輻射或者借助具有高能輻射的脈沖式照射進(jìn)行。納米線(xiàn)4能夠具有例如銀或者銅，或者由其構(gòu)成。
[0092]如果納米線(xiàn)4具有銀，那么納米線(xiàn)4能夠例如借助在熱力平衡中的熱處理來(lái)加熱和/或軟化，例如在爐中，或者借助不存在熱力平衡的處理，例如借助激光處理。熱力平衡中的熱處理溫度在例如630°C至950°C、例如720°C至945°C、例如860°C至940°C的范圍中進(jìn)行。激光處理能夠在例如大約10.0kJ/mol的能量密度的情況下執(zhí)行。然而，所需的能量密度強(qiáng)烈地與納米線(xiàn)4的吸收相關(guān)。因此，根據(jù)可局部產(chǎn)生的溫度選擇激光能量和/或必需的能量密度，所述溫度例如能夠位于與在熱平衡中的熱處理中相同的、上述的溫度范圍中。
[0093]如果納米線(xiàn)4具有銅，那么納米線(xiàn)4能夠例如借助熱力平衡中的熱處理來(lái)加熱和/或軟化，例如在爐中，或者借不存助在無(wú)熱力平衡的處理，例如借助激光處理。熱力平衡中的熱處理，溫度在例如600°C至1320°C、例如920°C至1300°C、例如1150°C至1275°C的范圍中進(jìn)行。激光處理能夠在例如大約13.0kJ/mol的能量密度中執(zhí)行。然而，所需的能量密度強(qiáng)烈地與納米線(xiàn)4的吸收相關(guān)。因此，根據(jù)可局部地產(chǎn)生的溫度選擇激光能量和/或必需的能量密度，所述溫度例如能夠位于與在熱平衡中的熱處理中相同的、上述的溫度范圍中。
[0094]納米線(xiàn)4由于其質(zhì)量和例如由于其重力變形，并且尤其當(dāng)面2水平地或者基本上水平地定向時(shí)，放倒在面2上和/或平行于面2。在此，納米線(xiàn)4進(jìn)入彼此進(jìn)一步連接，由此形成其他的節(jié)點(diǎn)和/或交叉點(diǎn)并且由納米線(xiàn)4形成的網(wǎng)絡(luò)的交聯(lián)度提供。
[0095]替選于重力，能夠通過(guò)如下方式利用離心力將納米線(xiàn)4放倒在面2上，即通過(guò)載體12和/或必要時(shí)光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22與設(shè)置在其上的納米線(xiàn)4設(shè)置在離心機(jī)中，使得在轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)離心力將納米線(xiàn)4超面2擠壓。在此，轉(zhuǎn)動(dòng)速度能夠選擇得大至使得離心力大于納米線(xiàn)4的重力。由此，在納米線(xiàn)4輕度加熱的情況下能夠?qū)崿F(xiàn)變形和進(jìn)而實(shí)現(xiàn)納米線(xiàn)4的放倒。這尤其當(dāng)納米線(xiàn)4在層、例如有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)上方構(gòu)成時(shí)能夠有助于已經(jīng)制造的光電子器件10，其中所述層對(duì)熱作用敏感。
[0096]納米線(xiàn)例如能夠具有含金屬的材料，例如金屬或者半金屬，例如銀、金、鋁和/或鋅。
[0097]圖5示出在加熱納米線(xiàn)4步驟后的根據(jù)圖4的光電子器件10的側(cè)視圖。納米線(xiàn)4現(xiàn)在形成二維網(wǎng)絡(luò)，所述二維網(wǎng)絡(luò)的擴(kuò)展在垂直于面2方向上是小的。納米線(xiàn)4基本上平行于面2延伸并且例如由于其直徑，不再或者僅還可忽略不計(jì)地在垂直于面2方向上延伸。例如二維網(wǎng)絡(luò)在垂直于面的方向上的厚度在納米線(xiàn)4的一個(gè)直徑至納米線(xiàn)4的幾個(gè)直徑，例如二個(gè)、三個(gè)、四個(gè)直徑的范圍中。
[0098]例如，納米線(xiàn)4能夠具有例如5nm至1 μπι的范圍中的、例如10nm至150nm的范圍中的、例如15nm至60nm的范圍中的直徑。納米線(xiàn)4能夠具有例如相應(yīng)的納米線(xiàn)4的直徑至1mm的范圍中的、例如在1 μπι至100 μm的范圍中的、例如在20 μπι至50 μπι的范圍中的長(zhǎng)度。因此，在制造光電子器件10期間由納米線(xiàn)4形成的層的厚度在加熱前能夠?yàn)槔?00nm至1mm、例如1 μπι至100 μπι、例如20 μπι至50 μπι。因此，在制成的光電子器件中，由納米線(xiàn)4形成的層的厚度能夠?yàn)槔?0nm至2 μπι、例如20nm至300nm、例如30nm至180nmo
[0099]納米線(xiàn)4在加熱狀態(tài)中能夠變形和/或輕微熔化，使得盡管基本保上持其線(xiàn)狀的結(jié)構(gòu)，但所述納米線(xiàn)彼此并且與面2的材料牢固地、例如材料配合地連接。
[0100]如果納米線(xiàn)4嵌入在載體材料中，那么所述載體材料在加熱納米線(xiàn)4時(shí)能夠完全地或者部分地蒸發(fā)。
