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本發(fā)明屬于半導體，特別是涉及一種mems器件結(jié)構(gòu)及其制備方法。現(xiàn)有的mems器件結(jié)構(gòu)中膜層結(jié)構(gòu)位于背極板的下方，膜層結(jié)構(gòu)與背極板由空氣間隙相隔離，由于所述膜層結(jié)構(gòu)與所述背極板之間的間隙很小，且所述膜層結(jié)構(gòu)在外力作用下會發(fā)生形變，在mems器件結(jié)構(gòu)工作時，所述膜層結(jié)構(gòu)發(fā)生形變時會與所...

本公開涉及光學部件，且具體涉及適于重定向光束的衍射光柵，以及使用這種衍射光柵的模塊和系統(tǒng)。背景衍射光柵是利用周期性或準周期性光柵結(jié)構(gòu)上的光學衍射現(xiàn)象來分離不同波長的光的光學器件。光的衍射角取決于光的波長與周期性或準周期性光柵結(jié)構(gòu)的周期的比率，使得衍射光柵將照射的多波長光束分散成不同波長的子光束扇。...

本發(fā)明要求于2018年5月2日提交的澳大利亞臨時專利申請第2018901480號的優(yōu)先權(quán)，該專利申請的全部內(nèi)容通過交叉引用并入本文。本發(fā)明涉及在半導體表面中摻入摻雜劑原子的方法。具體地，本發(fā)明涉及一種用于在半導體晶體中確定性地摻入來自氣態(tài)源的摻雜劑的方法。建立糾錯量子計算電路的有希望的途徑...

本實用新型涉及柔性可延展電子器件，特別涉及一種基于中性層基底的柔性可延展彎曲傳感器。可穿戴運動傳感器在運動分析中占有非常重要的地位，已經(jīng)廣泛應用于運動學、人體工程學、智能醫(yī)療系統(tǒng)等領(lǐng)域。傳統(tǒng)運動傳感器如光學傳感器、慣性傳感器具有方便易用、響應速度快等優(yōu)勢，但其剛性界面與人體貼附性差...

本申請是有關(guān)于一種封裝技術(shù)，特別是一種非扇出型封裝的芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制法。微機電(mems)通常包含一個微處理器和一個用以取得環(huán)境信息的微型傳感器，因此，一個微機電芯片上通常具有一個可直接或至少間接接觸環(huán)境信息的感測區(qū)，這些感測區(qū)可能必須裸露，并且不會被常規(guī)封裝材料包覆?，F(xiàn)有微機電芯片貼裝...

本發(fā)明涉及半導體封裝，特別是涉及一種硅基光刻膠介質(zhì)橫向傳輸線結(jié)構(gòu)的制作工藝。隨著硅基微機電（mems）和射頻硅通孔（rftsv）工藝技術(shù)的發(fā)展，三維異構(gòu)集成信號收發(fā)微系統(tǒng)技術(shù)成為下一代軍用高集成電子系統(tǒng)技術(shù)發(fā)展重要方向，三維異構(gòu)集成是將不同尺寸質(zhì)地的芯片埋入硅基襯底上的硅空腔通過后...

本發(fā)明涉及微納米，具體涉及流體力掃描探針顯微鏡(fluidfmprobemicroscope,fpm)的核心部件——中空懸臂探針及其制備方法。單細胞研究對生物學和醫(yī)學有著重要的意義，為細胞的功能、細胞間相互作用和細胞對外源性刺激的反應提供更多的細節(jié)和原理。流體力顯微鏡(fluidf...

交叉引用本專利申請案主張于2018年10月2日提交的編號為62/740,013的美國臨時專利申請案以及于2018年3月16日提交的編號為62/644,303的美國臨時專利申請案提交日期的優(yōu)先權(quán)，上述專利中的內(nèi)容以引用方式并入本文中。聯(lián)邦資助的研究與開發(fā)本發(fā)明專利獲得了政府的支持，其中，美國國立衛(wèi)生...

相關(guān)申請案的交叉參考本申請案要求2018年5月1日提交的美國臨時專利申請案第62/665,280號的優(yōu)先權(quán)，所述申請案全部內(nèi)容通過全文引用的方式并入本文中。本公開提供基于通過基因修飾的所選細胞類型在體內(nèi)表達治療蛋白的治療方案。所述治療方案可以另外利用細胞引誘劑將所選細胞類型引誘到治療部位和/或所述...

本公開內(nèi)容涉及具有溫度穩(wěn)定輸出的電容式傳感器。微機電系統(tǒng)(mems)傳感器能夠用于測量環(huán)境的特性。作為示例，mems傳感器能夠確定環(huán)境中的環(huán)境氣壓。發(fā)明內(nèi)容集成電路(ic)器件能夠包括集成傳感器，該集成傳感器基于兩個電極之間的電容變化來測量環(huán)境的特性。作為示例，壓力傳感器能夠包括柔性膜和定...

