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本發(fā)明涉及功能材料制備，尤其涉及一種含有序微球陣列的復(fù)合材料及其制備方法。含有序微球陣列的復(fù)合材料中微球通常以二維陣列或三維陣列的形式分布，這類復(fù)合材料具有很多特性，在有序大孔材料的化學(xué)模板、光過(guò)濾、催化載體、電磁和微波的屏蔽、輻射屏蔽等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。目前含二維微球陣列的...

本發(fā)明屬于集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，尤其涉及一種mems傳感器微橋橋面的制作方法。微機(jī)電系統(tǒng)(microelectromechanicalsystems，mems)傳感器是采用微電子和微機(jī)械加工技術(shù)制造出來(lái)的新型傳感器。與傳統(tǒng)的傳感器相比，它具有體積小、重量輕、成本低、功耗低、可靠性高、適于批量化...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體的，涉及一種mems支撐和電連接孔結(jié)構(gòu)及制備方法。傳統(tǒng)mems結(jié)構(gòu)一般都設(shè)置有支撐和電連接結(jié)構(gòu)，用于支撐微橋結(jié)構(gòu)并實(shí)現(xiàn)電連接，常規(guī)圖形化工藝一般將該結(jié)構(gòu)設(shè)置為側(cè)面垂直結(jié)構(gòu)，以降低其占用的面積，并提高填充因子，但是為了提升電連接的效果，會(huì)將側(cè)壁角度做成小于90度的斜角...

本發(fā)明涉及聲電轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，尤其涉及一種揚(yáng)聲器的制作方法?；趍ems技術(shù)的微型揚(yáng)聲器是揚(yáng)聲器的一種，其結(jié)合了大頻率帶寬和高音質(zhì)的優(yōu)勢(shì)，能夠帶來(lái)極高品質(zhì)的聲學(xué)表現(xiàn)。此外，它們的尺寸非常小，能夠很輕松地集成至耳機(jī)中?，F(xiàn)有技術(shù)中，制作所述揚(yáng)聲器的方法一般依賴于晶圓鍵合(bondin...

本發(fā)明涉及微電子，特別是一種pt對(duì)稱垂動(dòng)微機(jī)電系統(tǒng)。在1998年，美國(guó)華盛頓大學(xué)的c.m.bender教授提出了一種pt對(duì)稱的哈密頓量，該哈密頓量不具有厄米性，但也同樣有實(shí)解。這里的p和t分別代表了宇稱（parity）變換和時(shí)間（time）變換。在bender教授提出pt對(duì)稱概念后...

本發(fā)明屬于微納流控芯片的加工鍵合領(lǐng)域，具體涉及微溝道芯片-pdms-納結(jié)構(gòu)芯片鍵合方法。目前的微納流控芯片鍵合通常是選用玻璃微納流控芯片進(jìn)行鍵合，在鍵合時(shí)可采用一塊玻璃直接進(jìn)行鍵合的方式進(jìn)行，但在鍵合時(shí)對(duì)玻璃基片溝道的光刻技術(shù)要求較高，這對(duì)實(shí)驗(yàn)人員及實(shí)驗(yàn)環(huán)境都提出較高要求；若采用玻璃與玻璃...

本發(fā)明涉及微納米制造加工，具體地，涉及一種碎片樣品的平面擴(kuò)展方法以及平面擴(kuò)展的碎片樣品。微納加工技術(shù)指在亞毫米、微米和納米量級(jí)的尺度上對(duì)元件以及由這些元件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)、加工、組裝、系統(tǒng)集成等，涉及多個(gè)領(lǐng)域和學(xué)科，是先進(jìn)制造的重要組成部分。如今基于微納加工技術(shù)，可以在...

本發(fā)屬于石英敏感結(jié)構(gòu)加工，具體涉及一種一體化石英振梁側(cè)面電極加工的方法。石英振梁加速度計(jì)是一種采用石英晶體制作的微機(jī)械傳感器件，其敏感結(jié)構(gòu)即為石英振梁。石英振梁加速度計(jì)具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低、重量小、功耗低、精度高等優(yōu)點(diǎn)，自問(wèn)世以來(lái)一直是世界各國(guó)關(guān)注的重點(diǎn)，在測(cè)繪、軍工、航空航天、勘...

本發(fā)明屬于微納生物芯片制造，具體涉及一種納米針陣列及其制備方法和應(yīng)用。金剛石是性能獨(dú)特的多功能材料，集電學(xué)、光學(xué)、力學(xué)、熱學(xué)等極端物化性質(zhì)于一體。一維納米金剛石除了具有金剛石固有的物理化學(xué)性質(zhì)以外，其形貌及尺寸的改變也使其擁有一些塊體金剛石所沒(méi)有的特性，如既硬又彈的力學(xué)性能、高的比...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，特別是涉及一種mems晶圓切割對(duì)準(zhǔn)方法及mems晶圓。mems(micro-electro-mechanicalsystems)元件從開(kāi)始主要應(yīng)用于打印機(jī)和汽車電子等市場(chǎng)，到現(xiàn)在大量應(yīng)用于智能手機(jī)等消費(fèi)電子市場(chǎng)，mems產(chǎn)業(yè)最近5年的發(fā)展，已大幅超越過(guò)往20年潛伏...

