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微觀裝置的制造及其處理技術(shù)
  • 半導(dǎo)體襯底表面定軸分子轉(zhuǎn)子及其陣列的原子級構(gòu)筑方法
    本發(fā)明屬于分子機器的原子級制造領(lǐng)域,涉及一種在半導(dǎo)體襯底表面原子級精準構(gòu)筑具有可控轉(zhuǎn)動功能的定軸分子轉(zhuǎn)子及其陣列的構(gòu)筑方法。、人工分子轉(zhuǎn)子/馬達是分子機器的重要組成部分,在存儲、智能材料、醫(yī)藥、催化等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。目前在溶液中通過化學(xué)合成方法,已經(jīng)實現(xiàn)第一批分子機器的合成。但在固...
  • 抑制底部填充材料在半導(dǎo)體管芯的背表面上的蠕變的半導(dǎo)體器件和方法與流程
    本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體器件,并且更具體地,涉及抑制底部填充材料蠕變到半導(dǎo)體管芯的背表面上的半導(dǎo)體器件和方法。、半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電氣產(chǎn)品中很常見。半導(dǎo)體器件執(zhí)行廣泛的功能,諸如信號處理、高速計算、發(fā)送和接收電磁信號、控制電氣器件、光電以及為電視顯示器創(chuàng)建可視圖像。半導(dǎo)體器件存在于通信、功率轉(zhuǎn)...
  • 一種拱形結(jié)構(gòu)在MEMS熱膜式流量傳感器芯片中的應(yīng)用及其制備方法與流程
    本發(fā)明涉及傳感器,特別是涉及一種拱形結(jié)構(gòu)在mems熱膜式流量傳感器芯片中的應(yīng)用及其制備方法。、隨著現(xiàn)代工業(yè)和科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,mems(微電子機械系統(tǒng))熱膜式流量傳感器在空氣流量檢測、氣體流量控制、液體流量測量等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。其中,熱膜式流量傳感器是一種基于熱傳導(dǎo)原理實現(xiàn)氣體或液體流...
  • MEMS電容式壓力及加速度復(fù)合傳感器及其制備方法與流程
    本發(fā)明涉及mems傳感器,尤其是一種mems電容式壓力及加速度復(fù)合傳感器及其制備方法。、隨著mems傳感器技術(shù)微型化發(fā)展,越來越多的傳感器芯片將多種功能單元集成于一顆芯片上,甚至還包括外圍的cmos電路,構(gòu)成系統(tǒng)化的復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)。這種高度集成的傳感器具有功能強,精度高,體積小的特點,...
  • 一種體硅濕法腐蝕高精度控制方法與流程
    本發(fā)明涉及集成電路制造,特別涉及一種體硅濕法腐蝕高精度控制方法。、在集成電路制造工藝,體硅濕法腐蝕工藝的精度控制常常在批量生產(chǎn)的場景下面臨較大的片間偏差和批間偏差。受影響較大的產(chǎn)品類別主要是mems類器件,受影響的產(chǎn)品包括但不限于mems壓力傳感器、加速度傳感器、震動傳感器、氣體傳...
  • 一種小尺寸高密度微通道的制備方法
    本發(fā)明涉及微通道強化相變傳熱,具體涉及一種用于強化沸騰傳熱的小尺寸高密度微通道的制備方法。、微通道是一種典型且具有高性能的微尺度傳熱傳質(zhì)強化結(jié)構(gòu),能夠有效增強液體輸運及相變傳熱過程,因此被廣泛應(yīng)用于微流控、高熱流冷卻和電子器件熱管理等領(lǐng)域。尤其伴隨著先進器件的高功率、高集成度、小尺寸發(fā)展趨...
