本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種半導(dǎo)體制程抽樣檢測(cè)方法。
背景技術(shù)：
1、晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓，在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之ic產(chǎn)品，晶圓廠在量產(chǎn)晶圓的生產(chǎn)過(guò)程中，在量測(cè)站點(diǎn)對(duì)晶圓進(jìn)行量測(cè)收值，生產(chǎn)量較大時(shí)，全面檢測(cè)每一片晶圓是不現(xiàn)實(shí)的，在晶圓制成過(guò)程中，需要對(duì)晶圓進(jìn)行檢測(cè)。若對(duì)每一個(gè)產(chǎn)品均進(jìn)行檢測(cè)，那么需要n臺(tái)scan掃描機(jī)臺(tái)，花費(fèi)相當(dāng)大的成本，同樣影響到生產(chǎn)效率，因此，通常采用抽樣檢測(cè)。
2、目前采用方法是，通常會(huì)按照產(chǎn)品批次編號(hào)的尾數(shù)或機(jī)臺(tái)產(chǎn)品數(shù)量進(jìn)行抽檢，現(xiàn)有的抽檢方法很單一，并且存在抽檢靈活性和精確性不高，檢測(cè)效率低的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體制程抽樣檢測(cè)方法，通過(guò)動(dòng)態(tài)配置檢測(cè)站點(diǎn)與制程站點(diǎn)的關(guān)聯(lián)關(guān)系，結(jié)合批次、晶圓數(shù)量、時(shí)間及組合規(guī)則設(shè)定抽檢條件，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)靈活控制抽檢頻率與數(shù)量，通過(guò)記錄晶圓加工時(shí)間、累計(jì)數(shù)量等關(guān)鍵數(shù)據(jù)，結(jié)合候選晶圓篩選和補(bǔ)片機(jī)制，優(yōu)化抽樣覆蓋率。針對(duì)多子機(jī)臺(tái)場(chǎng)景，支持獨(dú)立抽檢規(guī)則配置與優(yōu)先級(jí)協(xié)調(diào)，顯著提升檢測(cè)效率及工藝監(jiān)控精度。
2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體制程抽樣檢測(cè)方法，包括以下步驟：s1：根據(jù)產(chǎn)品主流程配置待檢測(cè)的站點(diǎn)，并建立檢測(cè)站點(diǎn)與其上游的制程站點(diǎn)的關(guān)聯(lián)關(guān)系；s2：根據(jù)所述制程站點(diǎn)的加工能力匹配對(duì)應(yīng)的設(shè)備類型，配置抽檢規(guī)則，所述抽檢規(guī)則包括批次抽檢、晶圓抽檢、時(shí)間抽檢、組合抽檢其中至少一種抽檢類型；s3：批次在所述制程站點(diǎn)加工完成后，制程站點(diǎn)記錄關(guān)聯(lián)的檢測(cè)站點(diǎn)信息和第一晶圓信息，所述第一晶圓信息包括累計(jì)批次數(shù)量、累計(jì)晶圓數(shù)量以及晶圓出設(shè)備時(shí)間；s4：當(dāng)所述批次首次到達(dá)所述檢測(cè)站點(diǎn)時(shí)，進(jìn)站抽檢，所述檢測(cè)站點(diǎn)記錄關(guān)聯(lián)的制程站點(diǎn)、設(shè)備名稱以及第二晶圓信息，所述第二晶圓信息包括抽檢批次累計(jì)數(shù)量、進(jìn)站批次晶圓數(shù)量以及批次中最后一片晶圓出設(shè)備的時(shí)間信息；s5：若批次非首次到達(dá)所述檢測(cè)站點(diǎn)，計(jì)算批次在制程站點(diǎn)的最大累計(jì)晶圓信息和檢測(cè)站點(diǎn)的最新記錄信息之間的差值，當(dāng)所述差值大于等于抽檢類型的設(shè)定閾值時(shí)，批次進(jìn)站抽檢；s6：檢測(cè)站點(diǎn)執(zhí)行選片操作，判斷當(dāng)前抽檢周期內(nèi)是否選滿目標(biāo)晶圓數(shù)量，若未選滿，則根據(jù)批次內(nèi)晶圓信息與檢測(cè)站點(diǎn)歷史記錄的晶圓信息篩選候選晶圓，并補(bǔ)足剩余數(shù)量，若候選晶圓數(shù)量超過(guò)目標(biāo)數(shù)量，則隨機(jī)選??；s7：當(dāng)制程站點(diǎn)包含多個(gè)子機(jī)臺(tái)時(shí)，每個(gè)子機(jī)臺(tái)獨(dú)立配置所述抽檢規(guī)則，并在檢測(cè)站點(diǎn)中優(yōu)先選擇滿足最多抽檢規(guī)則的晶圓。