[0101]納米線(xiàn)4能夠形成相應(yīng)的電極20、23的一部分，例如一個(gè)子層或者整個(gè)相應(yīng)的電極 20、23。
[0102]圖6示出用于制造光電子器件的方法的步驟、例如前面闡述的步驟和/或例如前面闡述的光電子器件10的流程圖。
[0103]在圖6中示出的步驟是用于制造光電子器件10的方法的一部分，其中提供載體12，構(gòu)成電極20、23，光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22，封裝層24和/或增附層36并且設(shè)置覆蓋體28。
[0104]在步驟S2中，納米線(xiàn)4設(shè)置在面2上，例如設(shè)置在載體12上方或者光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22上方。
[0105]在步驟S4中，加熱納米線(xiàn)4。納米線(xiàn)4加熱至使得其塑性地變形，但不完全熔化，并且使得所述納米線(xiàn)由于重力或者必要時(shí)由于離心力，平行于或者至少基本上平行于面2定向和/或放倒在面2上。
[0106]在可選的步驟S6中，載體12必要時(shí)與光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22 —起與設(shè)置在其上的納米線(xiàn)4設(shè)置在離心機(jī)中并且借助離心機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)，使得納米線(xiàn)4由離心力朝面2擠壓。
[0107]如果執(zhí)行步驟S6，那么所述步驟能夠與步驟S4同時(shí)或者在步驟S6之后不久執(zhí)行。納米線(xiàn)4尤其能夠在離心機(jī)中在轉(zhuǎn)動(dòng)期間加熱，或者首先加熱并且然后在加熱狀態(tài)下轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0108]本發(fā)明不限于上述實(shí)施例。例如，必要時(shí)能夠借助于加熱納米線(xiàn)4構(gòu)成其他導(dǎo)電的層，例如必要時(shí)構(gòu)成光電子器件的一個(gè)、兩個(gè)或者更多個(gè)中間電極。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于制造光電子器件(10)的方法，在所述方法中 -提供載體(12)， -在所述載體(12)上方構(gòu)成第一電極(20)， -在所述第一電極(20)上方構(gòu)成光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)(22)，并且 -在所述光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)(22)上方構(gòu)成第二電極(23)， 其中在構(gòu)成這兩個(gè)電極(20，23)的至少一個(gè)時(shí)，導(dǎo)電的納米線(xiàn)(40)設(shè)置在面(2)上，在所述面上應(yīng)當(dāng)構(gòu)成相應(yīng)的所述電極(20，23)，并且將所述納米線(xiàn)(4)加熱成使得其塑性地變形，并且其中變形的所述納米線(xiàn)(4)隨后形成相應(yīng)的所述電極(20，23)的至少一部分。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，在所述方法中所述納米線(xiàn)(4)在設(shè)置在所述面(2)上的情況下形成三維網(wǎng)絡(luò)并且在將所述納米線(xiàn)(4)加熱成使得所述納米線(xiàn)(4)的材料能夠容易地塑性變形并且所述納米線(xiàn)(4)由于其質(zhì)量而放倒在所述面(2)上進(jìn)而形成二維的網(wǎng)絡(luò)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，在所述方法中所述納米線(xiàn)(4)設(shè)置在相應(yīng)的所述電極(20,23)上，將所述納米線(xiàn)(4)加熱并且所述光電子器件設(shè)置在離心機(jī)中并且借助所述離心機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)，使得所述納米線(xiàn)(4)由于所作用的離心力而放倒在所述面(2)上。4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，在所述方法中通過(guò)加熱和和與加熱關(guān)聯(lián)的變形增加所述納米線(xiàn)(4)的交聯(lián)度。5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，在所述方法中將所述納米線(xiàn)(4)加熱成，使得其彼此材料配合地連接。