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本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種器件結(jié)構(gòu)及一種器件封裝方法，一種具有該器件結(jié)構(gòu)的濾波器，以及一種具有該濾波器或器件結(jié)構(gòu)的電子設(shè)備。現(xiàn)有的聲學(xué)器件多為微機(jī)電系統(tǒng)(mems,micro-electro-mechanicalsystem)器件，例如包括薄膜體聲波諧振器(fbar，fil...

本實(shí)用新型涉及傳感器加工，尤其是一種作用于壓力傳感器的引線框架。引線框架是模塑封裝的骨架，它主要由兩部份組成：芯片焊盤（diepaddle）和引腳（leadfinger）。其中芯片焊盤在封裝過程中為芯片提供機(jī)械支撐，而引腳就是連接芯片到封裝外的電學(xué)通路。就引腳而言，每一個(gè)引腳末端都...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種晶圓鍵合結(jié)構(gòu)及方法。微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanicalsystems，mems)技術(shù)被譽(yù)為21世紀(jì)具有革命性的高新技術(shù)。目前，以硅為基礎(chǔ)的高集成mems器件如加速度傳感器、陀螺儀等在工業(yè)、汽車、醫(yī)療、軍事等各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用越...

本發(fā)明屬于表面納米結(jié)構(gòu)制作的，具體涉及一種在光刻膠表面制備亞波長納米結(jié)構(gòu)的方法。亞波長納米結(jié)構(gòu)因具有優(yōu)異的光學(xué)特性(如減反、增透、偏振和增強(qiáng)光吸收等)，超疏水性，磁各向異性和激發(fā)表面等離子體共振等特性，在光電子，磁存儲(chǔ)，太陽能電池、oled和特殊功能膜等領(lǐng)域有非常廣泛的應(yīng)用。而且隨...

本發(fā)明屬精密器件加工，具體涉及一種針狀微電極及其制備方法。隨著科技的發(fā)展，制造業(yè)器件向著精密化、功能集成化和結(jié)構(gòu)微小化方向發(fā)展。金屬材料微、納米級(jí)尺寸的加工方法受到以日、德、中、美為首的世界先進(jìn)制造國家的共同關(guān)注。微細(xì)加工技術(shù)已成為現(xiàn)代制造領(lǐng)域中關(guān)鍵技術(shù)之一。微細(xì)加工技術(shù)所制備的產(chǎn)...

本發(fā)明屬于微電子機(jī)械系統(tǒng)(mems)傳感器設(shè)計(jì)領(lǐng)域，涉及一種mems壓阻式壓力傳感器，以及采用mems加工方法實(shí)現(xiàn)硅片級(jí)壓力傳感器制造的方法。mems(microelectromechanicalsystem)即微電子機(jī)械系統(tǒng)，是新興的跨學(xué)科的高新技術(shù)研究領(lǐng)域?；趍ems技術(shù)制造的壓阻式...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路和傳感器，特別是涉及一種超聲傳感器結(jié)構(gòu)及其制造方法。目前，已開發(fā)出許多mems超聲傳感器。傳統(tǒng)電容式mems超聲傳感器的振動(dòng)膜通常由金屬和介質(zhì)的復(fù)合膜構(gòu)成，且是單電容結(jié)構(gòu)，其振動(dòng)幅度等相關(guān)性能受限于結(jié)構(gòu)和工藝。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺...

本實(shí)用新型屬于真空晶圓級(jí)封裝，尤其涉及一種全覆蓋吸氣劑晶圓級(jí)電子元件。真空封裝對(duì)于mems來說是一個(gè)必不可少的環(huán)節(jié)，mems器件通常具有可活動(dòng)的部件，為了保證這些敏感的可動(dòng)部件和敏感部件機(jī)械性能，需要讓這些敏感部件和可動(dòng)部件工作在真空環(huán)境中，為此需要將加工完成的可動(dòng)部件和敏感部件真...

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求2017年11月1日提交的美國臨時(shí)申請(qǐng)?zhí)?2/580,436的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用并入本文。本文描述了微結(jié)構(gòu)表面和包括該微結(jié)構(gòu)表面的裝置。本公開的表面和裝置在旨在防止或最小化固-固界面處（諸如在微結(jié)構(gòu)裝置和可變形表面之間）的滑移的任何防滑應(yīng)用中有用。本發(fā)明采用在分...

本發(fā)明涉及三維納米線的螺旋回路磁頭、制備方法以及用途，更具體的說是涉及一種具有局域磁場(chǎng)產(chǎn)生、調(diào)控和探測(cè)功能的三維納米線螺旋回路磁頭，屬于微納器件技術(shù)及電磁探測(cè)領(lǐng)域。磁性納米材料可廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，量子通訊，傳感和生物醫(yī)藥等多個(gè)領(lǐng)域。為了獲得具有更為獨(dú)特的磁學(xué)性能的納米結(jié)構(gòu)，磁性納米材料空...

