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本發(fā)明屬于電力設(shè)備監(jiān)測(cè)，具體涉及一種石墨烯柔性壓力傳感器及制備方法、gis壓力監(jiān)測(cè)方法及裝置。、電力設(shè)備在長(zhǎng)期運(yùn)行過程中需要進(jìn)行力學(xué)性能監(jiān)測(cè)。例如，gis由于跨度大、材料缺陷、制造裝配誤差等原因，易產(chǎn)生應(yīng)力集中位置。在應(yīng)力集中的部位，由于反復(fù)的機(jī)械負(fù)荷和溫度變化，材料容易出現(xiàn)疲勞損傷，導(dǎo)致...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體及微電子領(lǐng)域，具體是一種柔性陣列微探針的制備方法。、近年來，柔性陣列微探針在生物醫(yī)療(如藥物輸送、皮膚穿刺等)和傳感器(如柔性電子觸覺傳感器、生物傳感器等)等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。目前陣列微探針的主流加工工藝技術(shù)包括微模板法(澆鑄法、熱壓印法、注塑成型法)、d打印法、mems...

本申請(qǐng)涉及傳感器，特別是涉及一種mems半導(dǎo)體器件和mems半導(dǎo)體器件的封裝方法。、mems傳感器是采用微電子和微機(jī)械加工技術(shù)制造出來的新型傳感器。然而，mems傳感器的芯片和焊盤在焊接過程中需要設(shè)置一定的安全距離，導(dǎo)致傳統(tǒng)的mems傳感器的體積較大。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、基于此，有必要針對(duì)傳統(tǒng)的...

本發(fā)明涉及微電子領(lǐng)域，更具體地說，涉及微電子器件的封裝(或包裝)，該微電子器件例如為mems(“微機(jī)電系統(tǒng)”)、nems(“納米機(jī)電系統(tǒng)”)、moems(“微光機(jī)電系統(tǒng)”)或noems(“納米光機(jī)電系統(tǒng)”)類型的微系統(tǒng)，包括將該器件封裝或封閉在密封腔體中，并對(duì)腔體中的氣氛進(jìn)行控制。本發(fā)明涉及一種用...

本發(fā)明涉及慣性傳感器和電子部件。、以往，已知有具備具有腔室的基體、懸架于腔室內(nèi)的傳感器元件以及密封腔室的蓋體的傳感器器件?；w與蓋體借助接合材料而接合。對(duì)于接合材料，一直在謀求接合強(qiáng)度高、密封的長(zhǎng)期可靠性高。、例如，專利文獻(xiàn)中公開了使用alge共晶作為接合材料。根據(jù)該文獻(xiàn)，alge共晶中的...

本發(fā)明屬于傳感器封裝，具體的說是一種雙信號(hào)輸出傳感器封裝機(jī)構(gòu)。、傳感器封裝是將敏感元件如mems、光學(xué)芯片和電極等保護(hù)在特定外殼中，并確保其與環(huán)境可靠交互的關(guān)鍵工藝，封裝的效果能夠直接影響傳感器的精度、可靠性、環(huán)境適應(yīng)性和成本。、基于mems的半導(dǎo)體類雙信號(hào)輸出溫濕度傳感器是一種能夠同時(shí)支...

本申請(qǐng)涉及微納加工，特別是涉及一種金屬納米縫隙陣列的制備方法。、隨著科技的發(fā)展和技術(shù)的進(jìn)步，納米縫隙器件受到了廣泛關(guān)注。、與固態(tài)器件相比，納米縫隙器件具有本質(zhì)優(yōu)勢(shì)：一方面，由于其獨(dú)特的無散射電子傳輸特性，納米縫隙器件可實(shí)現(xiàn)飛秒級(jí)超快電響應(yīng)和太赫茲范圍的截止頻率；另一方面，源于其無結(jié)特性，納...

本技術(shù)涉及微電子封裝，具體為一種mems傳感器密封結(jié)構(gòu)。、mems傳感器即微機(jī)電系統(tǒng)，是在微電子技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的多學(xué)科交叉的前沿研究領(lǐng)域，是采用硅晶片進(jìn)行制作的集成電路；它的特點(diǎn)是可以對(duì)物理世界的各種變量進(jìn)行量測(cè)，把所獲得的信息，轉(zhuǎn)換成容易處理和顯示的電信號(hào)，所以mems傳感器是物理世...

本技術(shù)涉及mems工藝制造領(lǐng)域，具體地說就是一種mems壓力芯片結(jié)構(gòu)。、?mems壓力傳感器的壓力敏感元件是mems壓力芯片，mems壓力芯片，一般通過成膜、光刻及蝕刻等工藝在硅襯底上形成平膜、島膜或梁膜結(jié)構(gòu)。其中平膜和島膜結(jié)構(gòu)，是在晶圓背后的表面圖形化介質(zhì)層作為腐蝕掩膜，然后采用koh或...

本申請(qǐng)涉及微電子機(jī)械系統(tǒng)，尤其涉及一種微電子機(jī)械器件、電子設(shè)備及雷達(dá)監(jiān)測(cè)裝置。、微電子機(jī)械系統(tǒng)(micro?electro?mechanical?systems，mems)是一種將微型機(jī)械結(jié)構(gòu)與電子技術(shù)相結(jié)合的技術(shù)，微電子機(jī)械器件是指利用微加工技術(shù)制造出來的微型機(jī)械結(jié)構(gòu)。、微電子機(jī)械器件通...

