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本發(fā)明涉及一種mems元件。本發(fā)明還涉及一種asic元件。本發(fā)明還涉及一種具有mems元件和asic元件的微機(jī)械傳感器。本發(fā)明還涉及一種用于制造微機(jī)械傳感器的方法。現(xiàn)在的封裝技術(shù)需要使壓力傳感器的壓力敏感的部分、壓力傳感器膜片借助于特定的彈簧設(shè)計與傳感器的其余部分機(jī)械解耦并且由此使其與av...

本公開涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，更具體地，涉及一種紅外傳感器件。微電子機(jī)械系統(tǒng)是建立在微米或納米技術(shù)基礎(chǔ)上的21世紀(jì)前沿技術(shù)。它可將機(jī)械構(gòu)件、光學(xué)系統(tǒng)、驅(qū)動部件、電控系統(tǒng)、數(shù)字處理系統(tǒng)集成為一個整體單元的微型系統(tǒng)。微機(jī)電系統(tǒng)的出現(xiàn)使芯片的概念遠(yuǎn)超越了以處理電信號為目的的集成電路，其功能擴(kuò)展到...

本發(fā)明涉及微納操作和組裝、微納結(jié)構(gòu)制造的，尤其是指一種基于光誘導(dǎo)介電泳的微納自組裝操作方法及系統(tǒng)。微納米粒子可廣泛運(yùn)用于半導(dǎo)體材料及新型材料的制備、生物技術(shù)的研究、醫(yī)學(xué)工業(yè)等領(lǐng)域。微納米粒子的應(yīng)用實(shí)質(zhì)是通過微納米技術(shù)對其進(jìn)行操作，從而獲得目標(biāo)產(chǎn)品，而操縱微納米粒子的技術(shù)直接影響產(chǎn)品...

本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanicalsystem，mems)領(lǐng)域，尤其涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)器件制備方法。在半導(dǎo)體襯底上形成mems器件的制備工藝中，通常是在半導(dǎo)體襯底的正面形成薄膜結(jié)構(gòu)并在半導(dǎo)體襯底的背面刻蝕出背腔，以使薄膜結(jié)構(gòu)覆蓋于背腔上，如mems麥克風(fēng)...

本發(fā)明屬于微機(jī)電系統(tǒng)(mems)制造，具體涉及一種mems器件結(jié)構(gòu)。mems器件是近二十年來發(fā)展起來的一種新型微機(jī)械儀表，其利用半導(dǎo)體工藝加工技術(shù)加工微機(jī)械結(jié)構(gòu)。一種典型的mems器件由可動質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)、彈簧梁、錨點(diǎn)、電極等構(gòu)成，通過不同結(jié)構(gòu)設(shè)計其可以實(shí)現(xiàn)對力、位移、角速度等物理量的...

本發(fā)明屬于微機(jī)電系統(tǒng)(mems)制造，具體涉及一種大質(zhì)量塊mems結(jié)構(gòu)及制備方法。在微機(jī)電系統(tǒng)(mems)傳感器中常采用可動質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)壓力、振動、加速度、角速度等物理量的測量或轉(zhuǎn)換，可動質(zhì)量塊的大小對傳感器的檢測靈敏度有著直接的影響。一種常用的工藝制備方法是通過晶圓鍵合的方式實(shí)...

本發(fā)明屬于納米材料制備，尤其涉及一種鈣鈦礦單晶納米環(huán)及其制備方法與應(yīng)用。由于納米尺度的晶體結(jié)構(gòu)往往具有獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，因此，納米材料(零維的量子點(diǎn)，一維的納米線，二維的納米片等)在基礎(chǔ)理論研究和器件應(yīng)用技術(shù)上具有重要作用。二維材料獨(dú)特的形貌、電子結(jié)構(gòu)能夠調(diào)節(jié)或者改變單原子催化...

本公開涉及mems設(shè)備。特別地，本公開涉及mems(微機(jī)電系統(tǒng))慣性傳感器(諸如加速度計或陀螺儀)。如已知的，上述類型的mems設(shè)備的使用在愈加寬廣的中日益增多，這是由于它們能夠供給準(zhǔn)確的信號、它們的成本低、以及它們的通用性高。特別地，上述類型的慣性傳感器在消費(fèi)者應(yīng)用以及在汽車領(lǐng)域...

本實(shí)用新型涉及的是一種條紋狀結(jié)構(gòu)的電熱式扭轉(zhuǎn)驅(qū)動器，屬于mems應(yīng)用。mems驅(qū)動方式主要分為靜電、電磁、電熱和壓電四種方式，其中靜電和電磁被常用于扭轉(zhuǎn)態(tài)驅(qū)動方式中。電熱通常應(yīng)用于垂直位移，較難運(yùn)用于扭轉(zhuǎn)態(tài)驅(qū)動，即使應(yīng)用于扭轉(zhuǎn)態(tài)驅(qū)動，其結(jié)構(gòu)也非常復(fù)雜。例如，專利文獻(xiàn)1、一種微電機(jī)系...