本發(fā)明屬于光學(xué)加密防偽領(lǐng)域，涉及光學(xué)加密防偽材料的制備，具體地說是一種具有隱形光加密圖案的基板的制備方法。光本身波長較短，而波長、偏振、振幅、相位等多種屬性可以使信息容量達(dá)到很大，用來作為多維信息的載體。國內(nèi)民用市場(chǎng)中，光加密技術(shù)主要應(yīng)用在防偽材料研發(fā)中。作為新型加密手段，光加密技術(shù)隨著信...

本發(fā)明屬于納米計(jì)量，更具體地說，是涉及一種復(fù)合型高深寬比溝槽標(biāo)準(zhǔn)樣板及該標(biāo)準(zhǔn)樣板的制備方法。高深寬比硅基mems(微機(jī)電系統(tǒng)，microelectromechanicalsystems)器件可被用作壓阻式壓力和加速度傳感器、高密度微型電容陣列、生化傳感器、微小衛(wèi)星傳感器等，在慣性制...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路和傳感器，特別是涉及一種基于表面硅工藝的電容陣列式高性能慣性傳感器及制作方法。傳統(tǒng)慣性傳感器產(chǎn)品通常使用體硅mems工藝制造，其工藝與cmos工藝并不兼容，需要將處理電路和體硅mems結(jié)構(gòu)通過封裝或鍵合連接在一起。因此其性能會(huì)受到影響和下降，并會(huì)造成其成本上...

本發(fā)明涉及振鏡，具體涉及一種高諧振頻率的大孔徑振鏡及制備方法。許多微機(jī)電系統(tǒng)(mems)設(shè)備已成功開發(fā)，例如微加速度計(jì)、微壓力傳感器、麥克風(fēng)和數(shù)字微鏡設(shè)備(dmd)；由于其體積小，性能高且成本低。mems制造技術(shù)是一種微米分辨率的光刻工藝，包括生成光掩模，掩模對(duì)準(zhǔn)，沉積和蝕刻等步驟...

本發(fā)明涉及機(jī)械超材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，具體涉及一種基于旋轉(zhuǎn)桿單元的負(fù)泊松比結(jié)構(gòu)。與傳統(tǒng)材料相比，負(fù)泊松比材料具有獨(dú)特的力學(xué)性能，如拉伸時(shí)膨脹，壓縮時(shí)收縮，其在抗剪承載力、抗斷裂性、能量吸收和壓陷阻力等方面也更有優(yōu)勢(shì)。負(fù)泊松比材料表現(xiàn)出的輕質(zhì)、高阻尼、吸聲、隔熱等物理特性，在功能材料中扮演重...

本申請(qǐng)涉及超聲傳感器制造，具體而言，涉及一種多頻cmut器件的制造方法及多頻cmut器件。超聲探頭在超聲成像中，起著關(guān)鍵作用；超聲傳感器則是超聲探頭的關(guān)鍵部件，早期的超聲傳感器，一般采用鋯鈦酸鉛陶瓷(pzt)，隨著技術(shù)的發(fā)展，電容性微機(jī)械加工超聲傳感器(cmut)由于有頻帶寬、易于...

本發(fā)明涉及鐵電材料，特別是涉及一種新型鐵電渦旋態(tài)納米島陣列的制備方法。在大數(shù)據(jù)時(shí)代的背景下，傳統(tǒng)半導(dǎo)體芯片尺寸已經(jīng)接近量子極限，難以進(jìn)一步發(fā)展，這推動(dòng)了人們探尋新型半導(dǎo)體電子材料體系下的存儲(chǔ)器件以滿足人類日益增長的存儲(chǔ)需求。其中，鐵電材料體系下的鐵電存儲(chǔ)器是一種新型存儲(chǔ)器。在鐵電材...

本發(fā)明屬于柔性電子器件用的微結(jié)構(gòu)柔性電極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和微組裝，具體涉及一種柔性電子器件、微結(jié)構(gòu)柔性電極及其制備方法。柔性電子器件在可穿戴、電子皮膚、人機(jī)接口和人工智能等領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用潛力，因此也吸引了國內(nèi)外大批專家學(xué)者的研究。對(duì)于具有多對(duì)i/o口的器件(如三維力柔性傳感器)，目前使...

本實(shí)驗(yàn)新型屬于mems封裝領(lǐng)域，涉及一種mems器件級(jí)的真空封裝。mems技術(shù)開辟了微型化、集成化的新和產(chǎn)業(yè)，而其封裝好壞關(guān)系到器件性能的優(yōu)劣，同時(shí)封裝成本過高也會(huì)降低mems器件的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。目前mems封裝主要采用圓片級(jí)封裝、多芯片封裝和系統(tǒng)封裝。mems真空封裝是使mems器...

本實(shí)用新型涉及低應(yīng)力mems封裝，尤其涉及一種針對(duì)慣性傳感器的低應(yīng)力mems封裝的三維粘接結(jié)構(gòu)和封裝結(jié)構(gòu)，以及用于實(shí)現(xiàn)低應(yīng)力mems封裝的粘接結(jié)構(gòu)的集成制造方法。mems慣性傳感器件對(duì)封裝工藝過程中硅芯片中產(chǎn)生的應(yīng)力很敏感，這與存在應(yīng)力時(shí)的芯片翹曲有關(guān)。在芯片貼片封裝工藝中，一般有...