6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，在所述方法中將所述納米線(xiàn)(4)加熱成，使得所述納米線(xiàn)(4)的材料不完全熔化，以至于整體上保持各個(gè)所述納米線(xiàn)(4)的線(xiàn)狀的結(jié)構(gòu)和所述納米線(xiàn)(4)的網(wǎng)絡(luò)狀的結(jié)構(gòu)。7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，在所述方法中將所述納米線(xiàn)(4)嵌入在載體材料中，并且在所述方法中所述載體材料與所述納米線(xiàn)施加到所述面(2)上。8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，在所述方法中所述第一電極(20)由所述納米線(xiàn)形成，并且在所述方法中所述納米線(xiàn)(4)設(shè)置在所述載體(12)上方。9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，在所述方法中所述第二電極(23)由所述納米線(xiàn)形成，并且在所述方法中所述納米線(xiàn)(4)設(shè)置在所述光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)(22)上方。10.一種光電子器件，具有 -載體(12)， -第一電極(20)，所述第一電極在所述載體(12)上方構(gòu)成， -光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)(22)，所述光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)在所述第一電極(20)上方構(gòu)成，和 -第二電極(23)，所述第二電極在所述光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)(22)上方構(gòu)成， 其中這兩個(gè)電極(20，23)中的至少一個(gè)具有導(dǎo)電的納米線(xiàn)(4)，所述納米線(xiàn)設(shè)置在面(2)上，在所述面上構(gòu)成相應(yīng)的所述電極(20，23)，并且其中所述納米線(xiàn)(4)平行于所述面(2)或者至少近似平行于所述面(2)設(shè)置。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光電子器件，在所述光電子器件中所述納米線(xiàn)(4)在所述面⑵上形成二維網(wǎng)絡(luò)。12.根據(jù)權(quán)利要求10或者11所述的光電子器件，在所述光電子器件中所述納米線(xiàn)(4)至少部分地材料配合地彼此連接。13.根據(jù)權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的光電子器件，在所述光電子器件中所述納米線(xiàn)(4)嵌入在載體材料(12)中，并且在所述光電子器件中所述載體材料(12)與所述納米線(xiàn)設(shè)置在所述面(2)上。14.根據(jù)權(quán)利要求10至13中任一項(xiàng)所述的光電子器件，在所述光電子器件中所述第一電極(20)由所述納米線(xiàn)(40)形成，和/或，在所述光電子器件中所述第二電極(23)由所述納米線(xiàn)(40)形成。15.一種光電子器件，在所述光電子器件中每個(gè)納米線(xiàn)(4)都具有l(wèi)nm至1 μπι范圍中的直徑和/或每個(gè)納米線(xiàn)都具有從該直徑至1_的范圍中的長(zhǎng)度。
【專(zhuān)利摘要】在不同的實(shí)施例中提供一種用于制造光電子器件(10)的方法。在所述方法中提供載體(12)。在載體上方構(gòu)成第一電極(20)。在第一電極(20)上方構(gòu)成光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)(22)。在光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)(22)上方構(gòu)成第二電極(23)。通過(guò)導(dǎo)電的納米線(xiàn)(4)設(shè)置在面(2)上的方式并且通過(guò)加熱納米線(xiàn)(4)使得其塑性變形的方式，構(gòu)成這兩個(gè)電極(20，23)中的至少一個(gè)，在所述面上應(yīng)當(dāng)構(gòu)成相應(yīng)的電極(20，23)。
【IPC分類(lèi)】H01L51/52
【公開(kāi)號(hào)】CN105340103
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480029981
【發(fā)明人】西爾克·恰爾納, 托馬斯·韋盧斯
【申請(qǐng)人】歐司朗Oled股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年2月17日
【申請(qǐng)日】2014年5月20日
【公告號(hào)】DE102013105364A1, US20160126486, WO2014187798A1