  • 一種多腔MEMS堿金屬氣室的制作方法
    本發(fā)明涉及mems技術(shù)制得的氣室,具體是一種多腔mems堿金屬氣室。、多腔mems(微機電系統(tǒng))堿金屬氣室包括反應(yīng)腔和光學(xué)腔,反應(yīng)腔內(nèi)通過一些物理或化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生堿金屬氣體,堿金屬氣體內(nèi)混合了顆粒物。在長期使用過程中,細小的顆粒物會從反應(yīng)腔進入到光學(xué)腔內(nèi)并遺留在光學(xué)腔內(nèi),從而導(dǎo)致光學(xué)腔內(nèi)的清...
  • 一種n型SiC耐高溫歐姆接觸電極結(jié)構(gòu)的制備方法
    本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù),尤其涉及一種n型sic耐高溫歐姆接觸電極結(jié)構(gòu)的制備方法。、隨著智能控制、信息與通信等技術(shù)的發(fā)展,適用于高溫環(huán)境下的壓力傳感器在涉及發(fā)動機、太空探測、旋轉(zhuǎn)件等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用需求。譬如,涉及燃料燃燒的系統(tǒng),如航天航空和汽車系統(tǒng),發(fā)動機燃燒室內(nèi)部壓力的監(jiān)測可以為提高發(fā)...
  • 一種電場敏感芯片的加工方法及分離方法與流程
    本發(fā)明涉及微電子學(xué),特別是一種電場敏感芯片的加工方法及分離方法。、在現(xiàn)有技術(shù)中,電場敏感芯片的制造面臨多個挑戰(zhàn),特別是在精細加工和多層結(jié)構(gòu)的制作方面。常見的技術(shù)包括光刻、沉積、刻蝕等,但這些技術(shù)面臨著如何確保高精度、低成本、良好的穩(wěn)定性和高可靠性的挑戰(zhàn)。特別是從背面即將刻蝕到犧牲層時,由于...
  • 半導(dǎo)體器件及其制作方法與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體,尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及其制作方法。、微機電系統(tǒng)(mems,micro-electro-mechanical?system)是采用半導(dǎo)體制造技術(shù)在芯片上集成微電路和微機械形成的,其具有尺寸小(通常為毫米或微米級)、功耗低、耐用性好以及性能穩(wěn)定等優(yōu)點,使其在傳感器等領(lǐng)域得到...
  • 一種離子阱芯片的厚膜層生成方法與流程
    本發(fā)明屬于離子阱制作的,特別涉及一種離子阱芯片的厚膜層生成方法。、離子阱系統(tǒng)以其相干時間長、邏輯操作保真度高等優(yōu)勢成為量子計算、量子模擬以及精密測量的重要平臺,得益于成熟的半導(dǎo)體工藝,芯片型離子阱被認為是實現(xiàn)多離子量子比特信息處理的有效途徑之一。相對于手工或者半手工的傳統(tǒng)離子阱制作方法,芯...
  • 一種用于陽極鍵合工藝的動態(tài)電壓控制方法與流程
    本發(fā)明涉及mems制造的,更具體地說,它涉及一種用于陽極鍵合工藝的動態(tài)電壓控制方法。、陽極鍵合,這項技術(shù)在半導(dǎo)體和mems領(lǐng)域一種關(guān)鍵的微細加工連接技術(shù),能把兩種或多種不同的材料,比如硅片和玻璃、金屬和玻璃等等,牢牢地結(jié)合在一起。標準的陽極鍵合流程里,需要用到金屬電極來施加電壓,這樣才能產(chǎn)...
  • MEMS器件的封裝方法以及MEMS芯片單元
    本申請實施例涉及芯片封裝領(lǐng)域,尤其涉及mems器件的封裝方法以及mems芯片單元。、目前,微機電系統(tǒng)(microe?lectromechan?ica?lsystems,mems)器件封裝技術(shù)主要分為芯片級封裝和晶圓級封裝。其中,晶圓級封裝技術(shù)雖然封裝尺寸小、傳輸速度高、連接密度大、能夠?qū)崿F(xiàn)...
