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本公開(kāi)的實(shí)施例大體上涉及一種用于增強(qiáng)微機(jī)電系統(tǒng)(mems)裝置中的釕接觸件的抗粘連性質(zhì)的方法。、接觸粘連(sticking或stiction)是mems裝置中的主要失效機(jī)制中的一者。粘連是制造可行mems裝置的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一。釕接觸件提供低電阻、耐久接觸件，但釕接觸件在操作壽命內(nèi)易受潛在粘連...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體表面微納結(jié)構(gòu)加工領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體表面微納結(jié)構(gòu)尺寸精密調(diào)控的方法。、激光誘導(dǎo)半導(dǎo)體表面周期性結(jié)構(gòu)(laser-induced?periodic?surfacestructure,lipps)是極具激光加工特色的微納加工方法，一直是微納加工領(lǐng)域熱門(mén)研究方向之一。利用該原...

本申請(qǐng)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種微電子機(jī)械系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、形成方法、器件及電子設(shè)備。、mems(micro-electro-mechanical?systems，微電子機(jī)械系統(tǒng))結(jié)構(gòu)融合了微電子技術(shù)、微加工技術(shù)和精密機(jī)械技術(shù)，通過(guò)在硅片等基底材料上構(gòu)建微米甚至納米級(jí)別的機(jī)械結(jié)構(gòu)與電子電路來(lái)實(shí)...

本申請(qǐng)涉及顯示，特別涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)復(fù)合晶圓。、微機(jī)電系統(tǒng)晶圓制備完成后一般都具有較厚的厚度，而厚度較厚的微機(jī)電系統(tǒng)晶圓用于封裝時(shí)，引線鍵合成形的線弧較大、占用的水平面面積大，因此對(duì)后續(xù)生產(chǎn)要求較高，對(duì)技術(shù)人員的技術(shù)要求較高；并且微機(jī)電系統(tǒng)晶圓封裝后的高度也較高，導(dǎo)致占用較多終端產(chǎn)品空間...

基于原子力顯微鏡恒力模式的納米微小結(jié)構(gòu)加工方法本發(fā)明涉及納米量級(jí)微小結(jié)構(gòu)的加工方法。1982年，IBM公司的GerdBinnig及HeinrichRoher發(fā)明了第一臺(tái)掃描隧道顯微鏡(STM)，并于1983年成功地觀測(cè)到了Si(111)表面的Si(7×7)原子分布圖像。隨后科學(xué)家們...

基于原子力顯微鏡恒高模式的納米微小結(jié)構(gòu)加工方法本發(fā)明涉及納米量級(jí)微小結(jié)構(gòu)的加工方法。1982年，IBM公司的GerdBinnig及HeinrichRoher發(fā)明了第一臺(tái)掃描隧道顯微鏡(STM)，并于1983年成功地觀測(cè)到了Si(111)表面的Si(7×7)原子分布圖像。隨后科學(xué)家們...

直寫(xiě)納米蝕刻的方法本發(fā)明是一件分案申請(qǐng)，原申請(qǐng)的申請(qǐng)日為：2000年1月7日；國(guó)際申請(qǐng)?zhí)枮椋篜CT/US00/00319；國(guó)家申請(qǐng)?zhí)枮椋?0803987.9；發(fā)明創(chuàng)造名稱(chēng)為：利用掃描探針顯微鏡針尖的方法及其產(chǎn)品或產(chǎn)品的制作方法。發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及微米級(jí)和毫微米級(jí)的加工方法，本發(fā)明還涉及實(shí)施原子力顯...

納米復(fù)合材料以及使用納米復(fù)合材料的熱塑性納米復(fù)合材料樹(shù)脂組合物本發(fā)明涉及納米復(fù)合材料以及使用納米復(fù)合材料的熱塑性納米復(fù)合材料樹(shù)脂組合物。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種其中膠態(tài)金屬或金屬氧化物納米顆粒被吸附到橡膠改性的接枝共聚物膠乳的表面上的納米復(fù)合材料，以及一種熱塑性納米復(fù)合材料樹(shù)脂組合物，通...

一種微納間隙電極的制作方法本發(fā)明涉及電極制作，尤其是一種深亞微米到納米尺度的多結(jié)構(gòu)多圖形微納間隙電極的制作方法。納米粒子是指尺度在1～100nm的顆粒。研究表明納米材料的物理與化學(xué)性質(zhì)不同于宏觀的材料。金屬和半導(dǎo)體納米粒子因其在光、電、催化、化學(xué)傳感以及未來(lái)納米存儲(chǔ)器件等方...

制備膠體探針的方法及裝置本發(fā)明涉及探針的修飾與制備加工，是一種在高倍光學(xué)顯微鏡下于懸臂上粘結(jié)微顆粒以制備原子力顯微鏡力學(xué)傳感器即探針的方法及裝置。原子力顯微鏡是Binnig等人于1986年發(fā)明的。原子力顯微鏡能高分辨率探測(cè)原子與分子的形狀，確定物體表面的電、磁與機(jī)械性能，正...

