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本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體封裝，尤其是一種基于窗口式基板的無引線mems芯片封裝結(jié)構(gòu)。目前，隨著自動駕駛以及5g技術(shù)的發(fā)展，rf-mems技術(shù)的應(yīng)用越來越普及，rf-射頻就是射頻電流，它是一種高頻交流變化電磁波的簡稱,所謂rf-mems是用mems技術(shù)加工的rf產(chǎn)品。rf-mems技術(shù)可...

相關(guān)申請本申請要求2018年12月6日提交的第16/212,132號美國非臨時(shí)專利申請的優(yōu)先權(quán)，所述非臨時(shí)專利申請的整個(gè)內(nèi)容以引用的方式并入本文中。本公開大體上涉及磁性存儲器裝置的領(lǐng)域，且確切地說涉及金屬磁性存儲器裝置，例如具有至少一個(gè)輔助層的磁阻隨機(jī)存取存儲器(mram)裝置；及其操作方法。背景...

相關(guān)申請本申請要求2018年12月6日提交的美國非臨時(shí)申請序列號16/212,257、16/212,342和16/212,420的優(yōu)先權(quán)，前述申請的全部內(nèi)容以引用方式并入本文。本公開總體上涉及磁存儲設(shè)備領(lǐng)域，并且特別涉及具有輔助層的自旋轉(zhuǎn)移矩(stt)磁阻隨機(jī)存取存儲器(mram)設(shè)備及其操作方法...

本發(fā)明屬于二維材料超精密加工，具體涉及一種多場下的二維材料超精密加工方法。以石墨烯為代表的二維材料是指在一個(gè)維度上尺寸減小到單原子厚度，而另外兩個(gè)維度上尺度相對較大的材料。由于特有的原子層結(jié)構(gòu)，不同的二維材料具有力學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)和光學(xué)等一系列優(yōu)異的性能。二維材料在工程、材料和能源等...

本發(fā)明屬于微機(jī)電系統(tǒng)(mems)領(lǐng)域，尤其涉及一種rfmems開關(guān)的制造和封裝方法。rfmems是mems(微機(jī)電系統(tǒng))與rf(射頻)技術(shù)相結(jié)合的一門新技術(shù)，mems器件具有體積小、易集成、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，可代替?zhèn)鹘y(tǒng)無線通信系統(tǒng)中的半導(dǎo)體器件。rfmems不僅可以以器件的方式應(yīng)用于電路，例...

本發(fā)明涉及分析測試儀器，具體涉及一種基于石墨烯的微型分子光鑷。近年來，隨著互聯(lián)網(wǎng)和網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)傳輸業(yè)務(wù)的飛速發(fā)展，生產(chǎn)生活中的數(shù)據(jù)量呈指數(shù)增長，電路的微型化和高度集成化逐漸成為工程師的努力方向。然而，隨著器件越做越小，傳統(tǒng)的電學(xué)器件串?dāng)_大、損耗高以及散熱嚴(yán)重等問題逐漸凸顯出來。相對于電...

本發(fā)明涉及系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，特別涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法、及電子設(shè)備。微機(jī)電系統(tǒng)傳感器因其具有尺寸小、頻響特性好、噪音低等特點(diǎn)得到廣泛應(yīng)用。其中mems聲學(xué)傳感器或氣壓傳感器的封裝結(jié)構(gòu)通常開設(shè)有通孔，以感應(yīng)外界聲音或氣壓變化，但是在使用過程中，由于通孔是直接裸露...

本發(fā)明屬于柔性電子和傳感器領(lǐng)域，具體涉及一種基于仿生微結(jié)構(gòu)的復(fù)合式柔性壓力傳感器及其制備方法。隨著柔性電子器件不斷發(fā)展，為了滿足智能時(shí)代的需求，世界范圍內(nèi)已經(jīng)開發(fā)了多種柔性壓力傳感器，用以檢測不同量級的壓力。柔性壓力傳感器結(jié)構(gòu)簡單、超薄且質(zhì)量非常小，還具有可變特性和良好的穩(wěn)定性，從而在電子...

交叉引用本申請要求于2017年10月26日提交的美國臨時(shí)專利申請?zhí)?2/577,450的權(quán)益，該申請通過引用整體并入本文。闡明整個(gè)人類基因組這一目標(biāo)引起了對用于小規(guī)模和大規(guī)模應(yīng)用的快速核酸(例如，dna)測序技術(shù)的興趣。隨著對人類疾病遺傳基礎(chǔ)知識的增加，高通量dna測序已被用于各種各樣的臨...

本發(fā)明涉及微機(jī)電部件及其制造方法。本發(fā)明旨在應(yīng)用于布置在cmos電路上的微機(jī)電部件(mems部件)。使用各種微機(jī)械制造方法，特別是使用犧牲層制造mems部件。后者通常由二氧化硅制成。為了確保mems部件的后面可移動性，必須局部去除犧牲層(釋放工藝)。在二氧化硅的情況下，這可以通過使用氫氟酸...

