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本發(fā)明涉及傳感器領(lǐng)域，提供了一種柔性可尋址傳感器制備方法及應(yīng)用。、可尋址傳感器是一種通過特定地址進(jìn)行單獨(dú)識(shí)別和控制的傳感器，在消防安全、氣體檢測、醫(yī)療健康、智能家居以及汽車領(lǐng)域得到重要應(yīng)用。當(dāng)前可尋址傳感器主要由半導(dǎo)體或光纖作為傳感材料，但其固有的剛性限制了其在軟體機(jī)器人、醫(yī)學(xué)監(jiān)測等領(lǐng)域的...

本發(fā)明屬于光學(xué)器件相關(guān)，更具體地，涉及一種具備定心性的雙軸疊層掃描鏡及其制備方法。、掃描鏡是一類重要的光學(xué)器件，主要用于實(shí)現(xiàn)光線的偏轉(zhuǎn)、聚焦和掃描等功能，從而實(shí)現(xiàn)對目標(biāo)物體的觀測、成像或測量。隨著技術(shù)發(fā)展，基于半導(dǎo)體工藝的mems掃描鏡受到廣泛關(guān)注。與傳統(tǒng)機(jī)械掃描鏡相比，mnems掃描鏡具...

本揭露提供一種微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法。、微機(jī)電系統(tǒng)(microelectromechanical?system，mems)是一種將小型化的機(jī)械及機(jī)電元件集成在集成芯片上的技術(shù)。通常使用微制作(micro-fabrication)技術(shù)來制造mems裝置。近年來，mems裝置...

本發(fā)明屬于微納米加工，具體涉及一種金屬微納米管陣列的制備方法及其應(yīng)用。、金屬微納米管陣列在光電催化、納米流體器件及超材料等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價(jià)值，但其大規(guī)模制備面臨傳統(tǒng)工藝的顯著瓶頸?，F(xiàn)有技術(shù)如光刻結(jié)合刻蝕工藝需依賴硬掩膜多次圖形化，易因掩膜剝離導(dǎo)致結(jié)構(gòu)損傷，且深寬比被限制在:以下；模板輔助...

本申請涉及半導(dǎo)體設(shè)備，尤其是涉及一種線圈結(jié)構(gòu)及mems器件。、近年，微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?systems)也即mems，被廣泛應(yīng)用于智能系統(tǒng)、消費(fèi)電子、可穿戴設(shè)備、智能家居系統(tǒng)、生物技術(shù)與微流控技術(shù)等領(lǐng)域。常見的產(chǎn)品包括mems加速度計(jì)、mems麥克...

本技術(shù)涉及mems器件，特別涉及一種半導(dǎo)體器件及掩模結(jié)構(gòu)。、微電子機(jī)械系統(tǒng)(micro-electro-mechanical-system,?mems)技術(shù)具有微小、可執(zhí)行、可集成、工藝兼容性好、成本低等諸多優(yōu)點(diǎn)，故其已開始廣泛應(yīng)用于諸多領(lǐng)域。mems微橋結(jié)構(gòu)是mems領(lǐng)域中應(yīng)用非常廣泛的...

本發(fā)明屬于超材料制備領(lǐng)域，具體涉及一種大深寬比陷光微結(jié)構(gòu)的制作方法。、隨著科技的進(jìn)步和新能源需求的增加，高效、穩(wěn)定的光伏器件和光學(xué)傳感器受到了廣泛關(guān)注。陷光微結(jié)構(gòu)作為超材料的重要分支，通過亞波長結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)超寬帶光吸收。其核心原理是利用周期性納米結(jié)構(gòu)調(diào)控光傳播路徑，結(jié)合局域場增強(qiáng)效應(yīng)，突破...

本發(fā)明屬于超材料制備領(lǐng)域，具體涉及一種雙面微納結(jié)構(gòu)制造方法。、超材料是一類通過亞波長尺度人工結(jié)構(gòu)單元排列而成的人工材料，其物理性質(zhì)取決于結(jié)構(gòu)而非組成材料本身。早期的超材料研究主要集中在微波和雷達(dá)波段，典型應(yīng)用包括電磁波吸收器。這些雷達(dá)超材料通常利用周期性結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)對電磁波的有效操控，從而表現(xiàn)...

本公開涉及圖像傳感器，更特別地涉及用于圖像傳感器穩(wěn)定的壓電致動(dòng)平臺(tái)。、圖像傳感器或成像器是檢測和傳送用于形成圖像的信息的傳感器。這通過將光波的可變衰減(當(dāng)它們通過或反射離開物體時(shí))轉(zhuǎn)換為傳送信息的信號(例如電流)來實(shí)現(xiàn)。圖像傳感器可以用于模擬和數(shù)字類型的電子成像設(shè)備，其可以包括數(shù)碼相機(jī)，相...

本發(fā)明涉及細(xì)線排布，尤其涉及一種基于激光加工復(fù)合液體自組裝的微納米絲排布方法。、微納米絲的高精度組裝在光電子芯片、光耦合系統(tǒng)、半導(dǎo)體器件制造等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用，是實(shí)現(xiàn)微器件功能化的重要技術(shù)。金屬絲和光纖等微納米絲的精準(zhǔn)、高效組裝是光電微器件生產(chǎn)中制作光焊引線和芯片導(dǎo)線等結(jié)構(gòu)的重要方法。、加...

