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微觀裝置的制造及其處理技術
  • 一種基于水冰的電子束誘導刻蝕工藝的制作方法
    本發(fā)明屬于微納加工制備領域,具體涉及無機/有機納米材料制備技術,尤其涉及一種基于水冰的電子束誘導刻蝕技術。具有單層或多層原子厚度的二維(2d)材料因其與結(jié)構有關的獨特電子和光學特性而受到廣泛關注,例如表現(xiàn)出金屬性質(zhì)的石墨烯。2d過渡金屬硫?qū)倩铮╰mdc)是新興的一類材料,它們具有直接的帶...
  • 一種圓片級薄膜封裝方法及封裝器件與流程
    本發(fā)明涉及微電子機械封裝,特別涉及一種圓片級薄膜封裝方法及封裝器件。微機械系統(tǒng)(micro-electro-mechanicalsystem,mems)傳感器通過縮小敏感結(jié)構的尺寸來實現(xiàn)功能的高度集成??諝庾枇εc結(jié)構特征尺寸有關,在低速下宏觀尺度物體受到的空氣阻力一般可忽略不計,但...
  • 制造電子設備的方法以及對應的電子設備與流程
    相關申請的交叉引用本申請要求于2019年4月1日提交的意大利專利申請?zhí)?02019000004835的優(yōu)先權權益,其內(nèi)容在法律允許的最大范圍內(nèi)通過引用以其整體合并于此。本描述涉及電子設備。一個或多個實施例可以被應用于諸如微機電系統(tǒng)(mems)類型傳感器的傳感器。現(xiàn)今,包括微機電系統(tǒng)(mem...
  • 一種在玻璃表面連續(xù)批量制作微納結(jié)構的方法與流程
    本發(fā)明涉及光學微納元器件加工,更具體地說,涉及一種在玻璃表面連續(xù)批量制作微納結(jié)構的方法。光學微納元器件是制造小型光電子系統(tǒng)的關鍵元件,其具有體積小、質(zhì)量輕和造價低等優(yōu)點,并且能夠?qū)崿F(xiàn)普通光學元件難以實現(xiàn)的微小、陣列、集成、成像和波面轉(zhuǎn)換等新功能。在很多工程應用領域,從現(xiàn)代國防科學技...
  • 基于異質(zhì)驅(qū)動單元的微型熱力陣列及其制備方法與流程
    本發(fā)明涉及微機電系統(tǒng),特別是涉及一種基于異質(zhì)驅(qū)動單元的微型熱力陣列及其制備方法。微機電系統(tǒng)(mems)器件常用的主動調(diào)控技術有靜電驅(qū)動、壓電驅(qū)動和熱驅(qū)動等。靜電調(diào)控技術可實現(xiàn)對mems器件變形的調(diào)控,由于靜電吸合及動態(tài)調(diào)節(jié)范圍限制等使其應用受到制約。壓電驅(qū)動是應用非常普遍的驅(qū)動方式...
  • 半導體封裝結(jié)構、產(chǎn)品及其制造方法與流程
    本發(fā)明涉及半導體封裝結(jié)構、產(chǎn)品和制造方法,并且涉及包含具有標記(mark)的透氣薄膜(air-permeablefilm)的半導體封裝結(jié)構、具有形成在物體的油墨層(inklayer)上的產(chǎn)品,以及用于制造半導體封裝結(jié)構的方法。示例性半導體封裝結(jié)構可包含襯底(substrate)、位在襯底上...
  • 經(jīng)由前側(cè)溝槽的分段應力去耦的制作方法
    本公開總體上涉及半導體器件及半導體器件的制造方法,并且更地,涉及具有應力消除機構的應力敏感傳感器。微機電系統(tǒng)(mems)是微觀器件,具體地是具有運動部分的器件。一旦mems可以使用通常被用于制造電子器件的修改的半導體器件制造技術被制造,mems就變得實用。因此,mems可以作為集成電路的部...
  • 一種通過微結(jié)構保護的疏水材料及其制備方法和應用與流程
    本發(fā)明涉及疏水材料領域,尤其涉及一種通過微結(jié)構保護的疏水材料,以及其制備方法和應用。表面疏水技術是一門廣博精深和具有高實用價值的基礎研究技術。目前,疏水材料涂層已廣泛應用于現(xiàn)代生活和工業(yè)領域中的諸多方面。通過設計不同結(jié)構、化學和物理特性的材料涂層,能夠提供固體材料表面新的附加功能,特別是現(xiàn)...
  • 一種MEMS傳感器封裝結(jié)構的制作方法
    本實用新型屬于mems傳感器封裝,具體涉及一種mems傳感器封裝結(jié)構。以mems加速度計、mems陀螺為代表的mems傳感器已經(jīng)廣泛應用于手機、汽車、姿態(tài)監(jiān)測、慣性監(jiān)測等領域,其主要優(yōu)勢是體積小、功耗低,能夠滿足各種復雜情景的使用需求。目前國際上adi公司的mems傳感器以mems...