本案是關(guān)于一種控制電路，尤指一種微機(jī)電流體裝置的控制電路。隨著科技的日新月異，傳統(tǒng)的流體輸送裝置已朝向裝置微小化、流量極大化的方向進(jìn)行。在應(yīng)用上也愈來(lái)愈多元化，舉凡工業(yè)應(yīng)用、生醫(yī)應(yīng)用、醫(yī)療保健、電子散熱到近來(lái)熱門(mén)的穿戴式裝置皆可見(jiàn)它的蹤影。然而，近年來(lái)微機(jī)電相關(guān)制程以一體成型的方式來(lái)達(dá)成流...

本發(fā)明涉及一種梳齒結(jié)構(gòu)及其制備方法，特別地涉及一種具有初始位置偏置的梳齒結(jié)構(gòu)及其制備方法。現(xiàn)有技術(shù)的一種梳齒結(jié)構(gòu)裝置，其由兩個(gè)梳狀結(jié)構(gòu)組成，一個(gè)是移動(dòng)的，一個(gè)是靜止的，其指狀是相互交叉的，即可用于驅(qū)動(dòng)也可用于檢測(cè)，一般來(lái)說(shuō)，設(shè)置靜梳齒在左邊，動(dòng)梳齒在右邊，設(shè)置左右方向?yàn)閤方...

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求2018年3月14日申請(qǐng)的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)?zhí)?2/642,985的權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容出于所有目的通過(guò)引用結(jié)合在此。本發(fā)明一般來(lái)說(shuō)涉及微機(jī)電系統(tǒng)(“mems”)、納米機(jī)電系統(tǒng)(“nems”)和制造mems和nems的方法。更具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明涉及制造亞微米特征。低成本lc...

本實(shí)用新型涉及一種用飛秒激光雙光子聚合技術(shù)制備抗倒伏的大尺寸微結(jié)構(gòu)。近年來(lái)，隨著微機(jī)電系統(tǒng)、微納電子技術(shù)、芯片制造技術(shù)的快速發(fā)展，如何在基底上制備出穩(wěn)定存在的微結(jié)構(gòu)受到了廣泛的關(guān)注。該技術(shù)對(duì)于未來(lái)微納米制造技術(shù)，光刻技術(shù)，微型化、集成化、功能化等裝置的制造具有一定的參考價(jià)值。與宏觀尺寸物體...

本發(fā)明涉及納米結(jié)構(gòu)制備，尤其涉及一種金屬氧化物納米線陣列的制備方法及其制備的納米線陣列。基于一維納米陣列的金屬氧化物傳感器可以通過(guò)納米結(jié)構(gòu)作為敏感單元發(fā)生對(duì)待測(cè)量的響應(yīng)，由于納米結(jié)構(gòu)往往表面積與體積之比極大，體積小以及不同于宏觀物質(zhì)的特殊性能，因此器件往往具有可便攜、功耗低和靈敏度...

本發(fā)明屬于微納米測(cè)量?jī)x器計(jì)量，尤其涉及一種基于多層膜沉積的尋跡式線寬標(biāo)準(zhǔn)樣片及其制備方法。線寬標(biāo)準(zhǔn)樣片廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體和微電子領(lǐng)域中掃描電子顯微鏡(scanning-electron-microscope，sem)、關(guān)鍵尺寸掃描電鏡(critical-dimensionscanni...

本發(fā)明涉及濾波器領(lǐng)域，特別是一種具有可動(dòng)鏡面的法珀腔器件及其制作工藝。基于fabry-perot（法伯腔）干涉的可調(diào)濾波器件（tuneablefpi）可以應(yīng)用在微型光譜儀和小型甚至迷你高光譜相機(jī)。在可見(jiàn)光-近紅外范圍的fpi器件通常使用光學(xué)玻璃（例如合成石英玻璃）作為襯底，通過(guò)光學(xué)和半導(dǎo)體...

本發(fā)明涉及熱電堆傳感器領(lǐng)域，具體涉及一種mems熱電堆紅外探測(cè)器的制備方法。近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體、精密儀器和微加工技術(shù)的快速發(fā)展，紅外傳感器不僅在軍事探測(cè)、雷達(dá)制導(dǎo)、火災(zāi)報(bào)警等國(guó)防工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮著主導(dǎo)作用，還滲透到醫(yī)療診斷、智能家居等民用生活領(lǐng)域。如何提高紅外傳感器的性能、實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)以滿足...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種器件封裝結(jié)構(gòu)，一種器件封裝方法，一種mems器件封裝模塊，以及一種具有器件封裝模塊的電子裝置。電子器件作為電子設(shè)備的基本元素，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用，其應(yīng)用范圍包括移動(dòng)電話、汽車、家電設(shè)備等。此外，未來(lái)即將改變世界的人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、5g通訊等技術(shù)仍然需要依靠電子...

本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanicalsystem，mems)領(lǐng)域，尤其涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)器件。mems器件利用薄膜的形變來(lái)實(shí)現(xiàn)機(jī)械能與電能的轉(zhuǎn)換時(shí)，若薄膜的形變程度較大，一旦超出薄膜的應(yīng)力承受能力，薄膜將會(huì)破裂而導(dǎo)致器件失效。如mems麥克風(fēng)具有振膜和背板...