本實(shí)用新型涉及mems芯片封裝，具體為一種散熱效果好的mems芯片的封裝結(jié)構(gòu)。mems芯片是基于微機(jī)電工藝制作的傳感器，由于其良好的性能、極小的體積從而得到廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)有技術(shù)中，在封裝mems芯片的時(shí)候，首先將液態(tài)膠材涂布在基板上，然后將各個(gè)mems芯片擺放在液態(tài)膠材上，經(jīng)過高溫...

本實(shí)用新型涉及一種封裝結(jié)構(gòu)，特別涉及一種用于mems芯片的堆疊封裝結(jié)構(gòu)。mems全稱microelectromechanicalsystem，微機(jī)電系統(tǒng)，是指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級，是一個(gè)獨(dú)立的智能系統(tǒng)。主要由傳感器、動作器（執(zhí)行器）和微能源三大...

本實(shí)用新型涉及一種封裝結(jié)構(gòu)，特別涉及一種便于鑲嵌的mems芯片封裝結(jié)構(gòu)。mems全稱microelectromechanicalsystem，微機(jī)電系統(tǒng)，是指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級，是一個(gè)獨(dú)立的智能系統(tǒng)。主要由傳感器、動作器（執(zhí)行器）和微能源三大...

本發(fā)明屬于犧牲層的制備方法，具體涉及一種實(shí)用化射頻mems開關(guān)雙層犧牲層的制備方法。犧牲層工藝是制作mems開關(guān)的重要工藝，犧牲層平整度差會導(dǎo)致開關(guān)上電極變形，進(jìn)而影響mems開關(guān)的性能。現(xiàn)有的犧牲層的制備方法主要采用自然平流法，而自然平流法的局限性在于無法徹底解決聚酰亞胺犧牲層平...

本發(fā)明涉及曲面襯底納米微結(jié)構(gòu)制備的領(lǐng)域，特別涉及一種曲面襯底上微納結(jié)構(gòu)圖形高精度刻蝕傳遞方法。菲涅爾透鏡、衍射光柵和全息光柵等衍射光學(xué)元件主要是利用器件表面衍射微結(jié)構(gòu)對光波位相、振幅、偏振等進(jìn)行調(diào)制，實(shí)現(xiàn)光束勻滑、聚焦、準(zhǔn)直、分束與合束等特殊功能。與傳統(tǒng)光學(xué)元件相比，衍射光學(xué)系統(tǒng)具有集成度...

本申請涉及半導(dǎo)體集成電路，具體涉及一種mems橋梁柱結(jié)構(gòu)及其制作方法。微電子機(jī)械系統(tǒng)(micro-electro-mechanicalsystem,mems)技術(shù)具有微小、智能、可執(zhí)行、可集成、工藝兼容性好等諸多優(yōu)點(diǎn)，適于廣泛應(yīng)用于諸多領(lǐng)域。mems橋結(jié)構(gòu)是mems橋梁柱結(jié)構(gòu)中廣泛...

本申請涉及半導(dǎo)體集成電路制造，具體涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanicalsystem，mems)傳感器的電極的制備方法。非晶硅(amorphoussilicon，α-si)是硅的同素異形體，其能夠以薄膜形式沉積在各種襯底上，為各種電子應(yīng)用提供特定的功能...

本公開總體涉及電子器件及其制造方法。特別地，本公開涉及包括面板鍵合操作的方法和包括由這種方法制造的空腔的電子器件。電子器件可以包括容納器件的電氣元件的空腔。例如，微電子機(jī)械系統(tǒng)(mems)的運(yùn)動部件可以被布置在空腔中以確保運(yùn)動部件的機(jī)械功能。該空腔可以通過通孔或通道連接到環(huán)境，以交換液體或...

本發(fā)明涉及高精度測量鄰域，尤其是涉及一種可實(shí)現(xiàn)高效更換與安裝原子氣室的高適配性容器。原子氣室作為高精度測量中常用的光學(xué)元件，設(shè)計(jì)一款易于存放、便于更換、適應(yīng)實(shí)驗(yàn)需求的氣室容器對長時(shí)間保障其光學(xué)性質(zhì)、降低損傷概率具有重要意義。目前各單位所提出的在陀螺儀、磁強(qiáng)計(jì)或其他使用原子氣室的裝置中，基本...

本發(fā)明涉及批量制造半導(dǎo)體器件或芯片、特別是例如塊體上的mems(微機(jī)電系統(tǒng))器件和/或nems(納米機(jī)電系統(tǒng))器件或諸如soi(絕緣體上硅)或bsoi(絕緣體上鍵合硅)的絕緣體上半導(dǎo)體、襯底或晶片的領(lǐng)域。襯底通常具有標(biāo)準(zhǔn)化的尺寸(4”、8”、12”等)，厚度為幾百微米。在在潔凈室中批量制造...