本申請涉及電子裝置，且確切地說，涉及包封的微機(jī)電系統(tǒng)(mems)裝置。、微機(jī)電系統(tǒng)(mems)裝置將微型機(jī)械元件、傳感器、致動(dòng)器和電子設(shè)備集成到單個(gè)硅襯底上。這些緊湊的系統(tǒng)(尺寸通常在微米到毫米的范圍內(nèi))使用微制造原理來創(chuàng)建功能裝置。mems技術(shù)在例如航空航天、醫(yī)療保健、電信和消費(fèi)型電子設(shè)...

本發(fā)明涉及mems掃描鏡制備，尤其涉及一種mems掃描鏡的制備工藝。、目前，mems掃描鏡一般包括單軸掃描鏡和雙軸掃描鏡，雙軸mems掃描鏡相對單軸mems掃描鏡，功能上更具有優(yōu)勢，由于金屬走線的限制，pzt壓電雙軸mems掃描鏡一般為諧振式，扭轉(zhuǎn)梁相對較寬，剛度更大，可滿足走線的需求，無...

本發(fā)明涉及碳納米管基材料加工，尤其是涉及一種碳納米管功能器件及其制造方法。、碳納米管（cnt）作為一種具有優(yōu)異電學(xué)、熱學(xué)和力學(xué)性質(zhì)的納米材料，已被廣泛應(yīng)用于各種高性能器件的制造中。然而，cnt基材料在加工過程中，表面質(zhì)量的控制與器件性能的提升一直是技術(shù)瓶頸，尤其是在表面粗糙度、界面缺陷等方...

本技術(shù)涉及硅應(yīng)變片生產(chǎn)，尤其涉及一種硅mems應(yīng)變片腐蝕減薄裝置。、硅應(yīng)變片腐蝕減薄裝置是一種用于將硅應(yīng)變片表面材料去除，實(shí)現(xiàn)減薄的設(shè)備。這種裝置在半導(dǎo)體制造、硅片、光學(xué)材料加工、薄膜材料制備等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，硅應(yīng)變片腐蝕減薄可以采用機(jī)械減薄和化學(xué)減薄兩種方法。、機(jī)械減薄是指通過物理方...

本技術(shù)涉及芯片封裝的，特別涉及一種mems芯片的封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備。、隨技術(shù)的不斷迭代進(jìn)步，mems傳感器芯片尺寸越來越小，芯片做小的優(yōu)勢是可降低生產(chǎn)成本。、然而，芯片做小的同時(shí)，芯片的背腔尺寸也同樣縮小。一方面，當(dāng)背腔尺寸減小時(shí)，空氣的流動(dòng)受到限制，空氣阻尼作用增大，這會(huì)導(dǎo)致傳感器的振動(dòng)...

本公開涉及具有改善的外部流體耦合的微機(jī)電傳感器及其制造工藝。、環(huán)境量傳感器，諸如mems(微機(jī)電)氣壓傳感器、濕度傳感器、氣體和化學(xué)檢測器和傳感器以及流量傳感器，通常包括感測元件，感測元件被封裝在外殼中并且通過外殼中的一個(gè)或多個(gè)入口孔以及內(nèi)部流體路徑被連接到外部環(huán)境，以接收待被測量的量。在...

本申請涉及振鏡，尤其涉及一種mems微鏡、光學(xué)裝置及終端設(shè)備。、振鏡的振動(dòng)頻率影響成像的分辨率，相關(guān)技術(shù)中振鏡的振動(dòng)頻率較低，導(dǎo)致掃描速度較低或成像分辨率較低。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本申請?zhí)峁┮环Nmems微鏡、光學(xué)裝置及終端設(shè)備，能夠提高成像的分辨率。、第一方面，本申請?zhí)峁┮环Nmems微鏡，所述m...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種lift-off制程中改善金屬膜圖形異常的方法及芯片結(jié)構(gòu)。、微機(jī)電系統(tǒng)(mems)器件的制造融合了微電子技術(shù)與微機(jī)械加工，過程中需要對功能層表面進(jìn)行金屬圖形化覆蓋，并堆疊多種結(jié)構(gòu)層，實(shí)現(xiàn)壓力、機(jī)械振動(dòng)、加速度等物理信號向電信號的轉(zhuǎn)換和處理，從...

本技術(shù)涉及半導(dǎo)體，具體為一種傳感器芯片。、隨著技術(shù)的不斷迭代進(jìn)步，mems(微機(jī)電系統(tǒng))傳感器芯片的尺寸逐漸縮小，將芯片做小的優(yōu)勢是能夠降低生產(chǎn)成本；但芯片尺寸做小的同時(shí)，膜層結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)的應(yīng)力對膜層的影響越發(fā)明顯。例如，當(dāng)膜層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)成多邊形結(jié)構(gòu)時(shí)，應(yīng)力會(huì)集中在多邊形結(jié)構(gòu)中各個(gè)角的位置；若...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種半導(dǎo)體器件。、mems（微機(jī)電系統(tǒng)）芯片的大致結(jié)構(gòu)是基于硅晶片上沉積各種功能層材料，最終通過背部刻蝕(drie)的方式，使得mems芯片薄膜得以成型。該過程即深硅刻蝕過程，將原本沉積在硅上方的各種功能層保留，下方的硅襯底刻蝕掉。一般來說，刻蝕掉的硅上方是成型的...