掩模層三維結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移的MEMS體硅工藝方法本發(fā)明涉及一種掩模層三維結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移的MEMS體硅工藝方法，尤其涉及一種需要進(jìn)行多次深槽結(jié)構(gòu)加工的MEMS體硅工藝方法，主要應(yīng)用于各種MEMS器件的研制及生產(chǎn)加工。MEMS技術(shù)是現(xiàn)代化國(guó)防和未來(lái)高技術(shù)主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，其發(fā)展將導(dǎo)致武器裝備、以及社會(huì)...

?基于單個(gè)雙穩(wěn)態(tài)機(jī)構(gòu)及其外特性的多穩(wěn)態(tài)機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)方法本發(fā)明屬于柔性機(jī)構(gòu)領(lǐng)域，涉及一種基于單個(gè)雙穩(wěn)態(tài)機(jī)構(gòu)及其外特性的多穩(wěn)態(tài)機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)方法，具有能耗小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、造價(jià)低、裝配成本低等特點(diǎn)，可被用于開(kāi)關(guān)、閥門(mén)、繼電器等產(chǎn)品中。自適應(yīng)系統(tǒng)及其他一些領(lǐng)域常用到具有多個(gè)穩(wěn)定位置的多穩(wěn)態(tài)機(jī)構(gòu)。傳統(tǒng)的...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，具體而言，涉及一種mems壓電系統(tǒng)、mems壓電器件及其制備方法。、微機(jī)電系統(tǒng)（micro-electro-mechanical?systems，mems）壓電懸臂梁作為mems壓電器件和系統(tǒng)中關(guān)鍵的基本結(jié)構(gòu)，可以用于開(kāi)關(guān)、諧振器、傳感器等。從結(jié)構(gòu)上看，請(qǐng)參照?qǐng)D，mems...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，具體而言，涉及一種mems壓電器件及其制備方法、mems壓電系統(tǒng)及其多軸檢測(cè)方法。、包括壓電微機(jī)電系統(tǒng)（micro-electro-mechanical?systems,?mems）懸臂梁、壓電mems簡(jiǎn)支梁在內(nèi)的各種梁結(jié)構(gòu)和各種形狀的壓電mems膜結(jié)構(gòu)是各種mems傳感...

本公開(kāi)總體涉及微機(jī)電系統(tǒng)(mems)及其制造方法。、微機(jī)電系統(tǒng)(“mems”)包括通過(guò)一種或多種半導(dǎo)體制造工藝形成的機(jī)械特征和電特征。mems器件的示例包括：微傳感器，其將機(jī)械信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)；微致動(dòng)器，其將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為機(jī)械信號(hào)；以及運(yùn)動(dòng)傳感器。對(duì)于許多應(yīng)用而言，mems器件電連接到專(zhuān)用集...

本公開(kāi)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。、微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?systems，mems)芯片是一種將微型機(jī)械結(jié)構(gòu)、傳感器、執(zhí)行器、電子電路等集成在半導(dǎo)體材料上的微型系統(tǒng)。mems芯片在制造過(guò)程中常用到多種工藝技術(shù)，包括：...

本發(fā)明涉及紅外，特指一種基于cmos制造工藝的紅外光源及其制造方法。、基于光譜吸收原理的非色散紅外（ndir）氣體傳感器主要由紅外光源、氣室、濾光片和紅外光探測(cè)器四部分組成。其中，紅外光源是決定ndir集成氣體傳感器性能的關(guān)鍵部件之一，直接決定了傳感器的尺寸、功耗和檢測(cè)性能。傳統(tǒng)紅外光源（...

本發(fā)明涉及一種漏斗形梳齒及mems加速度計(jì)，屬于mems電容式傳感器。、mems(micro-electric?mechanical?systems)是微電子機(jī)械系統(tǒng)的簡(jiǎn)稱(chēng)，它是指在集成電路技術(shù)的基礎(chǔ)上，利用微加工技術(shù)將機(jī)械元件和電子元件融合于一體的微型集成技術(shù)。mems器件主要分為微傳感...

本申請(qǐng)屬于傳感器，具體涉及一種mems芯片及其制作方法和電子設(shè)備。、電容式壓力傳感器因具有較小的溫度系數(shù)，高精度，較好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)等優(yōu)勢(shì)，在mems(micro-electro-mechanical?systems，微機(jī)電系統(tǒng))壓力傳感器領(lǐng)域逐漸成為主流芯片實(shí)現(xiàn)形式之一。電容式壓力傳感器一般...

本發(fā)明專(zhuān)利涉及超材料，尤其涉及懸空微加工器件電路制備方法。、超材料是指一些具有天然材料所不具備的超常物理性質(zhì)的人工復(fù)合結(jié)構(gòu)或復(fù)合材料，超材料的性質(zhì)往往取決于內(nèi)部的人工結(jié)構(gòu)，而非構(gòu)成材料的本征性質(zhì)。因其獨(dú)特的性質(zhì)，超材料已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于光電通信、柔性可穿戴設(shè)備、醫(yī)療生物等領(lǐng)域當(dāng)中。目前對(duì)于超...