)”用于描述直接的和間接的連接、直接的或間接的聯(lián)接以及直接的或間接的耦聯(lián)。在附圖中,只要是適當?shù)?,相同的或相似的元件就設有相同的附圖標記。
[0037]光電子器件能夠是發(fā)射電磁輻射的器件或者吸收電磁輻射的器件。吸收電磁輻射的器件能夠是例如太陽能電池。發(fā)射電磁輻射的器件能夠是例如發(fā)射電磁輻射的半導體器件和/或能夠構成為發(fā)射電磁輻射的二極管、發(fā)射電磁輻射的有機二級管、發(fā)射電磁輻射的晶體管或者發(fā)射電磁輻射的有機晶體管。輻射例如能夠是在可見范圍中的光,例如紫外線和/或紅外線。在本文,發(fā)射電磁輻射的器件例如能夠構成為發(fā)光二極管(lightemitting d1de,LED)、有機發(fā)光二極管(organic light emitting d1de,OLED)、發(fā)光晶體管或者有機發(fā)光晶體管。在不同的實施例中,發(fā)射光的器件能夠是集成電路的一部分。此夕卜,能夠設有多個發(fā)射光的器件,例如安裝在共同的殼體中。
[0038]在材料配合的連接中,第一本體與第二本體能夠借助原子間力和/或分子間力連接。材料配合的連接通常能夠是不可拆開的連接。在不同的設計方案中,材料配合的連接例如能夠作為粘貼連接、焊料連接、例如玻璃焊料或金屬焊料連接、或者作為熔焊連接實現(xiàn)。
[0039]術語“半透明”或“半透明層”在不同的實施例中能夠理解為:層對于電磁輻射是可穿透的,例如對于由發(fā)射電磁輻射的器件所發(fā)射的輻射、例如一個或多個波長范圍的輻射、例如對于可見光的波長范圍中的光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波長范圍的子范圍中)。例如,術語“半透明層”在不同的實施例中理解為:全部的耦合輸入到結構(例如層)中的輻射量基本上也從該結構(例如層)中耦合輸出,其中光的一部分在此能夠被散射。
[0040]圖1示出在用于制造常規(guī)的光電子器件1的方法期間,常規(guī)的光電子器件1的襯底12的俯視圖。圖1尤其示出用于制造常規(guī)的光電子器件1的方法的步驟,在所述步驟中構成常規(guī)的光電子器件1的陽極。
[0041]在襯底12上設置導電的納米線4。導電的納米線4嵌入在未示出的粘合劑中。從圖1得出:納米線4在兩個維度中、尤其平行于襯底12的表面伸展,在所述表面上設有納米線40。襯底12的表面形成面2,其中在所述表面上設有納米線4,其中在所述面上應當構成陽極。
[0042]圖2示出根據(jù)圖1的襯底12與在面2上、尤其在襯底12的表面上的導電的納米線4的側視圖。從圖2中得出:納米線4由于其自身的剛性和/或由于在圖2中未示出的粘合劑能夠完全或者至少部分地在第三維度的方向上、尤其垂直于面2的方向上延伸。由此,各個(個別的)納米線4也能夠占據(jù)不利的位置。
[0043]納米線4部分地彼此物理接觸,由此在納米線4之間形成導電的連接,其中每個接觸點形成節(jié)點或者交叉點。納米線4以這種方式形成網(wǎng)絡,其中網(wǎng)絡的交聯(lián)度與節(jié)點或者交叉點的數(shù)量相關。盡管納米線4部分地彼此疊置成,使得它們在根據(jù)圖1的俯視圖中交叉,然而實際上它們并不交叉,因為它們未接觸并且彼此傾斜地構成。在這樣彼此疊置的納米線4之間能夠設有粘合材料。
[0044]在常規(guī)的光電子器件1中,粘合劑與嵌入在其中的納米線4被干燥和/或硬化。由此,由納米線4形成牢固的三維網(wǎng)絡。此外,納米線4和三維網(wǎng)絡與載體12牢固地、例如材料配合地連接。
[0045]圖3示出光電子器件10的一個實施例的剖視圖。光電子器件10具有載體12,所述載體例如能夠根據(jù)上面闡述的載體12構成。在載體12上構成光電子層結構。
[0046]光電子層結構具有第一電極層14,所述第一電極層具有第一接觸部段16、第二接觸部段18和第一電極20。第一接觸部段16與光電子層結構的第一電極20電親聯(lián)。例如,第一接觸部段16和第一電極20能夠一件式地構成。第一電極20借助電絕緣阻擋件21與第二接觸部段18電絕緣。在第一電極20上方構成光學功能層結構22,例如光電子層結構的有機功能層結構。如更下面詳細闡述的那樣,光學功能層結構22能夠具有例如一個、兩個或者更多個子層。在有機功能層結構22上方構成光電子層結構的第二電極23,所述第二電極與第二接觸部段18電耦聯(lián)。第二接觸部段18能夠與第二電極23 —件式地構成。第一電極20例如用作為光電子層結構的陽極或者陰極。對應于第一電極,第二電極23用作為光電子層結構的陰極或者陽極。
