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本發(fā)明屬于材料表面處理，尤其涉及一種熱力耦合高能粒子沉積同步復(fù)合非平衡態(tài)光蝕微結(jié)構(gòu)的制備裝置。、在精密機(jī)械、航空航天及生物醫(yī)療等領(lǐng)域，高性能涂層的界面結(jié)合強(qiáng)度、抗疲勞性能及功能性(如耐磨、耐蝕或生物相容性)需求日益嚴(yán)苛。傳統(tǒng)涂層制備技術(shù)中，基體表面預(yù)處理(如噴砂、化學(xué)刻蝕或機(jī)械拋光)常被用...

本發(fā)明屬于應(yīng)變傳感器的制備，涉及一種基于預(yù)加載的超穩(wěn)定寬線性柔性應(yīng)變傳感器及其制備方法，具體為一種長服役壽命、超高循環(huán)穩(wěn)定性、寬應(yīng)變范圍內(nèi)線性信號(hào)響應(yīng)的柔性應(yīng)變傳感器的制備方法。、柔性電子技術(shù)是二十一世紀(jì)重要變革性科技之一，柔性應(yīng)變傳感器作為其核心元件在諸如人機(jī)交互、人體健康和結(jié)構(gòu)健康監(jiān)測...

本申請涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種mems傳感器裝置和半導(dǎo)體器件。、在mems(micro-electro-mechanical?system，微機(jī)電系統(tǒng))傳感器的芯片加工工藝中，如mems芯片、asic(application-specific?integrated?circuit，專用集成...

干燥的表面改性納米方解石本發(fā)明涉及表面改性納米方解石。更具體地講，本發(fā)明涉及可易于分散在樹脂中的干燥的表面改性納米方解石粒子。發(fā)明內(nèi)容在一些實(shí)施例中，提供了納米粒子組合物。該組合物包含具有方解石和鍵合至方解石的表面改性劑的納米粒子。表面改性劑包含鍵合至方解石的結(jié)合基團(tuán)和增容鏈段。增容鏈段包...

微圖案形成方法和使用其的微通道晶體管和微通道發(fā)光晶體管的形成方法本發(fā)明涉及一種使用有機(jī)線或有機(jī)-無機(jī)混合線形成微圖案的方法，更具體地，涉及一種使用有機(jī)線或有機(jī)-無機(jī)復(fù)合線作為圖案化掩模來形成微圖案的方法以及使用其來形成電子器件的方法。目前，由于能夠在襯底上形成納米級(jí)圖案的方法多數(shù)基...

一種晶圓級(jí)陽極鍵合方法本發(fā)明涉及一種晶圓級(jí)鍵合方法，尤其是涉及一種晶圓級(jí)陽極鍵合方法。目前在微機(jī)械系統(tǒng)、微電子以及光電子領(lǐng)域，晶圓級(jí)鍵合技術(shù)正被廣泛應(yīng)用。在過去幾十年，各種鍵合技術(shù)已經(jīng)被開發(fā)出來，主要分為直接鍵合和中間層鍵合，直接鍵合技術(shù)包括硅-硅熔融鍵合，硅-玻璃陽極鍵合。在微機(jī)...

電容式微加工超聲換能器制造方法及被檢體信息獲取裝置本公開涉及可以在超聲探測器和其它應(yīng)用中使用的電容式微加工超聲換能器，并且還涉及用于制造該電容式微加工超聲換能器的方法。超聲診斷近來已經(jīng)被看作用于疾病的早期檢測的技術(shù)。在這種診斷領(lǐng)域中，在研究中的有前景的超聲發(fā)送和接收技術(shù)之一是取代壓...

微機(jī)械功能裝置、尤其揚(yáng)聲器裝置、以及相應(yīng)的制造方法本發(fā)明涉及一種微機(jī)械功能裝置、尤其一種揚(yáng)聲器裝置、以及一種相應(yīng)的制造方法。雖然也可以采用任意的微機(jī)械功能裝置，但是借助在硅基礎(chǔ)上的微機(jī)械揚(yáng)聲器裝置來解釋本發(fā)明以及其所基于的問題。與麥克風(fēng)封裝或壓力傳感器封裝相比，其中其必須在小的構(gòu)造...

制造諧振式傳感器的方法本申請要求2011年12月2日提交的日本專利申請第2011-264543號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。本文中描述的實(shí)施例涉及制造諧振式傳感器的方法。圖6-圖17示出了相關(guān)技術(shù)的諧振式傳感器的必要部分的構(gòu)成。圖6示出了必要組件的結(jié)構(gòu)，圖7-圖15示出了...

MEMS器件及其形成方法本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，具體而言，本發(fā)明涉及MEMS器件及其形成方法。微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)器件可用于諸如麥克風(fēng)、加速度計(jì)、噴墨打印機(jī)等各種應(yīng)用。常用類型的MEMS器件采用可移動(dòng)元件(有時(shí)被稱為檢測質(zhì)量塊(proofmass))作為電容器極板，以及采用固定...

用于MEMS芯片封裝的無小島引線框、引線框陣列及封裝結(jié)構(gòu)本申請涉及用于MEMS芯片封裝的引線框，更具體來說，本申請涉及用于MEMS芯片封裝、如OCSOP（開蓋式小尺寸封裝）、OCDIP（開蓋式雙列直排封裝）的無小島引線框及其封裝結(jié)構(gòu)。封裝是電子器件制造過程中一個(gè)非常重要的步驟，通過...