本發(fā)明屬于納米加工，尤其涉及一種大面積的納米莫爾晶格及其制備方法。、光學(xué)莫爾晶格可以實(shí)現(xiàn)多功能的光操作。建模、納米制造和表征工具的進(jìn)步推進(jìn)了莫爾晶格的許多應(yīng)用的發(fā)展：能量轉(zhuǎn)換、生物醫(yī)學(xué)和信息技術(shù)。近年來，具有莫爾結(jié)構(gòu)的納米材料因其高度可調(diào)諧的光學(xué)響應(yīng)和高通量的制造而引起了人們的極大興趣。莫...

本發(fā)明屬于微納加工，特別涉及一種波導(dǎo)集成光學(xué)芯片的分區(qū)域氧化層釋放技術(shù)。、光子晶體是一種由不同折射率的介質(zhì)周期性排列而成的人工微納結(jié)構(gòu)。光子晶體的主要特點(diǎn)是具有光子帶隙，其能夠阻斷特定頻率范圍的波在光子晶體中的傳播，使光子晶體結(jié)構(gòu)對(duì)不同波段的光具有選擇性，從而光子晶體被認(rèn)為是控制電磁波傳播...

本技術(shù)涉及傳感器領(lǐng)域，尤其涉及一種mems傳感器模組。、、相關(guān)技術(shù)的mems傳感器模組會(huì)內(nèi)置多個(gè)mems傳感器組件以實(shí)現(xiàn)至少一種傳感器功能，例如，壓力傳感器、麥克風(fēng)傳感器、氣體傳感器等。、mems傳感器組件包括mems芯片和asic芯片，然而，某些mems傳感器組件的asi...

本技術(shù)涉及傳感器領(lǐng)域，尤其涉及一種mems傳感器模組。、、相關(guān)技術(shù)的mems傳感器模組會(huì)內(nèi)置多個(gè)mems傳感器組件以實(shí)現(xiàn)至少一種傳感器功能，例如，壓力傳感器、麥克風(fēng)傳感器、氣體傳感器等。、mems傳感器組件包括mems芯片和asic芯片，然而，某些mems傳感器組件的asi...

本發(fā)明涉及材料制備和組裝的，更具體的說是涉及一種te納米線在不同襯底表面的lb組裝方法。、材料的物理和化學(xué)性質(zhì)在很大程度上受其形狀與尺寸的影響，納米線具有～納米的橫截面積，以及可延伸至數(shù)十微米的長(zhǎng)度，其特征在于僅在兩個(gè)維度上展現(xiàn)量子限域效應(yīng)，從而允許在第三個(gè)維度上自由地進(jìn)行電子、空穴及光子...

本技術(shù)涉及mems(micro-electro-mechanical?system，微機(jī)電系統(tǒng))器件領(lǐng)域，尤其涉及一種具有兩個(gè)獨(dú)立空腔的mems裝置。、、mems電容式加速度計(jì)以其尺寸小，低成本，性能優(yōu)良，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子，物聯(lián)網(wǎng)，以及工業(yè)測(cè)量領(lǐng)域。消費(fèi)電子競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈，...

本公開涉及微納加工，尤其涉及一種微納米尺度圖形加工方法。、納米制造技術(shù)在納米科學(xué)研究和國家重大需求中具有重要的地位，是面向納米尺度制造的一項(xiàng)重要技術(shù)，在透射電鏡樣品制備、集成電路器件失效分析、材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)表征及三維微納米結(jié)構(gòu)加工等領(lǐng)域有著獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。例如，在半導(dǎo)體集成電路的研發(fā)和生產(chǎn)中，聚...

本申請(qǐng)涉及mems制造，尤其涉及一種mems結(jié)構(gòu)的防皸裂清洗方法。、鋁鈧氮化物屬于氮化鋁基材料，摻鈧可以有效提高其壓電性能，因此鋁鈧氮化物經(jīng)常作為mems器件壓電材料層。上述mems器件在制備過程中在光刻、刻蝕、去膠之后，需要對(duì)表面殘余物進(jìn)行清洗。、ekc是杜邦(dupont)公司旗下的系...

本文描述的實(shí)施方式通常涉及用于制造目鏡的表面浮雕波導(dǎo)的系統(tǒng)和方法，以及由此創(chuàng)建的光學(xué)設(shè)備。、在制造波導(dǎo)、目鏡和其他類型的光學(xué)設(shè)備時(shí)，性能考慮可能很重要。例如，制造的設(shè)備中的微小缺陷可能會(huì)對(duì)設(shè)備的光學(xué)性能產(chǎn)生不成比例的影響，導(dǎo)致降低的光功率(optical?power)、光損失、偽影等。性能...

發(fā)明屬于半導(dǎo)體中tsv深硅刻蝕方法，特別涉及一種喇叭口形貌tsv的制作方法。、mems器件向高集成度、微型化、多功能、低功耗等方向發(fā)展，對(duì)tsv（throughsilicon?via，硅通孔）技術(shù)提出了迫切需求。tsv技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)電學(xué)垂直互連，能夠大大減小芯片面積、降低引線寄生阻容和提高信...