[0047]在第二電極23上方和部分地在第一接觸部段16上方和部分地在第二接觸部段18上方構成光電子層結構的封裝層24,所述封裝層封裝光電子層結構。在封裝層24中,在第一接觸部段16上方構成封裝層24的第一凹部并且在第二接觸部段18上方構成封裝層24的第二凹部。在封裝層24的第一凹部中露出第一接觸區(qū)域32并且在封裝層24的第二凹部中露出第二接觸區(qū)域34。第一接觸區(qū)域32用于第一接觸部段16的電接觸并且第二接觸區(qū)域34用于第二接觸部段18的電接觸。
[0048]在封裝層24上方構成增附層36。增附層36例如具有增附劑,例如粘接劑、例如復膜膠、漆和/或樹脂。在增附層36上方構成覆蓋體38。增附層36用于在封裝層24上固定覆蓋體38。覆蓋體38具有例如玻璃和/或金屬。例如覆蓋體38基本上能夠由玻璃形成并且具有薄的金屬層,例如在玻璃體上的金屬薄膜。覆蓋體38用于保護光電子器件10,例如免受外部的機械力作用影響。此外,覆蓋體38能夠用于分配和/或導出在光電子器件10中產生的熱。例如,覆蓋體38的玻璃能夠用作保護免于外部作用影響并且覆蓋體38的金屬層能夠用于分配和/或導出在光電子器件10運行中產生的熱。
[0049]增附層36能夠例如以結構化的方式施加到封裝層24上。增附層36以結構化的方式施加到封裝層24上例如能夠表示:增附層36直接在施加時已經(jīng)具有預設的結構。例如,增附層36能夠借助點膠法(Dispensverfahren)或者印刷法以結構化的方式施加。
[0050]光電子器件10例如能夠通過如下方式從復合器件中分割:即通過載體12沿著其在圖1中側向示出的外棱邊劃刻并且然后折斷并且通過覆蓋體38同樣地沿著其在圖1中示出的側向的外棱邊劃刻并且然后被折斷。在這種劃刻和折斷時,露出在接觸區(qū)域32、34上方的封裝層24。隨后,第一接觸區(qū)域32和第二接觸區(qū)域34能夠在進一步的方法步驟中露出,例如借助剝離工藝,例如借助激光剝離、機械刮刻或者刻蝕法。
[0051]光電子器件10能夠構成為頂部發(fā)射器和/或底部發(fā)射器。如果光電子器件10構成為頂部發(fā)射器和底部發(fā)射器,那么光電子器件10能夠稱作光學透明器件,例如透明有機發(fā)光二極管。
[0052]光電子器件10具有載體12和在載體12上方的有源區(qū)。在載體12和有源區(qū)之間能夠構成未示出的第一阻擋層,例如第一阻擋薄層。有源區(qū)域具有第一電極20、有機功能層結構22和第二電極23。在有源區(qū)上方構成封裝層24。封裝層24能夠構成為第二阻擋層,例如第二阻擋薄層。在有源區(qū)域上方并且必要時在封裝層24上方設有覆蓋件38。覆蓋件38例如能夠借助增附層36設置在封裝層24上。
[0053]有源區(qū)域是電學和/或光學的有源區(qū)域。有源區(qū)例如是光電子器件10的如下區(qū)域,在所述區(qū)域中流動有用于光電子器件10運行的電流和/或在所述區(qū)域中產生或者吸收電磁福射。
[0054]有機功能層結構22能夠在層結構單元之間具有一個、兩個或者更多個功能層結構單元和一個、兩個或者更多個中間層、例如中間電極。
[0055]載體12能夠構成為半透明或者透明的。載體12用作為用于電子元件或層的載體元件,例如發(fā)光元件。例如,載體12能夠具有玻璃、石英和/或半導體材料或任意其他適合的材料或由其形成。此外,載體12能夠具有塑料薄膜或具有帶有一個或多個塑料薄膜的疊層或由其形成。塑料能夠具有一種或多種聚烯烴。此外,塑料能夠具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)。載體12能夠具有金屬或由其形成,例如為銅、銀、金、鈾、鐵,例如金屬合金、例如鋼。載體12能夠構成為金屬薄膜或者金屬覆層的薄膜。載體12能夠是鏡結構的一部分或者形成所述鏡結構的一部分。載體12能夠具有機械剛性區(qū)域和/或機械柔性區(qū)域或者構成這種區(qū)域。
[0056]第一電極20能夠構成為陽極或者陰極。第一電極20能夠構成為半透明或者透明的。第一電極20能夠具有導電材
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