3、優(yōu)選地，所述批次抽檢具體為：設(shè)定每完成n個(gè)批次為一個(gè)抽檢周期；所述晶圓抽檢具體為：設(shè)定每加工m片晶圓為一個(gè)抽檢周期；所述時(shí)間抽檢具體為：設(shè)定每間隔時(shí)間t為一個(gè)抽檢周期；所述組合抽檢具體為：根據(jù)批次、晶圓、時(shí)間中的至少兩種參數(shù)組合設(shè)定抽檢條件；所述抽檢規(guī)則進(jìn)一步包括：當(dāng)配置為組合抽檢時(shí)，滿足任一設(shè)定閾值即進(jìn)站抽檢，或滿足全部設(shè)定閾值后進(jìn)站抽檢。
4、優(yōu)選地，所述步驟s6中選片操作具體包括：若選片未滿，記錄候選晶圓信息并在后續(xù)批次中進(jìn)行補(bǔ)片，選擇補(bǔ)片批次中大于前批次最大晶圓信息的晶圓作為補(bǔ)片。
5、優(yōu)選地，所述步驟s2還包括：在所述制程站點(diǎn)之后配置虛擬量測(cè)站點(diǎn)，使用虛擬量測(cè)站點(diǎn)對(duì)批次執(zhí)行量測(cè)操作；獲取量測(cè)結(jié)果，當(dāng)所述量測(cè)結(jié)果沒(méi)有超出規(guī)格/超出控制時(shí)，執(zhí)行步驟s3-s7；當(dāng)所述量測(cè)結(jié)果為超出規(guī)格/超出控制/無(wú)量測(cè)結(jié)果時(shí)，批次進(jìn)站檢測(cè)，配置抽檢晶圓規(guī)則并執(zhí)行抽檢，所述抽檢晶圓規(guī)則如下：若所述批次中所有晶圓都無(wú)量測(cè)結(jié)果，按照預(yù)設(shè)片數(shù)抽檢，進(jìn)站檢測(cè)；若所述批次中所有晶圓均有量測(cè)，其中部分晶圓的量測(cè)結(jié)果為超出規(guī)格或超出控制，抽檢所述部分晶圓進(jìn)站檢測(cè)；若所述批次中有未量測(cè)晶圓，從所述未量測(cè)晶圓按照預(yù)設(shè)片數(shù)抽檢，進(jìn)站檢測(cè)。
6、優(yōu)選地，所述方法還包括：在所述步驟s1中所述制程站點(diǎn)的數(shù)量大于1時(shí)，每個(gè)制程站點(diǎn)與檢測(cè)關(guān)系建立關(guān)聯(lián)關(guān)系，按照所述步驟s2對(duì)每個(gè)制程站點(diǎn)執(zhí)行配置，每個(gè)制程站點(diǎn)均按照步驟s3執(zhí)行記錄信息；當(dāng)批次到達(dá)檢測(cè)站點(diǎn)時(shí)，若其中一個(gè)制程站點(diǎn)滿足所述設(shè)定閾值時(shí)，批次進(jìn)站抽檢，若每個(gè)制程站點(diǎn)均不滿足所述設(shè)定閾值，批次不進(jìn)站抽檢；批次進(jìn)入檢測(cè)站點(diǎn)后，所述檢測(cè)站點(diǎn)根據(jù)關(guān)聯(lián)關(guān)系執(zhí)行步驟s4；若所有制程站點(diǎn)均滿足批次進(jìn)站抽檢條件，根據(jù)所述關(guān)聯(lián)關(guān)系按照所述步驟s6執(zhí)行選片操作，并抽檢覆蓋加工設(shè)備最多的晶圓；若其中一個(gè)制程站點(diǎn)滿足批次進(jìn)站抽檢條件，且有晶圓在其它制程站點(diǎn)加工，所述檢測(cè)站點(diǎn)根據(jù)該制程站點(diǎn)更新累計(jì)信息。
7、優(yōu)選地，所述方法還包括：記錄抽檢事件：記錄批次信息、制程站點(diǎn)信息、到達(dá)檢測(cè)站點(diǎn)的抽檢步驟以及進(jìn)站或跳站的原因。
8、優(yōu)選地，所述方法還包括：配置抽檢參數(shù)，設(shè)置所述抽檢參數(shù)的優(yōu)先級(jí)，按照所述優(yōu)先級(jí)執(zhí)行邏輯判斷，得到判斷結(jié)果，根據(jù)所述判斷結(jié)果觸發(fā)進(jìn)站或者跳站或者其它抽檢規(guī)則。
9、優(yōu)選地，所述抽檢參數(shù)包括參考隊(duì)列時(shí)間閾值、進(jìn)站批次編號(hào)、跳站批次編號(hào)、小批次晶圓數(shù)量閾值及抽檢晶圓數(shù)量。