  • 一種防泄漏硅壓傳感器的制作方法
    本實用新型屬于傳感器,特別涉及一種硅壓傳感器。采用mems工藝制作而成的硅壓傳感器具有結(jié)構簡單、靈敏度高、高可靠性等特點,廣泛用于各種環(huán)境下的壓力監(jiān)測和數(shù)據(jù)采集,根據(jù)市場應用,部分傳感器需要具有絕對的氣密性要求,但由于傳感器殼體的注塑工藝或材料的冷熱收縮會出現(xiàn)配合間隙,導致氣體泄漏...
  • 微流路裝置的制作方法
    本發(fā)明涉及一種微流路裝置。已知有一種具有被稱為微流路的微米級寬度的流路的裝置(以下,稱為“微流路裝置”。)。例如在日本專利第5415538號公報中公開有一種器官模仿裝置,其作為微流路裝置具有被多孔質(zhì)膜分隔的第一中央微通道及第二微通道。以往技術文獻專利文獻專利文獻1:日本專利第5415538...
  • 一種亞納米級流體通道及其制作方法與流程
    本發(fā)明涉及流體通道,尤其是涉及一種亞納米級流體通道及其制作方法。目前,納米流體通道主要分兩種,一種是在氮化硅、氧化硅、石墨烯等薄膜上使用電子束或離子束制備的固態(tài)納米孔,另一種是在氧化硅等薄膜上使用反應離子蝕刻制備的納米級溝槽。無論是固態(tài)納米孔還是納米級溝槽的尺寸一般最小為2納米,無...
  • 封裝用的引線定位裝置的制作方法
    本發(fā)明涉及封裝,特別是涉及一種封裝用的引線定位裝置。mems傳感器封裝引線占據(jù)器件制造50~80%的成本和工序??煽康胤庋b引線不僅能有效地保護mems器件,也為mems傳感器實現(xiàn)生產(chǎn)應用提供后端可靠的技術支持。mems傳感器以微納加工工藝為主體完成微型敏感元件的制作,mems器件的...
  • 一種生物檢測芯片襯底及其制備方法與流程
    本發(fā)明涉及半導體,尤其涉及一種生物檢測芯片襯底及其制備方法。當前,病毒檢測診斷常使用定量熒光聚合酶鏈式反應核酸檢測(pcr核酸檢測)的方法。然而,這種病毒檢測診斷,需要對病毒進行聚合酶鏈式反應擴增(pcr擴增),并在擴增后才能進行檢測,檢測過程耗時較長、操作繁瑣、且需要集中送檢等,...
  • 用于無人駕駛決策模擬訓練的光學下轉(zhuǎn)換芯片及制備方法與流程
    本發(fā)明涉及一種用于無人駕駛決策模擬訓練的光學下轉(zhuǎn)換芯片及制備方法,屬于無人駕駛和紅外場景投影。無人駕駛技術是通過感知、定位、計算、控制等方式自動安全地操作設備(無人車、無人機、無人船舶)按照規(guī)定路線運行的技術,涉及到人工智能、計算機視覺、自動控制等技術的綜合運用。無人駕駛技...
  • 一種窄禁帶半導體/超導體異質(zhì)結(jié)納米線的制備方法與流程
    本公開涉及半導體材料制備,尤其涉及一種窄禁帶半導體/超導體異質(zhì)結(jié)納米線的制備方法?;趍ajorana費米子的容錯拓撲量子計算是一種近年來被提出并得到認可的解決量子計算機糾錯問題的方法。探測并找到majorana費米子是其用于容錯拓撲量子計算的關鍵。2012年,荷蘭代爾夫特理工大學...
  • 測量共晶鍵合對準偏差的測試結(jié)構的制作方法
    本發(fā)明涉及一種半導體集成電路,特別是涉及一種測量共晶鍵合對準偏差的測試結(jié)構。如圖1所示,是現(xiàn)有硅基mems運動傳感器的示意圖,包括了3片鍵合在一起的硅晶圓,即第三硅晶圓101、第一硅晶圓102和第二硅晶圓103。其中,硅基mems運動傳感器形成于第一硅晶圓102上,第三硅晶圓101作為第一...
  • 微機電系統(tǒng)裝置及其形成方法與流程
    本發(fā)明實施例涉及一種微機電系統(tǒng)裝置及其形成方法,且特別是涉及一種壓電微機電系統(tǒng)裝置及其形成方法。微機電系統(tǒng)(microelectromechanicalsystem,mems)麥克風在現(xiàn)代聲音激活(sound-activated)裝置(例如,智能揚聲器、助聽器及麥克風)中正變得越來越普遍。...
  • MEMS器件及其制造方法與流程
    本發(fā)明涉及半導體制造領域,尤其涉及一種mems器件及其制造方法,更進一步地,該mems器件是壓阻式壓力傳感器和慣性傳感器的集成器件。mems(microelectromechanicalsystem,微機電系統(tǒng))器件由于其體積小、成本低、集成性好等特點,已被越來越廣泛地應用在如消費電子、醫(yī)...
  • MEMS導電件以及導電鍍層的制備方法與流程
    本發(fā)明涉及揚聲器制備工藝,尤其涉及一種mems導電件以及導電鍍層的制備方法。mems導電件對于mems傳感器與印刷電路板之間的信號傳輸是非常重要的元件,mems導電件為了保證穩(wěn)定高效的信號傳輸,高質(zhì)量的mems導電件是必不可少的。在現(xiàn)有技術制備mems導電件的工藝中...
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