  • 一種增益可調(diào)的MEMS壓力芯片制備方法與流程
    本發(fā)明涉及mems芯片制備,尤其涉及一種增益可調(diào)的mems壓力芯片制備方法。、mems壓力芯片是微機電系統(tǒng)(mems)技術(shù)應(yīng)用發(fā)展中的重要成果,它是由微電子、微機械相結(jié)合而產(chǎn)生的一種新型微壓力測量系統(tǒng)。mems壓力芯片是一種超小型的壓力測量系統(tǒng),該系統(tǒng)的壓敏電阻在微機械結(jié)構(gòu)的作用下能夠?qū)⑼?..
  • 一種雙層懸空三維納米結(jié)構(gòu)的納米材料及電子部件
    本技術(shù)屬于納米材料,具體尤其涉及一種雙層懸空三維納米結(jié)構(gòu)的納米材料及電子部件。、、納米材料是指三維空間尺度至少有一維處于納米量級(-納米)的材料,它是由尺寸介于原子、分子和宏觀體系之間的納米粒子所組成的新一代材料。納米材料由于其獨特的尺寸效應(yīng)、表面效應(yīng)和量子效應(yīng),展現(xiàn)出許多...
  • 一種多層硅電互聯(lián)結(jié)構(gòu)及制備方法與流程
    本發(fā)明涉及mems(微機電系統(tǒng)),尤其涉及一種多層硅電互聯(lián)結(jié)構(gòu)及制備方法。、mems器件是在半導(dǎo)體制造技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展來的,融合了體硅加工技術(shù)制作的微機械電子器件,廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)、通信等領(lǐng)域。隨著mems制造技術(shù)的發(fā)展,越來越多的復(fù)雜微結(jié)構(gòu)和大規(guī)模陣列器件開始商業(yè)化應(yīng)用,器件的布線...
  • 一種空腔內(nèi)壁布滿熱氧化層的Cavity-SOI制備方法與流程
    本發(fā)明涉及cavity-soi制作,尤其涉及一種空腔內(nèi)壁布滿熱氧化層的cavity-soi制備方法。、mems硅晶圓工藝技術(shù)中,采用熱氧化工藝生長的二氧化硅層具有薄膜致密、均勻性好、絕緣性強等優(yōu)點,是硅硅直接鍵合、soi制備等技術(shù)中的常用工藝。mems器件加工工藝中,經(jīng)常涉及cavity-...
  • 一種準BIC太赫茲全介質(zhì)生物傳感器及其制備方法和應(yīng)用與流程
    本發(fā)明涉及太赫茲生物傳感器,具體涉及一種準bic太赫茲全介質(zhì)生物傳感器及其制備方法和應(yīng)用。、電磁超材料具有對周圍介電環(huán)境敏感的特性,且能使電磁場發(fā)生局域增強效應(yīng),因此在傳感領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力?;陔姶懦牧系纳飩鞲衅鞴ぷ髟硎牵簩鞲衅髦車殡姵?shù)的變化轉(zhuǎn)換為電磁信號的頻域譜變化,...
  • MEMS器件封裝方法
    本申請實施例涉及芯片封裝領(lǐng)域,尤其涉及mems器件封裝方法。、目前,微機電系統(tǒng)(microe?lectromechan?ica?lsystems,mems)器件封裝技術(shù)主要分為芯片級封裝和晶圓級封裝。其中,晶圓級封裝技術(shù)雖然封裝尺寸小、傳輸速度高、連接密度大、能夠?qū)崿F(xiàn)快速量產(chǎn)以降低生產(chǎn)成本...
  • 制造半導(dǎo)體裝置的方法和對應(yīng)的裝置與流程
    說明書涉及制造半導(dǎo)體裝置。一個或多個實施例可以應(yīng)用于例如包括在密封腔上的易碎懸浮膜的微機電系統(tǒng)(mems)熱偶發(fā)生器。、通過引用并入本文的美國專利申請公開第/號和第/號是激光直接成型(lds)技術(shù)在制造集成電路(ic)半導(dǎo)體裝置中的可能應(yīng)用的示例。、激光直接成型(lds),時常也被稱為直接...
技術(shù)分類