本發(fā)明涉及mems器件，更具體地說，涉及一種mems器件的晶圓級封裝方法和封裝結(jié)構(gòu)。微機(jī)電系統(tǒng)(microelectromechanicalsystem，mems)是將微機(jī)械元件、微型傳感器、微型執(zhí)行器、信號處理與控制電路等集成于一體的微系統(tǒng)。隨著mems器件與微電子技術(shù)、光電技術(shù)...

本發(fā)明屬于微型器件真空封裝，具體涉及一種具有低激活溫度、優(yōu)異的機(jī)械性能以及良好的抗溫度沖擊性的吸氣薄膜及其制備方法。近年來，隨著微機(jī)電系統(tǒng)(mems,micro-electro-mechanicalsystem)技術(shù)的不斷進(jìn)步，mems傳感器技術(shù)得到了飛速的發(fā)展，mems器件或系統(tǒng)...

本發(fā)明涉及固體結(jié)構(gòu)超滑領(lǐng)域，尤其涉及在批量制備超滑器件過程中的制備小型硅基底薄膜的方法。長期以來,摩擦和磨損問題,不但與制造業(yè)密切相關(guān),還與能源、環(huán)境和健康直接相關(guān)。據(jù)統(tǒng)計,全世界約三分之一的能源在摩擦過程中被消耗掉,約80％的機(jī)器零部件失效都是由磨損造成的。結(jié)構(gòu)超滑是解決摩擦磨損問題的理...

相關(guān)申請的交叉引用本專利申請要求2019年1月3日提交的名稱為“opticalcontrolofatomicquantumbitsforphasecontrolofoperation”的美國非臨時申請no.16/239,319和2018年1月4日提交的名稱為“opticalcontrolofato...

本實(shí)用新型屬于mems器件與微流控電路封裝及控制系統(tǒng)領(lǐng)域，涉及一種無線微流體控制模塊及微流控芯片。微流控技術(shù)廣泛地應(yīng)用在醫(yī)療實(shí)時檢測和高等院校的生物學(xué)以及藥學(xué)的研究中。微機(jī)電系統(tǒng)(mems，micro-electro-mechanicalsystem)微泵、微閥等芯片是在微流控芯片中具有很...

本發(fā)明涉及一種封裝mems芯片的開蓋裝置，特別涉及一種圓片級封裝mems芯片的開蓋裝置，屬于mems芯片。mems是微機(jī)電系統(tǒng)的縮寫，mems元器件由mems芯片和專用控制集成電路(asic)芯片組成，mems元器件具有體積小、成本低、功耗低、智能化程度高、易校準(zhǔn)、易集成的優(yōu)點(diǎn)，被...

本發(fā)明涉及微納加工領(lǐng)域，具體涉及一種增強(qiáng)聚對二甲苯(parylene)薄膜與硅粘附性的方法。柔性電子技術(shù)已掀起世界范圍的電子技術(shù)革命，被認(rèn)為是電子行業(yè)的未來。其中，柔性襯底材料是實(shí)現(xiàn)柔性電子器件互連和封裝的重要組成部分。目前被廣泛應(yīng)用于柔性電子領(lǐng)域的柔性/彈性襯底材料包括聚對二甲苯(par...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路和傳感器，特別是涉及一種高靈敏度高均勻性的紅外探測器及其制作方法。傳統(tǒng)紅外mems探測器產(chǎn)品一般采用微橋諧振腔結(jié)構(gòu)，其敏感電阻是定義在微橋表面的平面上的，即其敏感電阻是由敏感層上的平面電極圖形定義出的電阻。請參考圖1，圖1是一種傳統(tǒng)紅外mems探測器的敏感電...

本實(shí)用新型涉及畫膠，尤其涉及一種自動送料的高精度畫膠裝置。全自動畫膠機(jī)可以做到自動進(jìn)出料，至工作位采用高清相機(jī)定位后精度可達(dá)到0.05mm以內(nèi)，根據(jù)物料的規(guī)格可采用2-3頭同時作業(yè)，效率是以往半自動設(shè)備的3至5倍。以往mems封裝采用臺式半自動畫膠裝置，半自動設(shè)備主要缺陷為精度差而...

本實(shí)用新型涉及mems器件，特別是涉及一種mems傳感器。隨著近年來科技不斷的進(jìn)步以及社會不斷的發(fā)展，mems(微機(jī)電系統(tǒng))得到了極大的發(fā)展，相應(yīng)的作為mems傳感器也得到了極大的發(fā)展，其已經(jīng)廣泛的應(yīng)用于汽車、安防、生物醫(yī)學(xué)、電力、智慧樓宇、森林防火、智能手機(jī)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。在現(xiàn)階...

本發(fā)明屬于微機(jī)械工藝制造領(lǐng)域，尤其涉及一種硅基mems微半球陣列的制備方法。mems工藝技術(shù)是制造復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)的微加工技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體和微電子工藝，典型的三維微結(jié)構(gòu)包括梁、隔膜、凹槽、孔、密封洞、錐、針尖、彈簧等。三維體硅微結(jié)構(gòu)主要采用兩種主流刻蝕技術(shù)。各向異性濕法腐蝕，由于腐蝕液...