10、優(yōu)選地，設(shè)置所述抽檢參數(shù)的優(yōu)先級(jí)，具體包括，所述抽檢參數(shù)的優(yōu)先級(jí)按照從大到小依次排序?yàn)椋?參考隊(duì)列時(shí)間閾值、進(jìn)站批次編號(hào)、跳站批次編號(hào)、小批次晶圓數(shù)量閾值、抽檢晶圓數(shù)量。
11、通過(guò)本發(fā)明提供的技術(shù)方案，本發(fā)明至少具有如下技術(shù)效果：
12、通過(guò)動(dòng)態(tài)配置檢測(cè)站點(diǎn)與制程站點(diǎn)的關(guān)聯(lián)關(guān)系，結(jié)合批次、晶圓數(shù)量、時(shí)間及組合規(guī)則設(shè)定抽檢條件，可以精準(zhǔn)靈活控制抽檢頻率與數(shù)量；通過(guò)記錄晶圓加工時(shí)間、累計(jì)數(shù)量等關(guān)鍵數(shù)據(jù)，結(jié)合候選晶圓篩選和補(bǔ)片機(jī)制，優(yōu)化抽樣覆蓋率；針對(duì)多子機(jī)臺(tái)場(chǎng)景，支持獨(dú)立抽檢規(guī)則配置與優(yōu)先級(jí)協(xié)調(diào)，顯著提升檢測(cè)效率及工藝監(jiān)控精度。
1.一種半導(dǎo)體制程抽樣檢測(cè)方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體制程抽樣檢測(cè)方法，其特征在于，所述步驟s2中，所述批次抽檢具體為：設(shè)定每完成n個(gè)批次為一個(gè)抽檢周期；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種半導(dǎo)體制程抽樣檢測(cè)方法，其特征在于，所述步驟s6中選片操作具體包括：若選片未滿，記錄候選晶圓信息并在后續(xù)批次中進(jìn)行補(bǔ)片，選擇補(bǔ)片批次中大于前批次最大晶圓信息的晶圓作為補(bǔ)片。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種半導(dǎo)體制程抽樣檢測(cè)方法，其特征在于，所述步驟s2還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種半導(dǎo)體制程抽樣檢測(cè)方法，其特征在于，所述方法還包括：在所述步驟s1中所述制程站點(diǎn)的數(shù)量大于1時(shí)，每個(gè)制程站點(diǎn)與檢測(cè)關(guān)系建立關(guān)聯(lián)關(guān)系，按照所述步驟s2對(duì)每個(gè)制程站點(diǎn)執(zhí)行配置，每個(gè)制程站點(diǎn)均按照步驟s3執(zhí)行記錄信息；
6.根據(jù)權(quán)利要求3-5中任一所述的一種半導(dǎo)體制程抽樣檢測(cè)方法，其特征在于，所述方法還包括：記錄抽檢事件：記錄批次信息、制程站點(diǎn)信息、到達(dá)檢測(cè)站點(diǎn)的抽檢步驟以及進(jìn)站或跳站的原因。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體制程抽樣檢測(cè)方法，其特征在于，所述方法還包括：配置抽檢參數(shù)，設(shè)置所述抽檢參數(shù)的優(yōu)先級(jí)，按照所述優(yōu)先級(jí)執(zhí)行邏輯判斷，得到判斷結(jié)果，根據(jù)所述判斷結(jié)果觸發(fā)進(jìn)站或者跳站或者其它抽檢規(guī)則。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種半導(dǎo)體制程抽樣檢測(cè)方法，其特征在于，所述抽檢參數(shù)包括參考隊(duì)列時(shí)間閾值、進(jìn)站批次編號(hào)、跳站批次編號(hào)、小批次晶圓數(shù)量閾值及抽檢晶圓數(shù)量。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種半導(dǎo)體制程抽樣檢測(cè)方法，其特征在于，設(shè)置所述抽檢參數(shù)的優(yōu)先級(jí)，具體包括，所述抽檢參數(shù)的優(yōu)先級(jí)按照從大到小依次排序?yàn)椋?參考隊(duì)列時(shí)間閾值、進(jìn)站批次編號(hào)、跳站批次編號(hào)、小批次晶圓數(shù)量閾值、抽檢晶圓數(shù)量。