一種懸浮結(jié)構(gòu)MEMS器件及其制造方法本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體地說涉及一種懸浮結(jié)構(gòu)MEMS器件及其制造方法。表面犧牲層加工(表面微機(jī)械)技術(shù)是硅微加工的主要技術(shù)之一。釋放工藝是MEMS制造過程中經(jīng)常使用的工藝。釋放工藝分為濕法釋放和干法釋放兩種。干法釋放采用等離子體進(jìn)行刻蝕時(shí)，...

一種高占空比絕熱微橋結(jié)構(gòu)及其實(shí)現(xiàn)方法本發(fā)明涉及探測器微細(xì)加工，具體指一種高占空比的紅外探測器單元結(jié)構(gòu)及其實(shí)現(xiàn)方法，它適用于非制冷焦平面器件，也適用于其它需要高占空比薄膜微橋結(jié)構(gòu)的器件。非制冷焦平面本質(zhì)上是一種“熱”探測器，利用敏感元的“輻射熱效應(yīng)”進(jìn)行紅外探測，其核心是具有...

?磁致伸縮式微動(dòng)夾鉗本發(fā)明涉及夾鉗，特別是微動(dòng)夾鉗。微機(jī)電工程、光學(xué)工程、生物醫(yī)學(xué)工程等領(lǐng)域的迅猛發(fā)展迫切需要能夠在亞毫米級(jí)、微米級(jí)空間進(jìn)行操作的微執(zhí)行機(jī)構(gòu)。微動(dòng)夾鉗是微執(zhí)行機(jī)構(gòu)中的重要執(zhí)行器件，可用于完成微小物體的夾持、移動(dòng)和組裝等動(dòng)作，在微裝配、微操作等方面具有重要的作用。目前...

一種實(shí)現(xiàn)納米硅量子點(diǎn)可控?fù)诫s的方法本發(fā)明涉及一種對納米硅量子點(diǎn)摻雜的方法，尤其是一種實(shí)現(xiàn)納米硅量子點(diǎn)可控?fù)诫s的方法，屬于納米光電子器件。在半導(dǎo)體材料和器件的研究過程中，非晶硅薄膜作為一種光電材料已成為非晶半導(dǎo)體材料研究的重點(diǎn)和核心，并被廣泛應(yīng)用于多種器件，比如薄膜晶體管(T...

?多層的硅微機(jī)械零件的制造方法和由此方法獲得的零件本發(fā)明涉及多層的硅微機(jī)械零件的制造方法和由此方法獲得的零件，這些零件尤其用在鐘表制造領(lǐng)域。硅微機(jī)械零件的現(xiàn)有制造技術(shù)允許零件側(cè)面的垂直度被控制得足夠好，以便將這些零件用作鐘表機(jī)構(gòu)的構(gòu)件。然而，采用現(xiàn)有技術(shù)從單塊硅片制造具有多層的零件...

一種非晶納米片的制備方法本發(fā)明涉及一種非晶納米片的制備方法。制備非晶合金粉末的方法主要有霧化法、機(jī)械合金化法以及化學(xué)沉積法等。霧化法是廣泛采用的能夠大批量生產(chǎn)非晶合金粉末的方法，但是其設(shè)備復(fù)雜且昂貴，對合金的流動(dòng)性要求高，難以獲得納米級(jí)的非晶合金粉末；化學(xué)沉積法雖然可以獲得納米級(jí)的...

微機(jī)電系統(tǒng)器件加工中金屬層與絕緣層圖形對準(zhǔn)誤差電學(xué)測試結(jié)構(gòu)本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件加工技術(shù)，特別是一種微機(jī)電系統(tǒng)器件加工中金屬層與絕緣層圖形對準(zhǔn)誤差電學(xué)測試結(jié)構(gòu)，屬于電學(xué)及半導(dǎo)體領(lǐng)域。在微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件加工中存在許多層材料，其中既有導(dǎo)電層材料，又有絕緣層材料。...

一種制備超薄二維石墨片的方法本發(fā)明屬于納米科技與新材料領(lǐng)域，具體涉及超薄二維石墨片的制備方法。厚度小于10個(gè)原子層的石墨片中的電子結(jié)構(gòu)與體材料石墨有顯著的不同，所以一般認(rèn)為厚度小于10個(gè)原子層(共約4nm)的石墨片屬于二維材料。二維石墨片具有極其優(yōu)良的電學(xué)性質(zhì)，其中以單層石墨的性質(zhì)...

微機(jī)電系統(tǒng)器件加工中不同導(dǎo)電層圖形間對準(zhǔn)誤差電學(xué)測試結(jié)構(gòu)本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件加工技術(shù)，特別是一種微機(jī)電系統(tǒng)器件加工中不同導(dǎo)電層圖形間對準(zhǔn)誤差電學(xué)測試結(jié)構(gòu)，屬于電學(xué)及半導(dǎo)體領(lǐng)域。在微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件加工中存在多層導(dǎo)電材料。例如，硅襯底、多晶硅1、多晶硅2和金屬...