本發(fā)明涉及自支撐氧化物薄膜轉(zhuǎn)移，特別涉及一種二維超薄自支撐薄膜、其轉(zhuǎn)移方法及其物理性質(zhì)調(diào)控方法。柔韌性和延展性是未來可穿戴電子器件的重要特征，而氧化物薄膜，特別是二維鐵電薄膜作為一種極具吸引力的材料在納米電子學中具有廣泛的應用潛力。在傳統(tǒng)的2d材料中，如石墨烯和過渡金屬雙鹵代化合物...

本發(fā)明涉及一種微區(qū)加熱陣列技術(shù)，尤其涉及一種用于半導體微納集成元件的選擇性轉(zhuǎn)移的可定位溫控微區(qū)加熱陣列技術(shù)，可對微納集成陣列中指定位置的單個或多個位置上的元件進行轉(zhuǎn)移、移除、焊接和修補的操作。自20世紀60年代以來，大規(guī)模集成電路的元件集成度按照moore定律以平均每18個月增加一倍的速度...

本發(fā)明應用于雙向原子級開關(guān)的制備，尤其是利用激光來實現(xiàn)，涉及分子電子學、納米材料、化學等諸多領(lǐng)域。隨著信息時代的快速發(fā)展，對電子元器件的微型化、集成化要求迫切，分子電子學因此發(fā)展迅猛，其中開關(guān)元器件一直深受關(guān)注。相對于分子開關(guān)來說，原子開關(guān)(只有電極，沒有分子)更穩(wěn)定，重復性更高，且尺寸更...

本公開涉及一種產(chǎn)生微機電mems裝置的方法和相應的mems裝置，并且尤其涉及一種包括玻璃蓋的包封的mems裝置。微機電系統(tǒng)mems是一種包括具有微米范圍內(nèi)以及更低的電氣和機械部件的系統(tǒng)。通常，mems可形成于mems襯底中。mems襯底可以包括由不同材料形成的若干層，例如半導體層、介電層及...

本發(fā)明涉及半導體器件制造領(lǐng)域，特別是指一種mems產(chǎn)品橋梁結(jié)構(gòu)中，能夠有效的支撐mems鏤空的紅外mems橋梁柱結(jié)構(gòu)，可以有效的降低橋梁結(jié)構(gòu)翹曲帶來的后續(xù)封裝異常。本發(fā)明還涉及所述紅外mems橋梁柱結(jié)構(gòu)的工藝方法。微機電系統(tǒng)(mems,micro-electro-mechanicalsys...

本實用新型涉及微電子機械系統(tǒng)領(lǐng)域，尤其涉及一種mems傳感器封裝結(jié)構(gòu)?；诎雽w集成電路技術(shù)以及微細加工技術(shù)，微機電系統(tǒng)(microelectromechanicalsystems，mems)得以迅速發(fā)展起來，mems傳感器集微型化、集成化和可批量生產(chǎn)化等特點于一身，被廣泛應用于眾多領(lǐng)域，...

相關(guān)申請的交叉引用本申請要求2017年7月13日提交的標題為“在可編程51-原子量子模擬器上探索多體動力學(probingmany-bodydynamicsonaprogramable51-atomquantumsimulator)”的美國臨時申請?zhí)?2/531,993的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，所述申請的公...

現(xiàn)有技術(shù)本發(fā)明基于根據(jù)獨立權(quán)利要求的種類的方法或裝置。已知通過原子層沉積（也稱為原子層沉積或簡稱為ald）和由前體分子形成的所謂的自組裝單層（也稱為自組裝單層膜或簡稱為sam）來制造層。在此，前體分子（也稱為前體或前體分子）例如在硅或玻璃表面上的結(jié)合位點處對接，其中，取決于前體，也可以發(fā)生前體分子...

現(xiàn)有技術(shù)本發(fā)明基于根據(jù)獨立權(quán)利要求的種類的方法或裝置。在由前體分子制成的所謂的自組裝單層（也稱為自組裝單層膜或簡稱sam）的情況下，前體例如在硅或玻璃表面的結(jié)合位點處對接，其中取決于前體，也可發(fā)生前體分子的彼此交聯(lián)。這些過程通常是自限性的，即在一個單層沉積并占據(jù)表面上所有可用的結(jié)合位置之后，就不再...

本發(fā)明屬于激光應用，更具體地，涉及一種基于飛秒激光直寫的金屬氧化物微納結(jié)構(gòu)、其制備和應用。金屬氧化物是當今社會應用最為廣泛的材料之一，在超導、氣敏、催化等方面具有眾多優(yōu)異的特性，已成為光電子領(lǐng)域非常具有發(fā)展前景的理想材料?；诩{米材料的表面效應、量子尺寸效應和宏觀量子隧道效應等特異...